波浪形太阳能硅片的一次性金属化方法及系统技术方案

本发明专利技术揭示了波浪形太阳能硅片的一次性金属化方法及系统，方法包括S1，太阳能硅片在下掩模上定位，且太阳能硅片的波谷处的表面与下掩模上的背电极浆料通道相对应；S2，上掩模与太阳能硅片接触，且其上的子背电极浆料通道与太阳能硅片的波峰处的表面对应；S3，进行正面电极浆料气溶胶喷射，使太阳能硅片的正面涂布呈格栅状分布的正面电极浆料，同时，进行背电极浆料气溶胶喷射，在波谷处的表面涂布背电极浆料；S4，上掩模与太阳能硅片分离，从下掩模上取下太阳能硅片进行烧结。本发明专利技术能够一次性实现浆料在太阳能硅片正面及背面的涂布，工艺更加简单，效率高；能够避免太阳能硅片出现破损的风险，有利于保证产品的质量，提高产品的一致性。

One time metallizing method and system for wave solar silicon wafer

The invention discloses a system and a one-time metallization method for wave shaped solar wafers, including S1 method, solar silicon wafer in the lower mask position, and the surface of the trough solar silicon wafer and mask back electrode paste on the corresponding channel model; S2, a mask in contact with solar wafers, and the corresponding surface the back electrode paste channel and solar wafer crest; S3 positive electrode slurry aerosol spray, the positive coating of solar silicon wafer is a positive electrode paste, grid distribution and back electrode paste aerosol injection, surface coating in the trough of the back electrode paste; S4 mask with the separation of solar wafers, from under the mask for solar silicon sintering. The invention can realize the coating of the slurry on the front and the back of the solar wafer at once, the process is simpler and the efficiency is high, and it can avoid the risk of breakage of the solar silicon wafer, and is helpful for ensuring the quality of the product and improving the consistency of the product.

【技术实现步骤摘要】
波浪形太阳能硅片的一次性金属化方法及系统
本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其是波浪形太阳能硅片的一次性金属化方法及系统。
技术介绍
太阳能硅片是太阳能电池板的重要组成部分，其性能的好坏直接影响太阳能电池板的电池效率，目前常规的太阳能硅片基本都是切割成平坦表面的切片形状，其光电转化率的提高已经成为太阳能电池制作领域的难题，即使是1%左右的提高，过去平均都需要2-3年的时间，并且为了获得高转化率，向新工程所投入的研究开发费用从全世界范围来看，现有所有太阳能电池制造公司在互相竞争中开发所以费用简直是天文数字。由此一些企业也开始三维结构太阳能硅片的研究，例如，已经提出的如附图1所示的波浪形三维硅片结构，其为对称的波浪形结构，其虽然能够增加表面积以增加太阳光的吸收，但是其在应用于太阳能电池的加工过程中还存在一定问题，例如：在太阳能电池的后续加工工艺中，通常使用丝网印刷法在太阳能硅片上形成电极，传统的丝网印刷过程往往是先在硅片的一面涂布浆料后烧结，再在另一面涂布浆料，再次烧结，至少需要分两步进行印刷和烧结，过程相对繁琐，效率低。同时，丝网印刷法中需要对太阳能硅片施加压力，而在施加压力时，与平坦晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
波浪形太阳能硅片的一次性金属化方法，其特征在于：包括如下步骤：S1，波浪形太阳能硅片移动至下掩模上定位，且波浪形太阳能硅片的波谷处的表面与下掩模上的背电极浆料通道相对应；S2，上掩模下移至与波浪形太阳能硅片接触，且其上的子导电栅通道与波浪形太阳能硅片的波峰处的表面对应；S3，从上掩模的顶部进行正面电极浆料气溶胶喷射，使波浪形太阳能硅片的正面涂布呈格栅状分布的正面电极浆料，同时，从下掩模的底部进行背电极浆料气溶胶喷射，在波浪形太阳能硅片的波谷处的表面涂布背电极浆料；S4，上掩模上移与太阳能硅片分离，从下掩模上取下经过S3步骤的波浪形太阳能硅片；S5，对经过S4步骤的波浪形太阳能硅片进行烧结。

【技术特征摘要】
1.波浪形太阳能硅片的一次性金属化方法，其特征在于：包括如下步骤：S1，波浪形太阳能硅片移动至下掩模上定位，且波浪形太阳能硅片的波谷处的表面与下掩模上的背电极浆料通道相对应；S2，上掩模下移至与波浪形太阳能硅片接触，且其上的子导电栅通道与波浪形太阳能硅片的波峰处的表面对应；S3，从上掩模的顶部进行正面电极浆料气溶胶喷射，使波浪形太阳能硅片的正面涂布呈格栅状分布的正面电极浆料，同时，从下掩模的底部进行背电极浆料气溶胶喷射，在波浪形太阳能硅片的波谷处的表面涂布背电极浆料；S4，上掩模上移与太阳能硅片分离，从下掩模上取下经过S3步骤的波浪形太阳能硅片；S5，对经过S4步骤的波浪形太阳能硅片进行烧结。2.根据权利要求1所述的波浪形太阳能硅片的一次性金属化方法，其特征在于：在S1步骤中，所述波浪形太阳能硅片通过所述下掩模顶部间隙设置的一组三角定位体分别卡止到的波浪形太阳能硅片的背面凹槽中实现定位；在S2步骤中，所述上掩模通过其底部间隙设置的一组三角定位体分别卡止到所述波浪形太阳能硅片的正面凹槽中实现定位。3.根据权利要求2所述的波浪形太阳能硅片的一次性金属化方法，其特征在于：所述三角定位体为与所述太阳能硅片的凹槽形状匹配的仿形结构。4.根据权利要求2所述的波浪形太阳能硅片的一次性金属化方法，其特征在于：所述下掩模及上掩模上的三角定位体为硅橡胶或硅树脂或聚四氟乙烯或硅橡胶与聚四氟乙烯形成的复合材料或硅树脂胶与聚四氟乙烯形成的复合材料。5.根据权利要求2所述的波浪形太阳能硅片的一次性金属化方法，其特征在于：从S1步骤开始到S4步骤结束期间的用时小于2分钟。6.根据权利要求1-5任一所述的波浪形太阳能硅片的一次性金属化方法，其特征在于：还包括S6步骤，将所述S4步骤中经过气溶胶喷射的上掩模及下掩模分别浸入到有机溶剂中进行清洗，并在烘干炉内使用热空气进行干燥，干燥后的上掩模及下掩模重复用于S1，S2步骤。7.根据权利要求6所述的波浪形太阳能硅片的一次性金属化方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：万明，
申请(专利权)人：苏州赛万玉山智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32