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本实用新型属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种类岛状电子传输的薄膜晶体管。所述薄膜晶体管由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；所述有源层为非连续的类岛状TCO薄膜和低载流子浓度材料薄膜组成的叠层结构，其中低载流子浓度材料薄...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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