半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件，实现半导体芯片的缩小化，从而实现半导体器件的小型化。QFP中的半导体芯片的接合焊盘(4c)在其露出部(4ca)具有由连结角部(4n)与第一点(4q)的第一线段(4u)、连结角部(4n)与第二点(4r)的第二线段(4v)、连结第一点(4q)与第二点(4r)且朝向角部(4n)成为凸状的圆弧(4w)构成的连接柱配置区域(4x)。进而，在俯视接合焊盘(4c)时，连接柱(4h)的至少一部分与连接柱配置区域(4x)重叠配置。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术涉及例如具有连接有导电性导线的电极焊盘的半导体器件。
技术介绍
半导体器件随着其小型化及低成本化的发展，半导体芯片的电极焊盘附近的构造也被期望实现小型化。另一方面，从半导体器件的多功能化出发，电极焊盘的数量有增加的趋势。近年来，多使用将半导体芯片内的下层布线和电极焊盘经由连接柱(via)电连接的构造。此外，在例如日本特开2002-16069号公报(专利文献1)及日本特开平11-126790号公报(专利文献2)中，公开了将半导体芯片的电极焊盘和下层布线经由连接柱电连接的构造。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-16069号公报专利文献2：日本特开平11-126790号公报如上述半导体器件那样，在将电极焊盘和下层布线经由连接柱电连接的构造中，为了降低连接柱部分的电阻，需要增大连接柱直径。另外，因溅射的被覆性的影响而在连接柱上的电极焊盘的表面上形成有凹部(层差、洼部)。当在形成有该凹部的电极焊盘的区域进行导线接合时，无法确保导线接合的连接强度，因此，作为该对策，考虑将连接柱使用引出布线而引出到规定电极焊盘的绝缘膜的开口部的外侧的位置来进行配置。但是，该构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体芯片，其具有电极焊盘；以及导电性导线，其包括与所述电极焊盘电连接的导线连接部，所述半导体芯片具有：下层布线，其形成于所述电极焊盘的下层；第一绝缘膜，其覆盖所述下层布线；导体连接部，其配置于所述下层布线上方，并且被埋入形成于所述第一绝缘膜的第一开口部，且与所述下层布线电连接；以及第二绝缘膜，其覆盖所述电极焊盘的一部分，且形成有规定所述电极焊盘的露出部的第二开口部，所述电极焊盘和所述导体连接部形成为一体，所述第二开口部具有沿着相邻的两个边中的一边的第一虚拟线与沿着另一边的第二虚拟线交叉的交点、位于与所述交点相距所述导线连接部的俯视时的半径的距离处的所述第一虚...

【技术特征摘要】
2016.06.27 JP 2016-1269311.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体芯片，其具有电极焊盘；以及导电性导线，其包括与所述电极焊盘电连接的导线连接部，所述半导体芯片具有：下层布线，其形成于所述电极焊盘的下层；第一绝缘膜，其覆盖所述下层布线；导体连接部，其配置于所述下层布线上方，并且被埋入形成于所述第一绝缘膜的第一开口部，且与所述下层布线电连接；以及第二绝缘膜，其覆盖所述电极焊盘的一部分，且形成有规定所述电极焊盘的露出部的第二开口部，所述电极焊盘和所述导体连接部形成为一体，所述第二开口部具有沿着相邻的两个边中的一边的第一虚拟线与沿着另一边的第二虚拟线交叉的交点、位于与所述交点相距所述导线连接部的俯视时的半径的距离处的所述第一虚拟线上的第一点、以及位于与所述交点相距所述半径的距离处的所述第二虚拟线上的第二点，还具有由连结所述交点与所述第一点的第一线段、连结所述交点与所述第二点的第二线段、以及连结所述第一点与所述第二点且朝向所述交点成为凸状的圆弧构成的第一区域，所述导线连接部与所述电极焊盘的所述第二开口部中的与所述第一区域不同的第二区域连接，形成于所述导体连接部上的所述电极焊盘的表面的凹部的至少一部分在俯视时与所述第一区域重叠。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导体连接部在俯视时跨过所述第一区域、和所述第一区域的外侧的形成有所述第二绝缘膜的绝缘膜区域而配置。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导体连接部在俯视时配置于所述第一区域。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电性导线由以铜为主成分的材料构成。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电极焊盘由以铜为主成分的材料构成。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电极焊盘由以铝为主成分的材料构成。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述电极焊盘与所述导线...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本雅弘，矢岛明，前川和义，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP