衬底片制造技术

本发明专利技术提供一种用于制作包括阻挡层（103）和金属元件（104）的柔性阻挡片（200），所述方法包括：a）设置施加到聚合物支撑层（101）上的金属层（102），金属层具有面向聚合物支撑层的第一表面（105）以及背向所述聚合物支撑层的第二表面（106）；b）在金属层的第二表面上设置金属元件；c）设置覆盖金属层的所述第二表面和所述金属元件的阻挡层，阻挡层具有面向金属层的第一表面以及背向金属层的第二表面；d）从金属层释放聚合物支撑层；以及e）从金属元件和阻挡层除去金属层。柔性阻挡片可以用在卷对卷制作要求高质量阻挡衬底片的薄膜半导体器件中，例如，OLED。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于制作制造半导体器件的衬底片的方法，以及还涉及在所述方法中使用或者由所述方法所产生的层结构。
技术介绍
制作薄膜电子器件已经朝向增加成本效率的大规模制作发展了多年。对于大量制作例如有机发光二极管(0LED)、电致变色器件和光伏器件的半导体器件，非常令人感兴趣的技术是卷对卷工艺，其中，器件建立在柔性的、可能透明的衬底材料上，例如，塑料片。将在大量制作例如OLED中使用的衬底片可以在牺牲金属衬底上形成，在所述牺牲金属衬底上，金属分流结构和阻挡层被施加并且可选地层压或者涂覆有有机涂层，从而制作片。接下来，牺牲金属衬底被蚀刻掉，以留下具有阻挡属性和分流结构的自支撑柔性衬底片。半导体器件可以然后建立在片表面上，所述片在其除去前是面向牺牲金属衬底的。然而，以上所述的方法遭受若干个缺点。首先，通常用作牺牲金属衬底的铝片具有使得得到的衬底片在半导体器件在其上制作时具有差阻挡质量的表面粗糙度，因而限制其用来制作不要求高质量阻挡的器件。而且，蚀刻金属衬底是耗时的，因而提供一种障碍来获取更加时间和成本效率高的制作过程。因而，在本领域中仍然对用于低成本大量制作薄膜半导体器件的改进方法存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.06 EP 10175346.51.一种用于制作包括阻挡层和金属元件的柔性片的方法，所述柔性片计划作为用于制造薄膜半导体器件的衬底片，所述方法包括: a)设置施加到聚合物支撑层(101)上的金属层(102)，金属层具有面向聚合物支撑层的第一表面(105 )和背向所述聚合物支撑层的第二表面(106 ); b)在金属层的第二表面上设置金属元件(104)； c)设置覆盖金属层的所述第二表面和所述金属元件的阻挡层(103)，阻挡层具有面向金属层的第一表面(107)和背向金属层的第二表面(108)； d)从金属层释放聚合物支撑层；以及 e)从金属元件和阻挡层除去金属层。2.根据权利要求1的方法，其中，从金属层释放聚合物支撑层通过加热金属层来达到。3.根据权利要求1的方法，其中，金属层具有高于聚合物支撑层的蒸发温度的熔化温度，并且金属层被加热到等于或者高于聚合物支撑层的蒸发温度、但是低于金属层的熔化温度的温度。4.根据权利要求3的方法，其中，从金属层释放聚合物支撑层通过使用激光来执行。5.根据权利要求1的方法，其中，金属层通过使用蚀刻来除去。6.根据权利要求1的方法，进一步包括以下步骤: f)在阻挡层的第一表...

【专利技术属性】
技术研发人员：H利夫卡，RHM桑德斯，D马修，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，荷兰应用自然科学研究组织，
类型：
国别省市：