一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种光伏装置，包括光源和光伏器件，所述光伏器件包括高阻光增益半导体衬底，位于所述高阻光增益半导体衬底上的石墨烯层，位于所述高阻光增益半导体衬底和所述石墨烯层上的第一电极和第二电极，以及位于所述高阻光增益半导体衬底之下并且与所述高阻光增益半导体衬底接触的第三电极，所述光源发射的光的能量大于所述高阻光增益半导体衬底的带隙并且辐照所述第一电极，所述第三电极在所述第一电极的下方。本发明专利技术的光伏装置能够实现对辐照光的超快响应和高灵敏探测，甚至可以实现石墨烯的光逻辑功能，可以作为超快、高灵敏的光探测器，或光逻辑器件。

A photovoltaic device and a method of generating the photovoltaic effect

The present invention provides a photovoltaic device includes a light source and a photovoltaic device, the photovoltaic device including a high gain Zuguang semiconductor substrate in graphene layer of the high Zuguang gain on the semiconductor substrate, is located in the high Zuguang gain semiconductor substrate and the first electrode and the second electrode graphene layer, and is located the high Zuguang gain under the semiconductor substrate and is connected with high gain Zuguang semiconductor substrate contact the third electrode gap and the first electrode irradiated with the light emitted by the light source energy is greater than that of the high Zuguang gain of the semiconductor substrate, below the third electrode on the first electrode. The photovoltaic device of the invention can achieve ultra fast response and high sensitive detection of irradiated light, and even realize the optical logic function of graphene. It can be used as an ultra fast and highly sensitive photodetector or optical logic device.

【技术实现步骤摘要】
一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法
本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法。
技术介绍
能源是人类赖以生存的物质基础和社会发展进步的动力，在能源枯竭与环境污染问题日益严重的今天，人们渴望用安全环保的可再生能源来替代常规能源。自从1839年法国科学家贝克勒尔发现光伏效应以来，以半导体光伏效应为基础的光伏发电技术不断发展，各种光伏器件也层出不穷，逐渐能够满足人类的需求。目前太阳能电池朝着低成本、高效率的方向发展。传统的半导体光伏器件基于PN结原理的光伏效应，其器件工艺复杂且器件尺寸较大，限制了传统光伏器件在小尺寸器件方面的广泛应用，特别在微纳米器件和柔性器件的应用方面表现出较大的局限性。单原子层厚的石墨烯材料自从发现以来，由于其独特的力学、电学，光学和热学等性能，引起了人们的极大关注。石墨烯这些优良的物理性能，使其广泛应用于能源、材料和电子器件等领域。作为极具潜力的下一代透明电极材料，石墨烯有望取代传统的金属和ITO电极应用到光电器件中，为基于石墨烯的微纳米和柔性器件提供机会。在石墨烯光伏器件中，石墨烯不仅可以作为透明导电薄膜，还可以在与半导体的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光伏装置，包括光源和光伏器件，所述光伏器件包括高阻光增益半导体衬底，位于所述高阻光增益半导体衬底上的石墨烯层，位于所述高阻光增益半导体衬底和所述石墨烯层上的第一电极和第二电极，以及位于所述高阻光增益半导体衬底之下并且与所述高阻光增益半导体衬底接触的第三电极，其中，所述第一电极的一部分与所述高阻光增益半导体衬底接触，另一部分与所述石墨烯层接触，所述第二电极的一部分与所述高阻光增益半导体衬底接触，另一部分与所述石墨烯层接触，所述光源发射的光的能量大于所述高阻光增益半导体衬底的带隙并且辐照所述第一电极，所述第三电极在所述第一电极的下方。

【技术特征摘要】
1.一种光伏装置，包括光源和光伏器件，所述光伏器件包括高阻光增益半导体衬底，位于所述高阻光增益半导体衬底上的石墨烯层，位于所述高阻光增益半导体衬底和所述石墨烯层上的第一电极和第二电极，以及位于所述高阻光增益半导体衬底之下并且与所述高阻光增益半导体衬底接触的第三电极，其中，所述第一电极的一部分与所述高阻光增益半导体衬底接触，另一部分与所述石墨烯层接触，所述第二电极的一部分与所述高阻光增益半导体衬底接触，另一部分与所述石墨烯层接触，所述光源发射的光的能量大于所述高阻光增益半导体衬底的带隙并且辐照所述第一电极，所述第三电极在所述第一电极的下方。2.根据权利要求1所述的光伏装置，还包括布置在所述高阻光增益半导体衬底之下的绝缘介质层，所述第三电极位于所述绝缘介质层之下并与所述绝缘介质层接触。3.根据权利要求1或2所述的光伏装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭丽伟，杨军伟，陈小龙，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11