一种3D NAND存储器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种3D NAND存储器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底中形成有公共有源区；刻蚀所述公共有源区所在的衬底，以形成凸台；在所述凸台两侧形成氧化物的填充层；在所述凸台上形成氮化硅层与氧化硅层交替层叠的堆叠层；刻蚀所述堆叠层，在对应于凸台的区域上形成沟道孔，所述沟道孔暴露凸台表面，所述沟道孔用于形成存储区。该方法无需外延生长获得外延结构的制造方法，无需在刻蚀沟道孔之后，在沟道孔的底部外延生长出外延结构，从而，避免氧化硅层凹陷以及外延结构质量缺陷的问题。

A manufacturing method for 3DNAND storage devices

The present invention provides a method for manufacturing a 3D, NAND memory device includes providing a substrate, a common active region formed in the substrate; etching the substrate where the public of the active region, to form a boss; a filling layer is formed on the oxide convex on both sides; forming a silicon nitride layer and oxide layer stack the silicon layers are alternately laminated on the convex table; etching the stacked layer, forming a trench hole corresponding to the convex region, the trench hole exposing the convex surface of the channel hole for forming a storage area. The method does not need the epitaxial growth to obtain the epitaxial structure manufacturing method. Without etching the channel hole, the epitaxial structure is epitaxially grown at the bottom of the channel hole, thereby avoiding the problem of the silicon oxide layer sag and the quality defect of the epitaxial structure.

【技术实现步骤摘要】
一种3DNAND存储器件的制造方法
本专利技术涉及NAND存储器件及其制造领域，特别涉及一种3DNAND存储器件的制造方法。
技术介绍
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，在电子产品中得到了广泛的应用。目前，平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限，为了进一步的提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D结构的NAND存储器。在3DNAND存储器结构中，采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的3DNAND存储器结构。参考图1，在形成3DNAND存储器时，首先，在衬底100上形成氮化硅(SiN)层1101和氧化硅(SiO2)层1102的堆叠层110；而后，在堆叠层110中形成沟道孔(Channelhole)120，在沟道孔的底部通过选择性外延生长(SelectiveEpitaxialGrowth)原位生长外延硅结构130，通常该结构130被称作SEG，而后在外延硅结构130之上形成存储区，该外延结构用于存储区与衬底中的公共有源区连接。为了外延生长工艺的进行，在外延生长该外延硅结构130之前，需要通过清洗工艺去除沟道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中形成有公共有源区；刻蚀所述公共有源区所在的衬底，以形成凸台；在所述凸台两侧形成氧化物的填充层；在所述凸台上形成氮化硅层与氧化硅层交替层叠的堆叠层；刻蚀所述堆叠层，在对应于凸台的区域上形成沟道孔，所述沟道孔暴露凸台表面，所述沟道孔用于形成存储区。

【技术特征摘要】
1.一种3DNAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中形成有公共有源区；刻蚀所述公共有源区所在的衬底，以形成凸台；在所述凸台两侧形成氧化物的填充层；在所述凸台上形成氮化硅层与氧化硅层交替层叠的堆叠层；刻蚀所述堆叠层，在对应于凸台的区域上形成沟道孔，所述沟道孔暴露凸台表面，所述沟道孔用于形成存储区。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述衬底包括外围电路区域和核心存储区域，所述公共有源区位于核心存储区域，所述外围电路区域上形成有CMOS器件，所述外围电路区域的CMOS器件之上形成有覆盖层。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述外围电路区域包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域上的CMOS器件的栅介质层的厚度不同。4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述外围电路区域的衬底低于所述核心存储区域的衬底。5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，形成所述覆盖层，包括：在外围电路区域形成CMOS器件之后，进行覆盖层的淀积；通过刻蚀去除所述核心存储区域上的覆盖层。6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述外围电路区域的沟槽隔离与所述核心存储区域的沟槽隔离一同形成，具体包括：在所述衬底上形成掩膜层...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭帅，吴俊，程媛，郭海峰，王家友，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42