表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器制造技术

表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有DFB‑LD在波长稳定性、线宽以及输出功率方面未能很好地兼顾。本发明专利技术之表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于边发射LD，下电极位于基条下表面，脊条位于基条上表面，上电极位于脊条上表面，基条自下而上包括衬底、N‑限制层、N‑波导层、有源区、P‑波导层，脊条自下而上包括P‑限制层、重掺杂接触层，脊条窄于基条；其特征在于，脊条属于宽条型，上电极在脊条长边方向上短于脊条，在脊条上表面两端刻蚀有表面介质光栅，在脊条两个侧面刻蚀有侧面介质光栅。该大功率分布反馈半导体激光器的温漂系数为0.062nm/K，线宽为0.8nm，连续输出功率为2W。

High power distributed feedback semiconductor laser with surface and side dielectric grating modulation

Large power distributed feedback semiconductor laser with surface and side dielectric grating modulation belongs to the field of semiconductor laser technology. The existing DFB LD in wavelength stability, linewidth and output power failure to properly account. The invention of the high power surface and the side of the dielectric grating modulated distributed feedback semiconductor laser belongs to the edge emission of LD, the lower electrode is positioned on the base under the surface, ridge is at the base of a surface on the electrode is located on the ridge on the surface of the model comprises a substrate, layer, N N limit waveguide layer, an active region, P ridge waveguide layer, P layer, including restrictions on bottom-up heavily doped contact layer, a narrow ridge on the base; which is characterized in that the ridge belongs to the wide type, the upper electrode in the longitudinal direction of short ridge to ridge, the ridge on the surface of both ends of etched surface medium gratings, a in the side of dielectric grating ridge two side etching. The temperature drift coefficient of the high-power distributed feedback semiconductor laser is 0.062nm/K, the line width is 0.8nm, and the continuous output power is 2W.

【技术实现步骤摘要】
表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器
本专利技术涉及一种表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器，属于半导体激光器

技术介绍
在LD(半导体激光器)的许多应用领域，对LD的波长稳定性、线宽以及功率都有很高的要求。例如，DPSSL(二极管泵浦固体激光器)以半导体激光器(LD)为泵浦源，具有体积小、寿命长、光光转换效率高、便于模块化和可电激励等特点，例如，采用808nmLD泵浦Nd:YAG或者Nd:YVO4固体激光器，采用915nm/940nmLD泵浦Yb:YAG固体激光器，采用980nmLD泵浦掺铒光纤放大器或掺铒光纤激光器。然而，由于LD的波长稳定性差，约为0.3nm/K，也就是说发光波长会随温度的变化而发生明显变化，以及LD的谱线较宽，约为2～3nm，不利于激光晶体的吸收，光输出功率高更是作为泵浦源的基本要求。与本专利技术更为相关的LD为边发射LD，如图1所示，下电极1位于基条2下表面，脊条3位于基条2上表面，上电极4位于脊条3上表面，基条2自下而上包括衬底、N-限制层、N-波导层、有源区、P-波导层，脊条3自下而上包括P-限制层、重掺杂接触层，脊本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器，属于边发射LD，下电极(1)位于基条(2)下表面，脊条(3)位于基条(2)上表面，上电极(4)位于脊条(3)上表面，基条(2)自下而上包括衬底、N‑限制层、N‑波导层、有源区、P‑波导层，脊条(3)自下而上包括P‑限制层、重掺杂接触层，脊条(2)窄于基条(2)；其特征在于，脊条(3)属于宽条型，上电极(4)在脊条(3)长边方向上短于脊条(3)，在脊条(3)上表面两端刻蚀有表面介质光栅(7)，在脊条(3)两个侧面刻蚀有侧面介质光栅(8)。

【技术特征摘要】
1.一种表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器，属于边发射LD，下电极(1)位于基条(2)下表面，脊条(3)位于基条(2)上表面，上电极(4)位于脊条(3)上表面，基条(2)自下而上包括衬底、N-限制层、N-波导层、有源区、P-波导层，脊条(3)自下而上包括P-限制层、重掺杂接触层，脊条(2)窄于基条(2)；其特征在于，脊条(3)属于宽条型，上电极(4)在脊条(3)长边方向上短于脊条(3)，在脊条(3)上表面两端...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝永芹，马晓辉，李杨，晏长岭，徐莉，冯源，谢检来，张昕，岳光礼，张晶，王志伟，王霞，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：吉林,22