The utility model discloses a microwave amplifier, the microwave amplification device comprises an amplification circuit and microwave circuit matching, microwave amplifier circuit includes at least one high electron mobility transistor, each high electron mobility transistor includes a substrate; a substrate on the semiconductor layer, wherein the semiconductor layer includes a semiconductor active region. The interface layer includes the heterogeneous structure, formation of two-dimensional electron gas, a groove is formed in the semiconductor layer on the gate region, and the groove below the semiconductor layer thickness is greater than the thickness of reinforced type transistor meet conditions; in the semiconductor layer on both ends of the source and drain, source or drain and microwave amplifying circuit output terminal connection; located in the first dielectric layer in the groove of the floating gate is located; the first dielectric layer; a second dielectric layer coated floating gate dielectric layer and the first dielectric layer is located on the second; On the control grid, the control grid is electrically connected with the matching circuit. The utility model provides a microwave amplification device with low noise, high power and high efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种微波放大器件
本技术涉及信号处理
,尤其涉及一种微波放大器件。
技术介绍
第三代宽禁带半导体材料因其优异的性能得到了飞速发展。由于AlGaN/GaN异质结压电极化和自发极化作用,半导体氮化镓的异质结构的沟道具有高电子(二维电子气)浓度、高电子迁移率及高电子饱和速度。目前,氮化镓高电子迁移率晶体管包括耗尽型器件和增强型两种。氮化镓高电子迁移率晶体管属于平面沟道场效应晶体管。该器件工作原理上不同于MESFET和MOSFET的主要之处是:氮化镓高电子迁移率晶体管源漏间导电沟道是器件结构中自然形成的二维电子气(Two-dimensionalelectrongas,2DEG),而MESFET是掺杂薄层,MOSFET是场致反型层。在氮化镓高电子迁移率晶体管中,可通过调整栅极电压来改变2DEG的电子浓度,从而控制器件的工作状态。
技术实现思路
有鉴于此,本技术的目的是提出一种微波放大器件,采用高电子迁移率晶体管,以提供一种低噪声、高功率及高效率的微波放大器件,有利于微波发射机向小型化、轻量化和节能化的方向发展。为实现上述目的,本技术采用如下技术方案:本技术实施例提供了一种微波放大器件,包括匹配电路和微波放大电路,所述微波放大电路包括至少一个高电子迁移率晶体管,每个所述高电子迁移率晶体管包括:衬底;位于所述衬底上的半导体层,其中,所述半导体层包括有源区,所述有源区包括源区、漏区及源区与漏区之间的栅区,所述半导体层包括异质结构,异质界面形成二维电子气,所述栅区的半导体层上形成有凹槽,且所述凹槽下方半导体层的厚度大于满足增强型晶体管条件的厚度;位于所述半导体层上两端的源极和 ...
【技术保护点】
一种微波放大器件,其特征在于,包括匹配电路和微波放大电路,所述微波放大电路包括至少一个高电子迁移率晶体管,每个所述高电子迁移率晶体管包括:衬底;位于所述衬底上的半导体层,其中,所述半导体层包括有源区,所述有源区包括源区、漏区及源区与漏区之间的栅区,所述半导体层包括异质结构,异质界面形成二维电子气,所述栅区的半导体层上形成有凹槽,且所述凹槽下方半导体层的厚度大于满足增强型晶体管条件的厚度;位于所述半导体层上两端的源极和漏极,且所述源极位于所述源区上,所述漏极位于所述漏区上,所述源极或所述漏极与微波放大电路输出端电连接;位于所述凹槽中的第一介质层;位于所述第一介质层上的浮栅,用于存储电子,得到增强型高电子迁移率晶体管;包覆所述浮栅和所述第一介质层的第二介质层;位于所述第二介质层上的控制栅,所述控制栅与所述匹配电路电连接。
【技术特征摘要】
1.一种微波放大器件,其特征在于,包括匹配电路和微波放大电路,所述微波放大电路包括至少一个高电子迁移率晶体管,每个所述高电子迁移率晶体管包括:衬底;位于所述衬底上的半导体层,其中,所述半导体层包括有源区,所述有源区包括源区、漏区及源区与漏区之间的栅区,所述半导体层包括异质结构,异质界面形成二维电子气,所述栅区的半导体层上形成有凹槽,且所述凹槽下方半导体层的厚度大于满足增强型晶体管条件的厚度;位于所述半导体层上两端的源极和漏极,且所述源极位于所述源区上,所述漏极位于所述漏区上,所述源极或所述漏极与微波放大电路输出端电连接;位于所述凹槽中的第一介质层;位于所述第一介质层上的浮栅,用于存储电子,得到增强型高电子迁移率晶体管;包覆所述浮栅和所述第一介质层的第二介质层;位于所述第二介质层上的控制栅,所述控制栅与所述匹配电路电连接。2.根据权利要求1所述的微波放大器件,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋苓利,李涛,王宁,于洪宇,陈朗,
申请(专利权)人:南方科技大学,
类型:新型
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。