The present invention provides a magnetron sputtering device that can effectively suppress the deviation of the thickness distribution of the film in a simple structure. Magnetron sputtering apparatus of the present invention (SM) has a vacuum chamber (1) and in the vacuum chamber detachably the cathode unit (C), the cathode unit is arranged in the vacuum chamber toward the target (2) and configuration on the target back to the side and sputtering magnet unit leakage magnetic field in the sputtering side (4), also has in the sputtering target and process of substrate in the vacuum chamber and the target relative configuration (W) of the film, to target center is the driving source of center of rotation of the driving magnet unit (44); consistent with deviation of film produced film formed on the substrate when processing the thickness of the distribution. In the range of vacuum chamber or cathode unit shell (H) on the outer wall of the auxiliary partial set magnet unit in a vacuum chamber leakage magnetic field (5).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁控溅射装置
本专利技术涉及一种磁控溅射装置。
技术介绍
在NAND型闪存这类的新一代半导体器件的制造工艺中,为了形成氧化铝膜等绝缘膜,使用磁控溅射装置。作为磁控溅射装置,已知的装置是:具有真空室和在该真空室中装卸自如的阴极单元,阴极单元具有朝向真空室内设置的靶和配置在靶的背对溅射面的一侧并在溅射面一侧产生漏磁场的磁铁单元,具有在溅射靶并对在真空室内与靶相对配置的处理基板进行成膜期间,以靶中心为旋转中心旋转驱动磁铁单元的驱动源(例如参照专利文献1)。已知在使用这样的磁控溅射装置进行成膜时,设置在真空室中的排气口的位置和气体导入口的位置会导致在处理基板上形成的薄膜的薄膜厚度分布上产生偏差。在新一代的半导体器件中,要求将薄膜厚度面内分布控制在例如不到1%,为了满足该要求,重要的是如何抑制薄膜厚度分布的偏差。此时,可以考虑构成为使磁铁单元的磁铁向一个方向自如地移动。但存在装置构造复杂化的问题。现有技术文献专利文献【专利文献1】专利公开平成5-209268号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题基于上述认知,本专利技术要解决的技术问题是提供一种能以简单的结构有效地抑制薄膜厚度分布的偏差的磁控溅射装置。解决技术问题的手段为解决上述技术问题,本专利技术的磁控溅射装置具有真空室和在该真空室中装卸自如的阴极单元,阴极单元具有朝向真空室内设置的靶和配置在靶的背对溅射面的一侧并在溅射面一侧产生漏磁场的磁铁单元,所述磁控溅射装置的特征在于:具有在溅射靶并对在真空室内与靶相对配置的处理基板进行成膜期间,以靶中心为旋转中心旋转驱动磁铁单元的驱动源,与在所述处理基板上形成薄膜时产生 ...
【技术保护点】
一种磁控溅射装置,其具有真空室和在该真空室中装卸自如的阴极单元,阴极单元具有朝向真空室内设置的靶和配置在靶的背对溅射面的一侧并在溅射面一侧产生漏磁场的磁铁单元,还具有在溅射靶并对在真空室内与靶相对配置的处理基板进行成膜期间,以靶中心为旋转中心旋转驱动磁铁单元的驱动源,所述磁控溅射装置的特征在于:与在所述处理基板上形成薄膜时产生的薄膜厚度分布的偏差的方位相同地在真空室或阴极单元的外壳的外壁上局部设置使漏磁场作用在真空室内的辅助磁铁单元。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.22 JP 2015-1044411.一种磁控溅射装置,其具有真空室和在该真空室中装卸自如的阴极单元,阴极单元具有朝向真空室内设置的靶和配置在靶的背对溅射面的一侧并在溅射面一侧产生漏磁场的磁铁单元,还具有在溅射靶并对在真空室内与靶相对配置的处理基板进行成膜期间,以靶中心为旋转中心旋转驱动磁铁单元的驱动源,所述磁控溅射装置的特征在于:与在所述处理基板上形成薄膜时产生的薄膜厚度分布的偏差的方位相同地在真空室或...
【专利技术属性】
技术研发人员:中村真也,藤井佳词,
申请(专利权)人:株式会社爱发科,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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