一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，包括自下而上依次设置的基板、有源层和包层，包层中设置有光栅层，激光器芯片的左右两端分别设置有抗反射镀膜层和高反射镀膜层，设定一个光栅周期包括自左向右依次设置的0.25个周期的Inp、0.5个周期的InGaAsP和0.25个周期的Inp，光栅连续排布形成光栅层，光栅层靠近高反射镀膜层一端的侧面与光栅周期零点之间的距离为0.1个光栅周期～0.25个光栅周期，在此距离范围内芯片的SMSR最大，从而提高了芯片的SMSR特性，从而大幅提高芯片良率，且此结构的工艺技术简单，稳定，成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构
本技术属于半导体激光芯片
，具体涉及一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构。
技术介绍
分布式反馈激光器(DistributedFeedbackLaserDiode,DFB-LD)芯片是实现高速移动通讯的核心器件，DFB激光器芯片的激光振荡是依靠沿纵向等间隔分布的光栅所形成的光耦合，当电流注入激光器芯片后，有源层内电子空穴复合，辐射出能量相应的光子，这些光子将受到有源层表面每一条光栅的反射，在布拉格分布反馈的DFB激光器芯片中，那些满足特定波长的光才会受到强烈反射，从而实现动态单纵模工作。DFB激光器芯片的光栅使用磷化铟-铟镓砷磷-磷化铟(InP-InGaAsP-InP)结构，采用气相外延和光刻技术制作InGaAsP材质的光栅，在激光器芯片制作的过程中，需要使用切割技术将晶圆切割成一定谐振腔长度的芯片，则切割断面会随机停留在光栅的InGaAsP或者InP处，从而产生不同的SMSR特性值。芯片制作工艺中，会在芯片两端蒸镀两种膜层，高反射膜层HR(High-Reflection,HRFilm)和抗反射膜层AR(Anti-Reflection,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，其特征在于，包括自下而上依次设置的基板(1)、有源层(2)和包层(4)，包层(4)中设置有光栅层(3)，激光器芯片的左右两端分别设置有抗反射镀膜层(8)和高反射镀膜层(7)，设定一个光栅周期包括自左向右依次设置的0.25个周期的Inp、0.5个周期的InGaAsP和0.25个周期的Inp，光栅连续排布形成光栅层(3)，光栅层(3)靠近高反射镀膜层(7)一端的侧面与光栅周期零点之间的距离为0.1个光栅周期～0.25个光栅周期。

【技术特征摘要】
1.一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，其特征在于，包括自下而上依次设置的基板(1)、有源层(2)和包层(4)，包层(4)中设置有光栅层(3)，激光器芯片的左右两端分别设置有抗反射镀膜层(8)和高反射镀膜层(7)，设定一个光栅周期包括自左向右依次设置的0.25个周期的Inp、0.5个周期的InGaAsP和0.25个周期的Inp，光栅连续排布形成光栅层(3)，光栅层(3)靠近高反射镀膜层(7)一端的侧面与光栅周期零点之间的距离为0.1个光栅周期～0.25个光栅周期。2.根据权利要求1所述的一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，其特征在于，所述包层(4)上端开设有贯穿激光器芯片的台阶形的缺口，台阶形的缺口的第一台阶的内侧面为HR端光栅处切割断面(10),台阶形的缺口的第二台阶的内侧面为包层处切割断面(11)，HR端光栅处切割断面(10)与光栅周期零点之间的距离为0.1个光栅周期～0.25个光栅周期。3.根据权利要求2所述的一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，其特征在于，所述台阶形的缺口的长度Ls为5μm～10μm，台阶形的缺口的高度Da为2μm～5μm，台...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海超，潘彦廷，罗俊岗，王兴，师宇晨，刘从军，
申请(专利权)人：陕西源杰半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61