线路重分布结构的制造方法与线路重分布结构单元技术

本发明专利技术公开了一种线路重分布结构的制造方法与线路重分布结构单元，其制造方法包含以下步骤，形成第一介电层于承载基板上。形成多个导电盲孔于第一介电层中。形成第一线路重分布层于第一介电层上。形成第二介电层于第一介电层。形成多个第一、第二孔洞于第二介电层中，并形成沟渠于第二介电层中，以将第二介电层切分为第一、第二部分，其中第一线路重分布层的第一部分与第一孔洞位于第二介电层的第一部分中，第一线路重分布层的第二部分与第二孔洞位于第二介电层的第二部分中。形成多个导电盲孔于第一、第二孔洞中，并形成第二线路重分布层于第二介电层上。此制造方法能避免整体结构发生翘曲，进而提升结构稳定度。

The manufacturing method of line redistribution structure and the redistribution structure unit of the line

The invention discloses a manufacturing method of line redistribution structure and a line redistribution structure unit, and the manufacturing method comprises the following steps: forming the first dielectric layer on the load bearing substrate. A plurality of conductive blind holes are formed in the first dielectric layer. A redistribution layer of the first line is formed on the first dielectric layer. The second dielectric layer is formed at the first dielectric layer. Forming a plurality of first and second holes on the second dielectric layer, and a trench is formed on the second dielectric layer, the second dielectric layer is divided into the first second parts, the first line of the first part of the re distribution layer and the first dielectric layer is located on the second hole in the first part, the second part of article second a line redistribution layer and the second hole in the second dielectric layer in. A number of conductive blind holes are formed in the first and second holes, and the redistribution layer of the second line is formed on the second dielectric layer. This method can avoid the warping of the whole structure, and then improve the stability of the structure.

【技术实现步骤摘要】
线路重分布结构的制造方法与线路重分布结构单元
本专利技术涉及一种线路重分布结构的制造方法与线路重分布结构单元。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品亦逐渐进入多功能、高性能的研发方向。为满足半导体元件高集成度(Integration)以及微型化(Miniaturization)的要求，线路重分布结构的各项要求亦越来越高。举例来说，线路重分布结构中的线路的线宽与线距(Pitch)要求越来越小，线路重分布结构的整体厚度也希望越小越好。为了进一步改善线路重分布结构的各项特性，相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有较佳特性的线路重分布结构，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域亟需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的一技术方面是在提供一种线路重分布结构的制造方法，以提升线路重分布结构的结构稳定度、布线密度并降低线路重分布结构的厚度与制造成本。根据本专利技术一实施方式，一种线路重分布结构的制造方法包含以下步骤。首先，形成第一介电层于承载基板上。然后，形成多个第一孔洞与多个第二孔洞于第一介电层中。接着，分别形成多个第一导电盲孔与多个第二导电盲孔于第一孔洞与第二孔洞中，并形成第一线路重分布层于第一介电层上，其中第一线路重分布层的第一部分电性连接第一导电盲孔，第一线路重分布层的第二部分电性连接第二导电盲孔。然后，形成第二介电层于第一介电层与第一线路重分布层上。接着，形成多个第三孔洞与多个第四孔洞于第二介电层中，以分别裸露第一线路重分布层的第一部分与第二部分，并形成沟渠于第二介电层中，以裸露第一介电层，且将第二介电层切分为第一部分与第二部分，其中第一线路重分布层的第一部分与第三孔洞位于第二介电层的第一部分中，第一线路重分布层的第二部分与第四孔洞位于第二介电层的第二部分中。然后，分别形成多个第三导电盲孔与多个第四导电盲孔于第三孔洞与第四孔洞中，并形成第二线路重分布层的第一部分于第二介电层的第一部分上与形成第二线路重分布层的第二部分于第二介电层的第二部分上，其中第二线路重分布层的第一部分电性连接第三导电盲孔，第二线路重分布层的第二部分电性连接第四导电盲孔。在本专利技术的一个或多个实施方式中，线路重分布结构的制造方法还包含以下步骤。首先，形成封装层于第二介电层与第二线路重分布层上，且形成封装层于沟渠中。接着，形成多个第五孔洞与多个第六孔洞于封装层中，以分别裸露第二线路重分布层的第一部分与第二部分。然后，分别形成多个第五导电盲孔与多个第六导电盲孔于第五孔洞与第六孔洞中，并形成多个第一导电凸块与多个第二导电凸块于封装层上，其中第一导电凸块电性连接第五导电盲孔，第二导电凸块电性连接第六导电盲孔。接着，移除承载基板。最后，切割第一介电层与在沟渠中的封装层，以形成第一线路重分布结构单元与第二线路重分布结构单元，其中第一线路重分布结构单元包含第一介电层的第一部分、第一导电盲孔、第一线路重分布层的第一部分、第二介电层的第一部分、第三导电盲孔、第二线路重分布层的第一部分、第五导电盲孔、第一导电凸块与封装层的第一部分，第二线路重分布结构单元包含第一介电层的第二部分、第二导电盲孔、第一线路重分布层的第二部分、第二介电层的第二部分、第四导电盲孔、第二线路重分布层的第二部分、第六导电盲孔、第二导电凸块与封装层的第二部分。在本专利技术的一个或多个实施方式中，线路重分布结构的制造方法还包含在移除承载基板后，分别形成多个第一微凸块与多个第二微凸块于裸露于第一介电层的第一导电盲孔与第二导电盲孔上。第一线路结构包含第一微凸块，第二线路结构包含第二微凸块。在本专利技术的一个或多个实施方式中，沟渠还形成于第一介电层中，以裸露承载基板，且将第一介电层切分为第一部分与第二部分。在本专利技术的一个或多个实施方式中，第一孔洞、第二孔洞、第三孔洞与第四孔洞为通过曝光显影形成。在本专利技术的一个或多个实施方式中，第一导电盲孔、第二导电盲孔、第三导电盲孔、第四导电盲孔、第五导电盲孔、第六导电盲孔、第一线路重分布层、第二线路重分布层、第一导电凸块与第二导电凸块为通过电镀形成。在本专利技术的一个或多个实施方式中，封装层为通过压合形成。根据本专利技术另一实施方式，一种线路重分布结构单元，包含第一介电层、多个第一导电盲孔、第一线路重分布层、第二介电层、多个第二导电盲孔、第二线路重分布层、封装层、多个第三导电盲孔、多个导电凸块以及多个微凸块。第一导电盲孔设置于第一介电层中。第一线路重分布层设置于第一介电层上，且电性连接第一导电盲孔。第二介电层设置于第一介电层与第一线路重分布层上。第二导电盲孔设置于第二介电层中，且电性连接第一线路重分布层。第二线路重分布层设置于第二介电层上，且电性连接第二导电盲孔。封装层设置于第二介电层与第二线路重分布层上，其中第二介电层具有相对的第一主表面与第二主表面和连接第一主表面与第二主表面的侧面，第二线路重分布层设置于第一主表面上，封装层包覆第一主表面与侧面。第三导电盲孔设置于封装层中，且电性连接第二线路重分布层。导电凸块设置于封装层上，且分别电性连接第三导电盲孔。微凸块设置于第一介电层相对于第二介电层的一侧，且分别电性连接第一导电盲孔。在本专利技术的一个或多个实施方式中，封装层还设置于未被第二介电层覆盖的第一介电层上，且位于第一介电层上的封装层的厚度大于位于第二介电层上的封装层的厚度。在本专利技术的一个或多个实施方式中，第一介电层与第二介电层为光敏介电材。本专利技术上述实施方式通过形成沟渠而将第二介电层切分为两个部分，因此第二介电层的内应力将较舒缓，因而可以避免整体结构发生翘曲的现象，进而提升结构稳定度。在此同时，第一线路重分布层与第二线路重分布层的线宽、线距可以变得更小而不会影响线路重分布结构的线路稳定度，因而提升线路重分布结构的表现效率。最后，因为第二介电层的内应力较为舒缓，线路重分布结构不需要设置中介层结构，于是大幅减少线路重分布结构的厚度与材料成本，同时因为可以省略与中介层结构相关的组装制程，因此将可以进一步降低制造成本。附图说明图1A至第图1O分别绘示依照本专利技术一实施方式的线路重分布结构的制造方法各步骤的剖面图。图2A、图2B与图2C绘示依照本专利技术另一实施方式的线路重分布结构的制造方法的不同步骤的剖面图。图3绘示依照本专利技术另一实施方式的线路重分布结构单元的剖面图。图4绘示依照本专利技术另一实施方式的线路重分布结构单元的剖面图。具体实施方式以下将以附图说明本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。图1A至图1O分别绘示依照本专利技术一实施方式的线路重分布结构100的制造方法各步骤的剖面图。如图1A所绘示，提供承载基板110。承载基板110的材质可为玻璃。应了解到，以上所举的承载基板110的材质仅为例示，并非用以限制本专利技术，本专利技术所属
的普通技术人员，应视实际需要，弹性选择承载基板110的材质。如图1B所绘示，形成离型膜112于承载基板110上。离型膜112的材质可为乙烯对苯二甲酸酯(PolyethyleneTerephthal本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线路重分布结构的制造方法，其特征在于，包含：形成第一介电层于承载基板上；形成多个第一孔洞与多个第二孔洞于该第一介电层中；分别形成多个第一导电盲孔与多个第二导电盲孔于该等第一孔洞与该等第二孔洞中，并形成第一线路重分布层于所述第一介电层上，其中所述第一线路重分布层的第一部分电性连接该等第一导电盲孔，所述第一线路重分布层的第二部分电性连接该等第二导电盲孔；形成第二介电层于所述第一介电层与所述第一线路重分布层上；形成多个第三孔洞与多个第四孔洞于所述第二介电层中，以分别裸露所述第一线路重分布层的所述第一部分与所述第二部分，并形成沟渠于所述第二介电层中，以裸露所述第一介电层，且将所述第二介电层切分为第一部分与第二部分，其中所述第一线路重分布层的所述第一部分与该等第三孔洞位于所述第二介电层的所述第一部分中，所述第一线路重分布层的所述第二部分与该等第四孔洞位于所述第二介电层的所述第二部分中；以及分别形成多个第三导电盲孔与多个第四导电盲孔于该等第三孔洞与该等第四孔洞中，并形成第二线路重分布层的第一部分于所述第二介电层的第一部分上与形成所述第二线路重分布层的第二部分于所述第二介电层的第二部分上，其中所述第二线路重分布层的所述第一部分电性连接该等第三导电盲孔，所述第二线路重分布层的所述第二部分电性连接该等第四导电盲孔。...

【技术特征摘要】
1.一种线路重分布结构的制造方法，其特征在于，包含：形成第一介电层于承载基板上；形成多个第一孔洞与多个第二孔洞于该第一介电层中；分别形成多个第一导电盲孔与多个第二导电盲孔于该等第一孔洞与该等第二孔洞中，并形成第一线路重分布层于所述第一介电层上，其中所述第一线路重分布层的第一部分电性连接该等第一导电盲孔，所述第一线路重分布层的第二部分电性连接该等第二导电盲孔；形成第二介电层于所述第一介电层与所述第一线路重分布层上；形成多个第三孔洞与多个第四孔洞于所述第二介电层中，以分别裸露所述第一线路重分布层的所述第一部分与所述第二部分，并形成沟渠于所述第二介电层中，以裸露所述第一介电层，且将所述第二介电层切分为第一部分与第二部分，其中所述第一线路重分布层的所述第一部分与该等第三孔洞位于所述第二介电层的所述第一部分中，所述第一线路重分布层的所述第二部分与该等第四孔洞位于所述第二介电层的所述第二部分中；以及分别形成多个第三导电盲孔与多个第四导电盲孔于该等第三孔洞与该等第四孔洞中，并形成第二线路重分布层的第一部分于所述第二介电层的第一部分上与形成所述第二线路重分布层的第二部分于所述第二介电层的第二部分上，其中所述第二线路重分布层的所述第一部分电性连接该等第三导电盲孔，所述第二线路重分布层的所述第二部分电性连接该等第四导电盲孔。2.如权利要求1所述的线路重分布结构的制造方法，其特征在于，还包含：形成封装层于所述第二介电层与第二线路重分布层上，且形成所述封装层于所述沟渠中；形成多个第五孔洞与多个第六孔洞于所述封装层中，以分别裸露所述第二线路重分布层的所述第一部分与所述第二部分；分别形成多个第五导电盲孔与多个第六导电盲孔于该等第五孔洞与该等第六孔洞中，并形成多个第一导电凸块与多个第二导电凸块于所述封装层上，其中该等第一导电凸块电性连接该等第五导电盲孔，该等第二导电凸块电性连接该等第六导电盲孔；移除所述承载基板；以及切割所述第一介电层与在所述沟渠中的所述封装层，以形成第一线路重分布结构单元与第二线路重分布结构单元，其中所述第一线路重分布结构单元包含所述第一介电层的第一部分、该等第一导电盲孔、所述第一线路重分布层的该第一部分、该第二介电层的该第一部分、该等第三导电盲孔、所述第二线路重分布层的所述第一部分、该等第五导电盲孔、该等第一导电凸块与所述封装层的第一部分，所述第二线路重分布结构单元包含所述第一介电层的第二部分、该等第二导电盲孔、所述第一线路重分布层的所述第二部分、所述第二介电层的所述第二部分、该等第四导电盲孔、所述第二线路重分...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈裕华，柯正达，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71