【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能光伏组件
,尤其涉及一种抗PID效应的光伏组件。
技术介绍
在光伏电站系统中,常规组件(即单面玻璃带有铝边框结构的P型多晶硅组件)受PID(电势诱导衰减)效应严重,许多未做专门抗PID设计的光伏系统中,光伏组件在使用1-2年后就出现明显的PID效应现象:发电功率严重下降。具体的,参照图1所示,常规组件原有的封装方式为通过铝边框1'将层压好的光伏层压组件2'固定起来,在边框1'卡槽中填充密封硅胶,从而起到密封、加固及缓冲的作用。光伏层压组件2'包括玻璃21'和EVA层24',在实际工作过程中,EVA水解与玻璃21'反应会产生Na+离子,当光伏层压组件2'与铝边框1'之间存在负压时,光伏层压组件2'内电池片22'上的电子会沿图1中的电子移动轨迹转移到铝边框1'上,最终流入地下,从而产生PID效应。针对上述情况,电池片、组件厂家及系统承建商也有提出很多解决措施,总体来说分为两类:材料上的改进及光伏系统电气拓扑结构的调整。对于材料改进方面,目前虽然有很多抗PID电池片或者是EVA、玻璃等,它们都是以牺牲组件发电效率或者是较高成本代价来实现的,市 ...
【技术保护点】
一种抗PID效应的光伏组件,包括边框(1),以及设置在边框(1)内的光伏层压组件(2),其特征在于,所述边框(1)和光伏层压组件(2)之间设置绝缘结构(3)。
【技术特征摘要】
1.一种抗PID效应的光伏组件,包括边框(1),以及设置在边框(1)内的光伏层压组件(2),其特征在于,所述边框(1)和光伏层压组件(2)之间设置绝缘结构(3)。2.根据权利要求1所述的抗PID效应的光伏组件,其特征在于,所述绝缘结构(3)具有与光伏层压组件(2)配合的容纳空间;所述绝缘结构(3)具有容纳空间的一侧通过容纳空间套设在光伏层压组件(2)的边缘处,和/或另一侧固定在边框(1)上。3.根据权利要求1或2所述的抗PID效应的光伏组件,其特征在于,所述边框(1)上设置有凹槽结构(11),所述绝缘结构(3)套装在光伏层压组件(2)的边缘处,所述绝缘结构(3)和光伏层压组件(2)一起封装在凹槽结构(11)内。4.根据权利要求3所述的抗PID效应的光伏组件,其特征在于,所述绝缘结构(3)和光伏层压组件(2)之间填充有密封硅胶(12),所述绝缘结构(3)和光伏层压组件(2)通过密封硅胶(12)封装在凹槽结构(11)内。5.根据权利要求1或2所述的抗P...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡杰,林家辉,覃冬梅,刘洪明,
申请(专利权)人:珠海格力电器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。