温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的u‑GaN层、n型层、发光层、电子阻挡层和p型层，电子阻挡层包括高温子层和低温子层，高温子层为AlxGa1‑xN层或InAlxGa1‑...
该专利属于华灿光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。