The invention discloses a double mask suppression process, self doping includes forming a first mask on a semiconductor substrate opposite the first surface and the second surface and connected to the first surface and the second surface of the peripheral side wall; the first mask is formed on the surface of the mask and removal in second; the first second above the surface of the mask. According to the process of the double mask can effectively avoid the edge of a semiconductor substrate and back by doping, which reduces the difficulty of making the epitaxial layer, improve the quality of the epitaxial layers, the field of technical personnel can make the temporary back seal in any link process, and can be in process by adjusting the process, flexible the removal of the temporary back seal time.
【技术实现步骤摘要】
一种抑制自掺杂的双层掩膜工艺
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种抑制自掺杂的双层掩膜工艺。
技术介绍
在半导体器件的制作过程中,由于在半导体衬底中形成埋层时,半导体衬底的背面和侧壁边缘易被同时掺入活泼杂质,当采用常规的常压外延制作方法时,进行外延生长的高温会使半导体衬底背面和侧壁边缘被掺杂的活泼杂质从该衬底中逃逸到外延生长气氛中,逃逸出的杂质离子可造成局部甚至整体外延生长气氛异常反型,也势必造成所生长的外延层质量失控,最终造成器件的成品率和性能的下降。现有技术中,本领域的技术人员普遍采用带背封层的半导体衬底来抑制这种自掺杂现象的发生,但是背封层一般为氧化硅或多晶硅,半导体制程中为了制作掺杂窗口会不可避免的使用氧化、腐蚀等工艺,这将会对背封层造成无差别的损伤。为了在氧化、腐蚀过程中保护背封层不被损坏,某些技术人员会不得已采用将硅片翻转并在背面涂布光阻的方法,但这种方法势必会造成硅片上表面的污损,造成潜在的失效风险。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种抑制自掺杂的双层掩膜工艺,其可避免半导体衬底侧壁和背面被掺杂。根据本专利技术提供了一种抑制自掺杂的双层掩膜工艺,包括:在半导体衬底彼此相对的第一表面和第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的周边侧壁上形成第一掩膜;在所述第一掩膜表面形成第二掩膜;以及去除位于所述第一表面上方的所述第二掩膜。优选地,所述第一掩膜为氧化硅,所述第二掩膜为多晶硅。优选地,在去除位于所述第一表面上方的所述第二掩膜的步骤后,还包括:在所述第一表面上的所述第一掩膜中形成掺杂窗口;以及经由所述掺杂窗口在所述半导体衬底中形 ...
【技术保护点】
一种抑制自掺杂的双层掩膜工艺,其特征在于,包括:在半导体衬底彼此相对的第一表面和第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的周边侧壁上形成第一掩膜;在所述第一掩膜表面形成第二掩膜;以及去除位于所述第一表面上方的所述第二掩膜。
【技术特征摘要】
1.一种抑制自掺杂的双层掩膜工艺,其特征在于,包括:在半导体衬底彼此相对的第一表面和第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的周边侧壁上形成第一掩膜;在所述第一掩膜表面形成第二掩膜;以及去除位于所述第一表面上方的所述第二掩膜。2.根据权利要求1所述的抑制自掺杂的双层掩膜工艺,其特征在于,所述第一掩膜为氧化硅,所述第二掩膜为多晶硅。3.根据权利要求2所述的抑制自掺杂的双层掩膜工艺,其特征在于,在去除位于所述第一表面上方的所述第二掩膜的步骤后,还包括:在所述第一表面上的所述第一掩膜中形成掺杂窗口;以及经由所述掺杂窗口在所述半导体衬底中形成埋层,并形成位于所述第一表面、所述第二表面以及所述侧壁上的氧化层。4.根据权利要求3所述的抑制自掺杂的双层掩膜工艺,其特征在于,在形成所述氧化层的步骤后,还包括;去除所述氧化层,以及在所述第一表面上形成外延层。5.根据权利要求4所述的抑制自掺杂的双层掩膜工艺,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:周源,郭艳华,李明宇,张欣慰,
申请(专利权)人:北京燕东微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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