一种类岛状电子传输的薄膜晶体管制造技术
A kind of island shaped electron transport thin film transistors
The utility model belongs to the technical field of thin film transistors, and discloses a kind of thin film transistors with island shaped electronic transmission. The gate, the gate of the thin film transistors are sequentially arranged on the substrate by an insulating layer, an active layer and a source electrode and the drain electrode; the active layer is non laminated structure Island continuous TCO films and low carrier concentration in the material composition of the film, the low carrier concentration films connecting adjacent two class TCO island films to form a conductive channel. The discontinuous island like TCO thin film can effectively reduce its electrical conductivity, while the low carrier film connects two adjacent TCO films, enabling electrons to be effectively transported between adjacent grains and maintain an ideal off state current.
【技术实现步骤摘要】
一种类岛状电子传输的薄膜晶体管
本技术属于薄膜晶体管
，具体涉及一种类岛状电子传输的薄膜晶体管。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)，是一种用途广泛的半导体器件，其最重要的用途是在显示器中用于驱动液晶排列变化、以及驱动OLED像素发光。薄膜晶体管通过栅极电压来控制有源层半导体的载流子，从而实现器件的开或关态。当器件处于开态时，高的载流子浓度，有利于填充陷阱态，从而实现高的迁移率。然而，当器件处于关态时，关态电流主要来自：有源层电流和绝缘层漏电流。其中，有源层电流与载流子的浓度成正比。作为有源层材料，过高的载流子浓度会导致关态电流太高，TFT甚至处于一个“always-on”态，无法正常工作。透明导电氧化物(简称，TCO)薄膜具有非常好的透明度和热稳定性，是非常重要电子器件材料。然而，TCO具有非常高的载流子浓度，难以直接用于有源层。为了解决这个问题，目前主流的方法是，通过重掺杂抑制载流子的元素，来有效的控制载流子浓度。例如，掺杂超过5wt.％Al2O3的ZnO。这种方式会增加填隙Al离子，极大的增强杂质离子散射，降低迁移...
【技术保护点】
一种类岛状电子传输的薄膜晶体管，由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；其特征在于：所述有源层为非连续的类岛状TCO薄膜和低载流子浓度材料薄膜组成的叠层结构，其中低载流子浓度材料薄膜连接相邻两个类岛状TCO薄膜，形成一个导电通道。
【技术特征摘要】
1.一种类岛状电子传输的薄膜晶体管，由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；其特征在于：所述有源层为非连续的类岛状TCO薄膜和低载流子浓度材料薄膜组成的叠层结构，其中低载流子浓度材料薄膜连接相邻两个类岛状TCO薄膜，形成一个导电通道。2.根据权利要求1所述的一种类岛状电子传输的薄膜晶体管，其特征在于：...
【专利技术属性】
技术研发人员：宁洪龙，曾勇，姚日晖，郑泽科，章红科，徐苗，王磊，彭俊彪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东,44
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