【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了，通过采用磁控溅射在STO衬底上相继沉积LNO3底电极、PZT薄膜和CFO薄膜，并形成a、c电畴共存的PZT薄膜层。本专利技术提供的方法克服了现有技术的不足，操作方法简单，性能稳定，重复性好，且能大幅提高大于100nm的厚光电功能薄膜材料的性能，同时大大降低了生产成本。【专利说明】—种对较厚铁电薄膜实施应力工程用于材料改性的方法
本专利技术涉及一种对大于IOOnm的较厚的铁电薄膜实施“应力工程”，用于材料改性的方法，属于功能薄膜材料
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技术介绍
在薄膜材料中，应力几乎无处不在。尤其在外延薄膜中，应力对薄膜材料性能的影响起着举足轻重的作用。在铁电薄膜材料中，常见研究者们利用应力来增强铁电性能。并且，在当今已经发展为成熟的应力工程。发表在Science和Nature上的代表作完美地展现了应力工程对铁电性能极大的提高，这对所制作成的相关光电，信息，功能器件性能的改善，具有很深的直接意义。然而，薄膜中的应力随着膜厚增加很快地弛豫，直至当膜厚达到临界厚度后，应力效应消失。因而从实际工程应用的角度上来说，应力工程的意义不大。另一...
【技术保护点】
一种对较厚铁电薄膜实施应力工程用于材料改性的方法，其特征在于：通过采用磁控溅射，在STO衬底上相继沉积LNO3底电极、PZT薄膜和CFO薄膜，并形成a、c电畴共存的PZT薄膜层；具体由以下2个步骤组成：步骤1：溅射靶的制备步骤1.1：LNO陶瓷靶用纯度为99.9％La2O3和Ni2O3粉末按1∶1的La、Ni原子比混合研磨后压制成块体，高温烧结，制成LaNiO3陶瓷靶；步骤1.2：PZT陶瓷靶由PbO、ZrO2和TiO2粉末均匀混合，压制成形，最后烧结而成；步骤1.3：CFO陶瓷靶由CoO和Fe2O3粉末均匀混合研磨后压制成形，最后高温烧结，制成CoFe2O4陶瓷靶；步骤2...
【技术特征摘要】
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