一种LTPS的制备工艺制造技术

本发明专利技术公开一种LTPS的制备工艺，使用正硅酸乙酯来制备LTPS中的SiOX膜层，具体步骤为将正硅酸乙酯与弱酸溶液混合，制成溶胶，再将溶胶涂覆并形成SiOX膜层；适当加厚栅极绝缘层的SiOX层并去掉该层的SiNX。由于TEOS所制备SiOX膜质更加致密而且不含有氮成分，使得与多晶硅层界面接触后界面缺陷减少，不会造成过大的平带电压漂移；并且由于栅极绝缘层结构改变和膜质的改变，Contect Hole只需简单分为氧化硅和氮化硅刻蚀，且通过改变刻蚀气体比例等工艺参数可改善形貌、CD Loss等刻蚀结果；由于膜层均匀性的可控性加强，对于刻蚀后的线宽更容易控制，从而有利于实现窄边框化。

【技术实现步骤摘要】
一种LTPS的制备工艺
本专利技术涉及液晶显示领域，更具体地，涉及一种LTPS的制备工艺。
技术介绍
在LTPS工艺中，各个膜层的优劣严重影响LTPS器件的性能。LTPS工艺中从下到上的膜层中包含SiOx有缓冲层（BufferLayer：SiNx/SiOx）、栅极绝缘层（GI：SiOx/SiNx）和层间绝缘层（ILD：SiNx/SiOx)。由此可见，SiOx膜的致密性和均匀性等各方面的优劣严重影响着LTPS工艺的优劣。在LTPS中，SiNx与玻璃接触的应力比较大，SiOx与多晶硅界面湿润角比较好因而采用上述堆叠结构。传统PECVD法使用SiH4和N2O气体制备的SiOx膜含有大量的Si-H键和Si-OH键，导致膜质疏松和悬挂键缺陷，且N2O中氮成分导致制备的SiOx膜与多晶硅层界面缺陷较多造成平带电压漂移较大。在LTPS中，ContactHole的刻蚀质量严重影响着LTPS器件的性能。LTPS制程中过孔刻蚀（ContactHole）从上到下刻蚀包含层间绝缘层（ILD)和栅极绝缘层（GI）的SiOx/SiNx/SiNx/SiOx膜层结构，刻蚀过程中膜层材料、致密性、厚度的不同，使坡度角本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LTPS的制备工艺，其特征在于，使用正硅酸乙酯来制备LTPS中的SiOX膜层。

【技术特征摘要】
1.一种LTPS的制备工艺，其特征在于，使用正硅酸乙酯来制备LTPS中的SiOX膜层。2.根据权利要求1所述的LTPS的制备工艺，其特征在于，将正硅酸乙酯与弱酸溶液混合，制成溶胶，再将溶胶涂覆并形成SiOX膜层。3.根据权利要求2所述的LTPS的制备工艺，其特征在于，将涂覆后的溶胶置于高温环境中，形成致密的SiOX膜层。4.根据权利要求1-3任一所述的LTPS的制备工艺，其特征在于，增加栅极绝缘层的SiOx层的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：张帆，张毅先，任思雨，苏君海，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44