晶体振子制造技术

晶体振子(1)具备：晶体振动元件(100)，其包含晶体坯(110)、包围晶体坯(110)的外周的框体(120)以及连结框体(120)与晶体坯(110)的连结部件(111a、111b)；盖部件(200)；以及基座部件(300)，多个外部电极(322、324、326、328)中第一以及第二外部电极(324、328)的至少一个在连结有连结部件(111a、111b)的一侧，形成在框体(120)、盖部件(200)以及基座部件(300)各自的端面，并且，机械品质因数Qm比上述框体小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶体振子
本专利技术涉及晶体振子。
技术介绍
对振荡装置、带通滤波器等所使用的基准信号的信号源广泛地使用以厚度切变振动为主振动的晶体振子。另外，如专利文献1所公开的那样，作为晶体振子的一方式，已知有在由AT切晶体材料构成的压电基板的表里主面分别通过密封材料接合盖部以及基座部，设置于基座部的外部电极经由形成在基座部的四角的雉堞的贯通电极与压电基板的引出电极电连接的构成。然而，根据这样的构成，有从压电基板经由密封材料向盖部以及基座部的上下的基材漏出的励振振动被各基材的端面(外周侧面)反射，由于这样的反射波的影响而导致压电基板的特性劣化的情况。即在以往的构成中有通过无用振动的产生而损害晶体振子的品质的情况。专利文献1：日本特开2012－90081号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于通过降低无用振动实现晶体振子的品质的提高。本专利技术所涉及的晶体振子具备：晶体振动元件，其包含在第一面和第二面分别设置有第一励振电极和第二励振电极的晶体坯、包围晶体坯的外周的框体、以及连结框体和晶体坯的连结部件；盖部件，其与晶体坯的第一面对置地配置，并与框体的整周接合；以及基座部件，其与晶体坯的第二面对置地配置，并与框体的整周接合，基座部件在与晶体振动元件对置的面相反侧的面具有能够与外部电连接的多个外部电极，多个外部电极具有与第一励振电极电连接的第一外部电极、和与第二励振电极电连接的第二外部电极，盖部件以及基座部件分别由晶体或者玻璃形成，第一外部电极以及第二外部电极的至少一个在设置有连结部件的一侧，形成在框体、盖部件以及基座部件各自的端面，并且机械品质因数Qm比框体小。根据上述构成，在设置有连结部件的一侧，在框体、盖部件以及基座部件各自的端面形成外部电极，并且该外部电极的机械品质因数Qm比框体小。由此从晶体振动元件漏出的振动中的、从盖部件以及基座部件的端部向外部电极传播的振动能量在外部电极内被消耗，能够使通过外部电极而衰减的反射波反射。因此，能够使这样的反射波的影响缓和或者分散，能够抑制晶体振动元件的特性劣化，能够实现晶体振子的品质的提高。在上述晶体振子中，第一外部电极以及第二外部电极的至少一个可以形成至盖部件的端面的上侧边缘。在上述晶体振子中，第一外部电极以及第二外部电极的至少一个可以经由盖部件的端面形成在盖部件的与晶体振动元件对置的面相反的面。在上述晶体振子中，在框体可以设置有与第一励振电极或者第二励振电极电连接，并且与框体的外边缘相接的连接电极，第一外部电极以及第二外部电极的至少一个在框体、盖部件以及基座部件各自的端面侧与连接电极连接。在上述晶体振子中，框体、盖部件以及基座部件可以均具有俯视时大致矩形的外形形状。在上述晶体振子中，框体、盖部件以及基座部件的各端面可以至少在设置有连结部件的一侧位于同一水平面，第一外部电极以及第二外部电极的至少一个被设置为覆盖位于同一平面的各端面。在上述晶体振子中，第一外部电极以及第二外部电极的至少一个可以在框体的各边中的与设置有连结部件的侧邻接的两边的各侧，形成在框体、盖部件以及基座部件各自的端面。在上述晶体振子中，盖部件以及基座部件可以为平板。在上述晶体振子中，晶体坯中除了第一以及第二励振电极的部分的厚度可以与框体的厚度相同。在上述晶体振子中，第一以及第二外部电极的至少一个可以为机械品质因数Qm比盖部件以及基座部件的任意一个小。在上述晶体振子中，被框体、盖部件以及基座部件包围的内部空间可以为真空。根据本专利技术，能够通过降低无用振动来实现晶体振子的品质的提高。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式所涉及的晶体振子的分解立体图。图2A是图1的IIA－IIA线剖视图。图2B是图1的IIB－IIB线剖视图。图3是本专利技术的第一实施方式所涉及的基座部件的俯视图。图4是本专利技术的第一实施方式所涉及的晶体振子的立体图。图5是本专利技术的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。图6是本专利技术的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。图7是本专利技术的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。图8是本专利技术的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。图9是本专利技术的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。图10是本专利技术的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。图11是本专利技术的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。图12是本专利技术的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。图13是本专利技术的第一实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。图14是本专利技术的第二实施方式所涉及的基座部件的俯视图。图15是本专利技术的第二实施方式所涉及的晶体振子的立体图。图16是本专利技术的第二实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。图17是本专利技术的第二实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。图18是本专利技术的第二实施方式的变形例所涉及的晶体振子的立体图。具体实施方式以下对本专利技术的实施方式进行说明。在以下的附图的记载中，相同或者类似的构成要素由相同或者类似的附图标记表示。附图是例示，各部的尺寸、形状是示意的方式，而不应理解为将本申请专利技术的技术范围限定于该实施方式。(第一实施方式)参照图1～图4，对本专利技术的第一实施方式所涉及的晶体振子进行说明。这里，图1是本实施方式所涉及的晶体振子的分解立体图，图2A是图1的IIA－IIA线剖视图，图2B是图1的IIB－IIB线剖视图，图3是基座部件的俯视图。另外，图4是晶体振子的立体图。此外，在图1中省略基座部件的外部电极。如图1所示，本实施方式所涉及的晶体振子1具备晶体振动元件100、盖部件200以及基座部件300。晶体振动元件100例如由AT切晶体基板构成。AT切的晶体基板是在分别将使人工晶体的结晶轴亦即X轴、Y轴、Z轴中的Y轴以及Z轴绕X轴从Y轴向Z轴的方向旋转35度15分±1分30秒后的轴作为Y′轴以及Z′轴的情况下，将与由X轴以及Z′轴确定的面平行的面作为主面切出的基板。使用了AT切晶体基板的晶体振动元件在较宽的温度范围具有极高的频率稳定性，另外，经时变化特性也较优异，且能够以低成本进行制造。另外，AT切晶体振动元件使用厚度切变振动模式(ThicknessShearMode)作为主振动的情况较多。以下，以AT切割的轴向为基准对晶体振子的各构成进行说明。此外，晶体振动元件100也可以使用由通过AT切割以外的其它的切割方式形成的晶体基板构成的基板。盖部件200以及基座部件300是用于收纳晶体振动元件100的一部分(晶体坯)的壳体或者外壳。晶体振动元件100、盖部件200以及基座部件300分别具有大致相同的尺寸以及俯视时的外形形状(例如大致矩形的外形形状)。在采用保持晶圆状态进行到晶体坯的封装的制法(也被称为晶圆级CSP：ChipSizePackage：芯片尺寸封装。)的情况下，一并切割由相当于盖部件的晶圆、相当于晶体振动元件的晶圆以及相当于基座部件的晶圆构成的三层结构来制造各个晶体振子1，所以晶体振动元件100、盖部件200以及基座部件300实际上具有相同的尺寸以及外形形状。晶体振动元件100具备晶体坯110、包围晶体坯110的外周的框体120以及连结晶体坯110与框体120的连结部件111a、111b。晶体坯110、框体120以及连结部件111a、111b本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体振子，其中，具备：晶体振动元件，其包含分别在第一面和第二面设置有第一励振电极和第二励振电极的晶体坯、包围该晶体坯的外周的框体、以及连结该框体与上述晶体坯的连结部件；盖部件，其与上述晶体坯的上述第一面对置地配置，并与上述框体的整周接合；以及基座部件，其与上述晶体坯的上述第二面对置地配置，并与上述框体的整周接合，上述基座部件在与上述晶体振动元件对置的面相反侧的面具有能够与外部电连接的多个外部电极，上述多个外部电极具有与上述第一励振电极电连接的第一外部电极、和与上述第二励振电极电连接的第二外部电极，上述盖部件以及上述基座部件分别由晶体或者玻璃形成，上述第一外部电极以及第二外部电极的至少一个在设置有上述连结部件的一侧，形成在上述框体、上述盖部件以及上述基座部件各自的端面，并且机械品质因数Qm比上述框体小。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.03 JP 2015-0414411.一种晶体振子，其中，具备：晶体振动元件，其包含分别在第一面和第二面设置有第一励振电极和第二励振电极的晶体坯、包围该晶体坯的外周的框体、以及连结该框体与上述晶体坯的连结部件；盖部件，其与上述晶体坯的上述第一面对置地配置，并与上述框体的整周接合；以及基座部件，其与上述晶体坯的上述第二面对置地配置，并与上述框体的整周接合，上述基座部件在与上述晶体振动元件对置的面相反侧的面具有能够与外部电连接的多个外部电极，上述多个外部电极具有与上述第一励振电极电连接的第一外部电极、和与上述第二励振电极电连接的第二外部电极，上述盖部件以及上述基座部件分别由晶体或者玻璃形成，上述第一外部电极以及第二外部电极的至少一个在设置有上述连结部件的一侧，形成在上述框体、上述盖部件以及上述基座部件各自的端面，并且机械品质因数Qm比上述框体小。2.根据权利要求1所述的晶体振子，其中，上述第一外部电极以及第二外部电极的至少一个形成至上述盖部件的上述端面的上侧边缘。3.根据权利要求1或者2所述的晶体振子，其中，上述第一外部电极以及第二外部电极的至少一个经由上述盖部件的上述端面形成在上述盖部件的与上述晶体振动元件对置的面相反的面。4.根据权利要求1～3中任意一项所述的晶体振子，其中，在上述框体设置有与上述第一励振电极或者第二励振...

【专利技术属性】
技术研发人员：能登和幸，开田弘明，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP