一种场效应增强硅基LED电致发光强度的方法及应用技术

本发明专利技术属于LED技术领域，具体涉及一种场效应增强硅基LED电致发光强度的方法及应用。该方法通过将最佳厚度的场效应层i‑Si和Al2O3加入到硅基LED器件中，提高硅光源电荷注入区域中电荷的传输，从而提高硅基LED的电致发光强度，为实现硅基LED的应用化提供有效的支持，通过改变场效应层i‑Si和Al2O3的厚度和两者是否共同作用于LED中，获得硅基LED最佳的电致发光强度。

【技术实现步骤摘要】
一种场效应增强硅基LED电致发光强度的方法及应用
本专利技术属于LED
，具体涉及一种场效应增强硅基LED电致发光强度的方法及应用。
技术介绍
随着人类社会对信息网络的依赖逐渐增加，作为信息产业基础的光电信息产业逐渐成为科学研究和经济生活领域的重点，光电集成已成为继微电子集成之后近二十年来发展最为迅速的高新技术。目前光子集成的思路是把光源，调制器，探测器等有源器件集成在同一衬底上，利用光波导，隔离器，耦合器和滤波器等无源器件将其链接起来，形成完整的集成光路。基于硅的光电集成技术对硅光源，硅基波导和硅基谐振腔提出了迫切的需求。在过去十几年中，科学家们对硅基波导和硅基谐振腔的研究取得了突破性的进展。Rong等人报道了全硅拉曼激光器，利用现有的微电子工艺，硅基波导和谐振腔可以较为容易的制备和调制。然而硅光源的发展依然比较缓慢，尽管硅基材料在诸如制备、表征、调制、波导和耦合等很多方面都已经取得了重大的进步，但是如果没有办法实现高质量高效率的硅基光源，那么全硅光子集成也无异于无米之炊。硅作为一种间接带隙半导体材料，其导带底和价带顶不重合，需要声子参与才能发出荧光，因此其发光很低。直到19本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应增强硅基LED电致发光强度的方法，其特征在于：是将场效应层i‑Si和Al2O3加入到硅基LED器件中。

【技术特征摘要】
1.一种场效应增强硅基LED电致发光强度的方法，其特征在于：是将场效应层i-Si和Al2O3加入到硅基LED器件中。2.根据权利要求1所述的场效应增强硅基LED电致发光强度的方法，其特征在于：是将i-Si加入硅光源薄膜和ITO导电膜之间，将Al2O3加入P-Si和硅光源薄膜之间，用Al作为LED器件的正极，ITO作为LED器件的负极，通过改变场效应层i-Si和Al2O3的厚度和两者是否共同作用于LED中，获得硅基LED最佳的电致发光强度。3.根据权利要求1或2所述场效应增强硅基LED电致发光强度的方法，其特征在于：所述的场效应层i-Si为纯度为99.99％的i-Si。4.根据权利要求1或2所述场效应增强硅基LED电致发光强度的方法，其特征在于：所述的场效应层i-Si，其厚度值为:6-16nm。5.根据权利要求1或2所述场效应增强硅基LED电致发光强度的方法，其特征在于：所述的场效应层Al2O3由纯度为99.99％的Al2O3。6.根据权利要求1或2所述场效应增强硅基LED电致发光强度的方法，其特征在于：所述的最佳厚度的场效应层Al2O3，其厚度值为:10-20nm。7.根据权利要求1或2所述场效应增强硅基LED电致发光强度的方法，其特征在于：所述的硅光源是纯度为99.99％的SiO粉末。8.根据权利要求1或2所述场效应增强硅基LED电致发光强度的方法，其特征在于：所述的硅光源的厚度为40-70nm，由相分离形成的硅纳米晶和SiO2构成。9.根据权利要求1或2所述的场效应增强硅基LED电致发光强度的方法，其特征在于：所述加入场效应层i-Si硅基LED的制备方法包括以下步骤：(1)在p-Si衬底上(大小为10×10×0.5mm3，晶向<100>，电阻率(0.5-1)Ω·cm)，采用电阻热蒸发方法制备SiO粉末，电子束蒸发Si和采用高温相分离方法获得的硅纳米晶；其中SiO层的厚度为2nm，Si层的厚度为1nm，周期为20周期，总的厚度为6...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈家荣，张羽，任达森，
申请(专利权)人：贵州民族大学，
类型：发明
国别省市：贵州,52