一种预制背面薄膜的应力控制方法及结构技术

本发明专利技术涉及一种预制背面薄膜的应力控制方法及结构，所述方法包括如下步骤：在晶圆的背面形成一层或者多层应力薄膜；在晶圆正面形成半导体器件层；通过间歇性去除或打薄晶圆背面的所述一层或者多层应力薄膜的全部或者一部分使得所述晶圆的弯曲平衡至水平。采用本发明专利技术的预制背面薄膜的应力控制方法及结构能够更好的管控应力变化，使得晶圆在工艺过程中始终处于较小的形变状态，提高工艺能力和质量。

Stress control method and structure of a prefabricated back film

The stress control method and structure of the present invention relates to a prefabricated film on the back, and the method comprises the following steps: the formation of the back surface of the wafer in a layer or multilayer film stress; semiconductor devices formed on the front layer on the wafer; by intermittent removal or thin wafer backside wherein one or more layers of film stress all or make a portion of the wafer to the equilibrium level. The stress control method and structure of the prefabricated backside film can better control and control the stress change, making the wafer always in a smaller deformation state during the process, and improve the process capability and quality.

【技术实现步骤摘要】
一种预制背面薄膜的应力控制方法及结构
本专利技术涉及一种预制背面薄膜的应力控制方法及结构，涉及3DNAND存储器制造

技术介绍
晶圆的翘曲(warpage)程度具有重要的影响。在对晶圆进行烘烤步骤的过程中，晶圆的翘曲将导致覆盖在晶圆上的光刻胶受热不均，因而将最终对CD产生影响。有数据表明，晶圆翘曲将对栅极CD造成31％的偏差，而对接触孔层CD更会造成62％的偏差。除此之外，对于一些特殊的产品，例如背照式CIS(CMOSImageSensor)芯片，在对晶圆背面进行减薄之前，需要将晶圆正面与支撑片键合，因此也对晶圆的翘曲度具有严格的要求。一般的，晶圆发生翘曲时，将在整体上呈现出一种碗状翘曲的状态，即翘曲将导致晶圆的边缘高于其中心，形成碗状，使得晶圆的边缘与水平面之间产生了间隙。通常，我们可通过应力薄膜的沉积来调整晶圆的翘曲度。例如，我们可以在碗状翘曲的晶圆上沉积一层具有压应力的薄膜，例如氮化硅薄膜，利用应力膜产生的应力作用来降低晶圆的翘曲程度。晶圆翘曲的改善程度与沉积的应力膜产生的应力大小正相关。当使用较大压应力的氮化硅薄膜时，晶圆在X轴方向上翘曲的改善程度得到明显提高。但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种预制背面薄膜的应力控制方法，所述方法包括如下步骤：在晶圆的背面形成一层或者多层应力薄膜；在晶圆正面形成半导体器件层；通过间歇性去除或打薄晶圆背面的所述一层或者多层应力薄膜的全部或者一部分使得所述晶圆的弯曲平衡至水平。

【技术特征摘要】
1.一种预制背面薄膜的应力控制方法，所述方法包括如下步骤：在晶圆的背面形成一层或者多层应力薄膜；在晶圆正面形成半导体器件层；通过间歇性去除或打薄晶圆背面的所述一层或者多层应力薄膜的全部或者一部分使得所述晶圆的弯曲平衡至水平。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：通过化学气相沉积(CVD)或者物理气相沉积(PVD)工艺形成所述一层或者多层应力薄膜。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述一层或者多层应力薄膜为氮化硅和/或氧化硅薄膜。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：氮化硅和/或氧化硅薄膜的厚度可为500-2000埃之间。5.根据权利要求3所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚兰，吕震宇，陈俊，胡思平，戴晓望，朱继锋，肖莉红，郑阿曼，鲍琨，杨号号，朱紫晶，罗世金，肖攀，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42