电子器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电子器件，该电子器件包括衬底、绝缘结构以及第一锚，所述第一锚包括延伸到所述绝缘材料中的所述衬底的一部分或延伸到所述衬底中的所述绝缘材料的一部分。本实用新型专利技术用于电子器件领域。本实用新型专利技术的技术效果是电子器件得到了进一步的改进，设计变得更加灵活并且设备生产量更高。

Electronic device

The utility model discloses an electronic device, which comprises a substrate, an insulation structure and a first anchor. The first anchor comprises a part of the substrate extending to the insulating material or a part of the insulating material extended to the substrate. The utility model is used in the field of electronic devices. The technical effect of the utility model is that the electronic device has been further improved, the design becomes more flexible and the production of the equipment is higher.

【技术实现步骤摘要】
电子器件
本公开涉及包括绝缘结构的电子器件以及形成这种电子器件的工艺。
技术介绍
隔离结构用来控制可存在于管芯的高电场。隔离结构可包括交替的n型区和p型区、绝缘层或它们的组合。交替的区域可限制电子器件的设计灵活性。在另一实施方案中，可使用两个绝缘层和单个掩模来形成大的隔离区。大的隔离区可能需要沉积大量绝缘材料并且限制设备生产量。人们期望的是电子器件的进一步改进、设计的灵活性以及高的设备生产量。
技术实现思路
本技术的一个方面的目的是提供一种电子器件。一种电子器件，包括衬底、绝缘结构；以及第一锚，所述第一锚包括延伸到所述绝缘结构中的所述衬底的一部分或延伸到所述衬底中的所述绝缘结构的一部分。优选地，所述绝缘结构具有第一侧和与其相对的第二侧，其中，所述第一侧包括所述第一锚，所述第二侧不包括锚。优选地，所述第一锚是所述衬底的所述一部分并具有第一导电类型；并且所述衬底包括主体部分和相邻部分，所述第一锚从所述相邻部分延伸，其中，所述相邻部分具有所述第一导电类型并且设置在所述主体部分与所述第一锚之间，并且所述主体部分具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。优选地，所述衬底包括第一主体部分、第二主体部分和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，其特征在于，包括：衬底；绝缘结构；以及第一锚，所述第一锚包括延伸到所述绝缘结构中的所述衬底的一部分或延伸到所述衬底中的所述绝缘结构的一部分。

【技术特征摘要】
2015.09.17 US 62/219,779;2016.08.30 US 15/252,0091.一种电子器件，其特征在于，包括：衬底；绝缘结构；以及第一锚，所述第一锚包括延伸到所述绝缘结构中的所述衬底的一部分或延伸到所述衬底中的所述绝缘结构的一部分。2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述绝缘结构具有第一侧和与其相对的第二侧，其中，所述第一侧包括所述第一锚，所述第二侧不包括锚。3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于：所述第一锚是所述衬底的所述一部分并具有第一导电类型；并且所述衬底包括主体部分和相邻部分，所述第一锚从所述相邻部分延伸，其中，所述相邻部分具有所述第一导电类型并且设置在所述主体部分与所述第一锚之间，并且所述主体部分具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于：所述衬底包括第一主体部分、第二主体部分和第二锚；所述绝缘结构具有第一侧和与其相对的第二侧；所述第一锚从所述衬底的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·M·格里瓦纳，S·M·埃特尔，铃木弘之，一柳干，八柳俊祐，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国,US