一种发光二极管的外延片及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的u‑GaN层、n型层、发光层、电子阻挡层和p型层，电子阻挡层包括高温子层和低温子层，高温子层为AlxGa1‑xN层或InAlxGa1‑xN层，低温子层为p‑GaN层，高温子层的生长温度高于低温子层的生长温度，低温子层的掺杂元素为Mg，在生长高温子层时，会进行一次加热，在完成一层高温子层的生长后又会进行一次降温，该过程相当于对低温子层进行退火，低温子层经过多次退火，有利于提高低温子层中Mg的激活率，可以通过低温子层提供一定数量的空穴，使得总的空穴浓度得到提升，从而提高了LED的发光效率。

Epitaxial slice of light emitting diode and preparation method thereof

The invention discloses an epitaxial slice of a light-emitting diode and a preparation method thereof, which belongs to the field of optoelectronic manufacturing technology. The epitaxial wafer comprises a substrate and sequentially stacked on the substrate u GaN layer, n layer, a light emitting layer, an electron blocking layer and p layer, the electron blocking layer including high temperature and low temperature sublayer sub layer, high temperature sub layer is AlxGa1 or InAlxGa1 xN layer xN layer and sub layer for low temperature P GaN layer growth temperature sub layer is greater than the growth temperature of the low temperature layer, low temperature and doping element sub layer is Mg, the growth of high temperature layer, will conduct a complete heating in a layer of high temperature layer growth after a cooling, this process is equivalent to low temperature annealing of sub layer, low temperature layer after annealing can improve the activation rate of low temperature sub layer of Mg, can provide a certain number of holes through the low temperature sub layer, the hole concentration total has been improved, so as to improve the luminous efficiency of LED.

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的外延片及制备方法
本专利技术涉及光电子制造
，特别涉及一种发光二极管的外延片及制备方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)具有体积小、寿命长、功耗低等优点，目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。现有的LED主要包括衬底和依次层叠在衬底上的u-GaN层、n型层、发光层、电子阻挡层和p型层，电子阻挡层用于阻挡电子，避免电子溢流到p型层，p型层通常采用Mg掺杂，用于提供空穴。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：获得高亮度的发光二极管，关键要提高载流子的浓度。载流子包括空穴和电子，在现有技术中，电子的浓度已经可以达到比较高的水平，但是空穴的浓度仍然难以提高。空穴的浓度与掺杂的Mg的浓度和Mg的激活率有关，由于难以向p型层中掺杂高浓度的Mg，而Mg的激活能又很高，会导致Mg的激活率很低，因此p型层中难以提供高浓度的空穴，从而使得LED的发光效率受到限制。
技术实现思路
为了解决现有LED中p型层难以提供高浓度的空穴导致的LED发光效率低的问题，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次层叠在所述衬底上的u‑GaN层、n型层、发光层、电子阻挡层和p型层，所述电子阻挡层包括交替层叠设置的至少2层高温子层和至少2层低温子层，所述高温子层为AlxGa1‑xN层或InAlxGa1‑xN层，所述低温子层为p‑GaN层，所述高温子层的生长温度高于所述低温子层的生长温度，所述低温子层的掺杂元素为Mg，其中，0＜x＜1。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次层叠在所述衬底上的u-GaN层、n型层、发光层、电子阻挡层和p型层，所述电子阻挡层包括交替层叠设置的至少2层高温子层和至少2层低温子层，所述高温子层为AlxGa1-xN层或InAlxGa1-xN层，所述低温子层为p-GaN层，所述高温子层的生长温度高于所述低温子层的生长温度，所述低温子层的掺杂元素为Mg，其中，0＜x＜1。2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，每层所述高温子层的厚度为2～20nm。3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，每层所述低温子层的厚度为2～20nm。4.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，任意相邻的所述高温子层中的Al组分含量相同或不同。5.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，0＜x＜0.3。6.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述外延...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘华容，万林，胡加辉，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42