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本发明属于LED技术领域，具体涉及一种场效应增强硅基LED电致发光强度的方法及应用。该方法通过将最佳厚度的场效应层i‑Si和Al2O3加入到硅基LED器件中，提高硅光源电荷注入区域中电荷的传输，从而提高硅基LED的电致发光强度，为实现硅基L...
该专利属于贵州民族大学所有，仅供学习研究参考，未经过贵州民族大学授权不得商用。

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