激光器的侧边耦合光栅及其制备方法、包含其的激光器技术

一种激光器的侧边耦合光栅的制备方法，包括步骤1：刻蚀制备激光器脊条波导，在脊条波导样品上做好电子束光刻对准标记并涂上光刻胶；步骤2：对涂上光刻胶的脊条波导两侧进行初步电子束曝光；步骤3：确定电子束曝光后的光栅掩膜与脊条波导的距离偏差，并在光栅版图中修正这一偏差；步骤4：利用修正的光栅版图对样品进行正式电子束曝光并显影；步骤5：溅射金属并进行剥离，形成侧边耦合光栅。通过该制备方法，能够制备紧靠脊条波导的完美反馈光栅，为激光器的分布反馈选模提供良好的结构基础，并减少了电子束曝光的时间，降低成本。

Side coupled grating of laser and its preparation method and laser including it

A laser side coupling grating preparation method comprises the following steps: 1, preparation of laser etching ridge waveguide, good electron beam lithography alignment mark and coated with photo resist in ridge waveguide samples; step 2: ridge waveguide on both sides of the photoresist coated on initial electron beam exposure step; 3: determine the distance deviation of the electron beam exposure after grating mask and ridge waveguide, and rectify the deviation in the grating layout; step 4: use the grating layout correction for the sample of formal electron beam exposure and development; step 5: stripping sputtering metal and form the side coupling grating. By this method, perfect feedback gratings close to the ridge waveguide can be fabricated, which provides a good structure foundation for the distributed feedback mode selection of the laser, and reduces the time of electron beam exposure and reduces the cost.

【技术实现步骤摘要】
激光器的侧边耦合光栅及其制备方法、包含其的激光器
本专利技术涉及半导体技术及纳米加工领域，进一步涉及一种侧边耦合激光器金属光栅的制备方法，以及依照该制备方法所制成的光栅，以及包含该光栅的激光器。
技术介绍
半导体激光器由于体积小、成本低、易于集成等优点，在很多领域都有广泛的应用，如空间通信、气体探测、激光对抗等。尤其是中红外2～5μm波段的半导体激光器受到越来越多的关注，这是由于2～5μm是非常重要的大气窗口，许多气体分子的吸收特征谱线都在这个波段内，因此对于大气监测、矿井瓦斯气体探测等民用项目中有很大的应用潜力，利用这个波段的半导体激光器制备的可调谐激光器大气光谱技术(TunableDiodeLaserAtmosphereSpectrum，简称TDLAS)对各种气体进行监测。而在这个波段的半导体激光器工作材料的选择上，锑化物的带隙正好覆盖了1.7～4.4μm的波段，因此锑化物量子阱激光器已经成为这一波段最热门的研究对象。对于气体探测的应用，由于各种气体分子的吸收谱线相隔很近有所交叠，因此为了精确检测，对激光器的光谱有很高的要求，需要有很窄的光谱宽度，且单模激射，而对激光器的功率要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光器的侧边耦合光栅的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1：刻蚀制备激光器脊条波导，在所述脊条波导上做好电子束光刻对准标记并涂上光刻胶；步骤2：对涂上光刻胶的脊条波导两侧进行初步电子束曝光；步骤3：确定电子束曝光后的光栅掩膜与脊条波导的距离偏差，并在光栅版图中修正这一偏差；步骤4：利用修正的光栅版图对样品进行正式电子束曝光并显影；步骤5：溅射金属并进行剥离，形成侧边耦合光栅。

【技术特征摘要】
1.一种激光器的侧边耦合光栅的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1：刻蚀制备激光器脊条波导，在所述脊条波导上做好电子束光刻对准标记并涂上光刻胶；步骤2：对涂上光刻胶的脊条波导两侧进行初步电子束曝光；步骤3：确定电子束曝光后的光栅掩膜与脊条波导的距离偏差，并在光栅版图中修正这一偏差；步骤4：利用修正的光栅版图对样品进行正式电子束曝光并显影；步骤5：溅射金属并进行剥离，形成侧边耦合光栅。2.如权利要求1所述的侧边耦合激光器光栅的制备方法，其特征在于，所述的激光器脊条波导是通过干刻蚀法形成，脊条波导的宽度为3～5μm。3.如权利要求1所述的激光器的侧边耦合光栅的制备方法，其特征在于，步骤2中的电子束曝光对准标记采用接触式紫外光刻制备。4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐云，宋玉志，宋甲坤，张祖银，陈良惠，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11