AT切割晶体片以及晶体振子制造技术

提供一种新颖的AT切割晶体片，能够较以往抑制AT切割晶体振子原本的振动以外的无用振动，且能够较以往改善振子的阻抗。使与晶体的结晶轴的Z’轴交叉的2个侧面包含第1面11a、第2面11b及第3面这3个面，所述第1面11a是晶体结晶的m面，所述第2面11b是与所述第1面相交且m面以外的面，所述第3面是与所述第2面11b相交且m面以外的面。并且，第2面11b是与使所述AT切割晶体片的主面11d以晶体的X轴为旋转轴而旋转‑74±3°所得的面相当的面，第3面11bc是与使主面11d以晶体的X轴为旋转轴而旋转‑56±3°所得的面相当的面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】AT切割晶体片以及晶体振子
本专利技术涉及一种AT切割晶体片以及使用所述AT切割晶体片的晶体振子。
技术介绍
随着AT切割晶体振子的小型化的推进，在借助机械式加工的制造方法中，晶体振子用的晶体片的制造变得困难。因此，正在开发一种使用光刻(photolithography)技术及湿式蚀刻(wetetching)技术来制造的AT切割晶体片。例如在专利文献1、2中，分别揭示了通过所述技术而制造的AT切割晶体片及晶体振子。具体而言，在专利文献1中揭示了一种AT切割晶体片以及使用所述AT切割晶体片的晶体振子，所述AT切割晶体片中，与晶体的Z’交叉的侧面(Z’面)包含晶体结晶的m面和m面以外的结晶面这两面。而且，在专利文献2中，揭示了一种AT切割晶体片以及使用所述AT切割晶体片的晶体振子，所述AT切割晶体片中，与晶体的Z’轴交叉的侧面(Z’面)至少包含4个面。在专利文献1、2中的任一情况下，均在晶体基板上形成有外形形成用的耐蚀刻性掩模(mask)，所述晶体基板的未被掩模覆盖的部分通过湿式蚀刻而溶解。具体而言，在专利文献1的情况下，对晶体基板进行湿式蚀刻，以在相应的侧面形成包含m面的2个面。在专利文献2的情况下，对于形成有耐蚀刻性掩模的晶体基板，先进行外形形成的蚀刻。随后，去除耐蚀刻性掩模而使晶体基板露出后，对所述晶体基板进行湿式蚀刻，以在相应的侧面形成至少4个面。在专利文献1、2中的任一情况下，耐蚀刻性掩模均是在晶体基板的表背沿Z’方向错开规定量(掩模错位量Δz)地形成于晶体基板上而使用。对于掩模错位量Δz，在将AT切割晶体基板的厚度表示为T(μm)时，设为Δz＝0.75×T±20％为佳。根据如此形成的各晶体片，可实现振动泄漏少、特性优异的AT切割晶体振子。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2008-67345号公报专利文献2：日本专利特开2014-27506号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题但是，本申请的专利技术人进行了专心研究，结果发现，尚有谋求AT切割晶体振子的特性改善的余地。本申请是有鉴于此点而完成，本申请的目的在于提供一种与以往相比可改善特性的新颖的AT切割晶体片以及晶体振子。解决问题的技术手段为了谋求达成所述目的，本专利技术的AT切割晶体片的特征在于，使与晶体的结晶轴的Z’轴交叉的侧面中的至少一者包含第1面、第2面及第3面这3个面，所述第1面是晶体结晶的m面，所述第2面是与所述第1面相交且所述m面以外的面，所述第3面是与所述第2面相交且所述m面以外的面。在本专利技术的实施时，较佳的是，所述第2面是设为与使所述AT切割晶体片的、由晶体的结晶轴所表示的X-Z’面(本说明书中将所述面称作主面)以晶体的X轴为旋转轴而旋转-74±5°所得的面相当的面，所述第3面是设为与使所述主面以晶体的X轴为旋转轴而旋转-56±5°所得的面相当的面。更优选的是，所述第2面可设为与使所述主面以晶体的X轴为旋转轴而旋转-74±3°所得的面相当的面，所述第3面可设为与使所述主面以晶体的X轴为旋转轴而旋转-56±3°所得的面相当的面。此处，-74或-56的负号(minus)，是指使前述主面以X轴为旋转轴而顺时针旋转(以下同样)。进而，在本专利技术的实施时，较佳的是，使所述AT切割晶体片的、与晶体的结晶轴的Z’轴交叉的2个侧面这两者包含前述的第1至第3这3个面。更优选的是，理想的是，使这2个侧面以所述AT切割晶体片的中心点为中心而处于点对称的关系(图1(B))。而且，本专利技术的晶体振子的特征在于包括：所述本专利技术的AT切割晶体片；以及激振电极，用于使所述晶体片激振。更具体而言，晶体振子在所述晶体片表背的主面(所述X-Z’面)分别具备激振电极，且具备从所述激振电极引出的引出电极。当然，更包括对具备这些电极的晶体振子进行收纳的容器的形态的晶体振子，也包含在本专利技术中所说的晶体振子中。另外，本专利技术中所说的AT切割晶体片也包含下述晶体片(以下也称作带框的晶体片)，其具备：所述本专利技术的晶体片；框部，与所述晶体片一体地形成，且隔着贯穿部而全部或部分地包围所述晶体片；以及1或2个以上的连结部，同样一体地形成，将这些晶体片与框部予以连结(图11)。而且，本专利技术中所说的晶体振子也包含：具备所述带框的晶体片、激振电极及引出电极的晶体振子；或者更具备收纳所述晶体振子的容器的晶体振子。而且，在制造本专利技术的AT切割晶体片时，可利用包含以下(a)、(b)工序的制法来进行。(a)在AT切割晶体晶片(wafer)表背的所述晶体片形成预定部分，形成耐蚀刻掩模，利用氢氟酸系蚀刻剂(etchant)来对从所述掩模露出的部分进行蚀刻的工序。其中，表背的耐蚀刻性掩模彼此沿着晶体的Z’轴方向而错开Δz。在将晶体晶片的厚度设为T1时，掩模错位量Δz是设为从T1≤Δz≤1.5·T1的范围中选择的值。即，将掩模错位量Δz设为从T1～1.5·T1的范围中选择的值。而且，蚀刻时间是设为从能够自晶体晶片的单面对晶体晶片的厚度T1进行蚀刻的时间的70％～125％的范围中选择的时间。(b)在所述(a)工序完成后，仅在晶体晶片的由耐蚀刻掩模所覆盖的部分的、成为所述晶体片的振动区域的第1区域，残留或者新形成第2耐蚀刻掩模，将从所述第2耐蚀刻掩模露出的部分蚀刻去规定厚度h，形成与第1区域连续且具备厚度比第1区域薄的第2厚度T2的第2区域。根据所述较佳的制法，能够容易地获得具备包含第1至第3这3个面的侧面的、本专利技术的AT切割晶体片。专利技术的效果根据本专利技术的AT切割晶体片，所述Z’侧面包含规定的3个面，因此能够实现在所述晶体片的Z’方向的端部具备剖视为独特的嘴状的结构部的晶体片。因此，能够利用所述独特的结构部来使AT切割原本的振动以外的无用振动衰减，因此能够使AT切割晶体振子原本的振动优先产生。因而，能够实现与以往相比改善了特性的AT切割晶体振子。附图说明图1(A)、(B)、(C)是实施方式的AT切割晶体片11的说明图。图2(A)、(B)是对实施方式的晶体片11及使用所述晶体片11的晶体振子的一制法例进行说明的图。图3(A)、(B)是紧接着图2的制法例的说明图。图4(A)、(B)是紧接着图3的制法例的说明图。图5(A)、(B)、(C)是紧接着图4的制法例的说明图。图6是紧接着图5的制法例的说明图。图7(A)、(B)、(C、(D)、(E)是安装晶体片11而制造的晶体振子的一例的说明图。图8(A)、(B)、(C、(D)是本专利技术的实验结果的说明图。图9(A)、(B)是本专利技术的实验结果的紧接着图8的说明图。图10(A)、(B)、(C、(D)是本专利技术的实验结果的紧接着图9的说明图。图11(A)、(B)是本专利技术的晶体振子的另一实施方式的说明图。具体实施方式以下，参照附图来说明本专利技术的AT切割晶体片以及使用所述AT切割晶体片的晶体振子的实施方式。另外，用于说明的各附图只不过以能够理解的程度概略性地示出了本专利技术。而且，在用于说明的各附图中，对于同样的结构成分，也有时标注相同的编号来表示，并省略其说明。而且，以下说明中所述的形状、尺寸、材质等不过是本专利技术范围内的较佳例。因而，本专利技术并不仅限定于以下的实施方式。1.AT切割晶体片的结构图1(A)～(C)是实施方式的AT切割晶体片11的说明图。尤其，图1(A)是晶体片11的平面图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AT切割晶体片，其特征在于：使与晶体的结晶轴的Z’轴交叉的侧面中的至少一个，包含：第1面、第2面及第3面这3个面，其中，所述第1面是晶体结晶的m面，所述第2面是与所述第1面相交且所述m面以外的面，所述第3面是与所述第2面相交且所述m面以外的面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.15 JP 2015-0829461.一种AT切割晶体片，其特征在于：使与晶体的结晶轴的Z’轴交叉的侧面中的至少一个，包含：第1面、第2面及第3面这3个面，其中，所述第1面是晶体结晶的m面，所述第2面是与所述第1面相交且所述m面以外的面，所述第3面是与所述第2面相交且所述m面以外的面。2.根据权利要求1所述的AT切割晶体片，其特征在于，所述第2面是与使所述AT切割晶体片的、由晶体的结晶轴所表示的X-Z’面(主面)以晶体的X轴为旋转轴而旋转-74±5°所得的面相当的面，所述第3面是与使所述主面以晶体的X轴为旋转轴而旋转-56±5°所得的面相当的面。3.根据权利要求1所述的AT切割晶体片，其特征在于，所述第2面是与使所述AT切割晶体片的、由晶体的结晶轴所表示的X-Z’面(主面)以晶体的X轴为旋转轴而旋转-74±3°所得的面相当的面，所述第3面是与使所述主面以晶体的X轴为旋转轴而旋转-56±3°所...

【专利技术属性】
技术研发人员：山内裕之，大沢和彦，武田翔平，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP