一种运用固相反应技术制备Cu/Ti非晶多层膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种利用固相反应技术制备Cu/Ti非晶多层膜的方法。Cu/Ti多层膜由磁控溅射方法制备，利用真空退火工艺对沉积态多层膜进行退火处理，使其发生固相反应。通过控制调制周期和退火温度，实现了Cu/Ti多层膜由晶态结构向非晶态结构转变。本发明专利技术完全不受以往限制人们获得大块非晶态合金的因素的约束，因而适合于大规模工业应用的非晶态合金生产。多层膜固相非晶化反应受两种组元结构差、混合热及多层膜调制周期的大小等因素的影响。本发明专利技术提在选择恰当调制周期的基础上，通过控制真空退火温度来调控多层膜的晶体结构和非晶态结构，从而在相同的组元、相同的周期结构中获得具有不同结构的纳米多层膜，并能实现对其力学性能的调控。

【技术实现步骤摘要】
一种运用固相反应技术制备Cu/Ti非晶多层膜的方法
本专利技术涉及一种利用固相反应技术制备Cu/Ti非晶多层膜的方法。Cu/Ti多层膜由磁控溅射方法制备，利用真空退火工艺对沉积态多层膜进行退火处理，使其发生固相反应。通过控制调制周期和退火温度，实现了Cu/Ti多层膜由晶态结构向非晶态结构转变。
技术介绍
多层膜是一种典型的人工结构材料，可满足具有单一组分薄膜难以满足的应用需求。金属多层膜的优良特性主要体现在力学、电磁学、光学等方面的应用上，在高硬度和耐磨性薄膜、X射线光学、薄膜磁记录等领域有着诱人的应用前景。微电子元器件与封装、微机电系统(MEMS)等频频实现技术突破的同时，多层结构器件的微型化及其服役可靠性也被提出了更高的要求。图1为由A和B两种金属构成的多层膜示意图，金属多层膜是由不同种金属通过交替沉积而形成的。图1中用Λ(Λ＝hA+hB)表示多层膜的调制周期，hA与hB分别代表一个调制周期内A层和B层的厚度。用η＝hA/hB表示调制比，即为两层的厚度比。多层膜在薄膜生长方向上具有周期性的调制结构，这是其最独特的结构特征。非晶多层膜膜与晶态多层膜相比有一系列优点：具有较小的热导和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种运用固相反应技术制备Cu/Ti非晶多层膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)基体的选择与前处理选用Si(100)作为基材，将切割好的硅片依次在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗后将Si片再次放入乙醇中超声清洗，取出Si片后氮气垂直于Si片将表面液体吹干后立刻将Si片放入真空室进行镀覆；(2)磁控溅射Cu/Ti纳米多层膜的制备工艺Si基片放入真空室后，关闭腔体，通入氩气调整真空度至4.2×10

【技术特征摘要】
1.一种运用固相反应技术制备Cu/Ti非晶多层膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)基体的选择与前处理选用Si(100)作为基材，将切割好的硅片依次在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗后将Si片再次放入乙醇中超声清洗，取出Si片后氮气垂直于Si片将表面液体吹干后立刻将Si片放入真空室进行镀覆；(2)磁控溅射Cu/Ti纳米多层膜的制备工艺Si基片放入真空室后，关闭腔体，通入氩气调整真空度至4.2×10-1Pa以下；；用Λ表示多层膜的一个调制周期，周期为5-7nm；Λ＝hA+hB，hA与hB分别代表一个调制周期内A层和B层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱晓莹，张庆，谢凤宽，刘贵民，郑晓辉，孟令东，
申请(专利权)人：中国人民解放军陆军装甲兵学院，
类型：发明
国别省市：北京,11