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本实用新型公开了一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，包括自下而上依次设置的基板、有源层和包层，包层中设置有光栅层，激光器芯片的左右两端分别设置有抗反射镀膜层和高反射镀膜层，设定一个光栅周期包括自左向右依次设置的0.25个周期的Inp、0...该专利属于陕西源杰半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西源杰半导体技术有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，包括自下而上依次设置的基板、有源层和包层，包层中设置有光栅层，激光器芯片的左右两端分别设置有抗反射镀膜层和高反射镀膜层，设定一个光栅周期包括自左向右依次设置的0.25个周期的Inp、0...