一种LED外延片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及光电材料制备领域，特别是一种LED外延片，包括依次叠置的衬底、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、铝镓氮/氮化镓多量子阱层、电子阻挡层、P型铝镓氮层、P型接触层、P型电极；所述的P型铝镓氮层为Mg掺杂的多层极化诱导AlxGa1‑xN层，x＝0.3→0.05。本发明专利技术的目的在于解决现有技术中由LED中由于自发和压电极化引起的电子泄漏、辐射复合几率较低导致的发光效率低、内量子效率低等技术问题，本发明专利技术具有结构简单、工艺简便，生产方便，适于工业化生产的需要的优点。

LED epitaxial sheet and preparation method thereof

The invention relates to a photoelectric material preparation field, in particular to a LED epitaxial wafer, including sequentially stacked substrate, GaN buffer layer, N type gallium nitride layer, AlGaN / GaN multiple quantum well layer, electron blocking layer and P type AlGaN layer, P layer, P type contact type multilayer electrode; polarization type P AlGaN layer of the Mg doped xN layer induced AlxGa1, x = 0.3, 0.05. The aim of the invention is to solve the existing technology by LED electrons due to spontaneous and piezoelectric polarization caused by the leakage of radiation, the luminous efficiency is low in the low recombination rate and low quantum efficiency of technical problems, the invention has the advantages of simple structure, simple process, convenient production, suitable for industrial production needs the advantages.

【技术实现步骤摘要】
一种LED外延片及其制备方法
本专利技术涉及发光二极管领域，具体的说是一种LED外延片及其制备方法。
技术介绍
二十世纪九十年代以来，由于紫外光在各个领域和行业都具有重大应用价值，因此LED(发光二极管)研究重点逐渐向短波长的紫外光转移。在紫外灯的诸多应用领域中紫外固化市场份额最高，约占紫外灯市场的三分之一，更是占据目前紫外LED市场的80％以上，而紫外固化所需的是约365nm附近的紫外光。紫外固化是液态紫外材料在紫外光的中、短波辐射下致使其中的光引发剂转变成自由基或者阳离子，从而让树脂聚合成不溶不熔的固体涂膜的过程，是上世纪60年代兴起的一项新技术，后来在我国得以迅速发展。它具有干燥迅速、成本低、品质更好、所占空间小、清洁高效等特点。虽然紫外LED相对其他紫外光源的成本较高，但是LED的使用会使系统的其他部分也相应的小型化，从而降低了总体的成本。另外，LED不含有毒的汞，且寿命是汞灯的10倍。所以，21世纪紫外固化大都采用新型的紫外LED固化，有紫外LED点光源、线光源、面光源。而之前的汞灯的、卤素灯的都在慢慢淘汰。然而，AlGaN材料是目前紫外LED发光技术中不可缺少的合金材料，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED外延片，其特征在于：包括依次叠置的衬底、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、铝镓氮/氮化镓多量子阱层、电子阻挡层、P型铝镓氮层、P型接触层、P型电极；所述的P型铝镓氮层为Mg掺杂的多层极化诱导AlxGa1‑xN层，x＝0.3→0.05。

【技术特征摘要】
1.一种LED外延片，其特征在于：包括依次叠置的衬底、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、铝镓氮/氮化镓多量子阱层、电子阻挡层、P型铝镓氮层、P型接触层、P型电极；所述的P型铝镓氮层为Mg掺杂的多层极化诱导AlxGa1-xN层，x＝0.3→0.05。2.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述的AlxGa1-xN层的总厚度为90nm。3.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述的AlxGa1-xN层的Mg掺杂浓度为1-2×1018cm-3。4.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述的AlxGa1-xN层的极化层数为2-3层。5.一种如权利要求1-4任一所述的LED外延片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，在金属有机化合物气相外延反应室中，将蓝宝石衬底，在氢气气氛、1280℃、反应室压力100torr下，Bake处理5分钟；然后降低温度，在625℃、反应室压力650torr、H2气氛下，三维生长低温GaN成衬底；步骤二，在1240℃左右、反应室压力为600torr、H...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖稼凯，李述体，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：广东,44