一体化晶体谐振器制造技术
【技术实现步骤摘要】
一体化晶体谐振器
本技术涉及晶体谐振器，具体是一种一体化晶体谐振器。
技术介绍
现有的石英晶体谐振器元件，采用水晶或其它压电材料加工成晶片后在两面镀上电极作为振子，用陶瓷或金属壳座做为封装，采用导电胶进行装配和电气连接。现有石英谐振器采用压电晶片、与陶瓷或金属外壳装配，需外购陶瓷基座和封盖材料；石英晶片与陶瓷基座具有不同的膨胀系统，在温度变化时振子产生应力，产生附加的频率偏移；由于原晶片加工时采用机械研磨工艺，对频率较高的谐振器晶片的成品率低，另一方面采用单片加片方法，对于小型化的产品加工效率低且一致性较差。由于陶瓷基座工艺及装配工艺的原因在制造更小尺寸的1.6×1.2mm，1.2×1.0mm的谐振器时更加困难。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是一体化晶体谐振器，该谐振器可提高生产效率、降低成本，减少振子应力，降低产品尺寸。为解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：一体化晶体谐振器，包括振子晶片基座、电极，所述的振子基座由压电材料通过掩膜、化学腐蚀制成，振子晶片基座的上表面、下表面均设有凹陷区，凹陷区内分别设有上电极、下电极；凹陷区的深度大于上电极或下电极的厚度；上电极、下电极在振子晶片基座的两端分别设有金属引出线；振子晶片基座的上方分别连接固定上盖板、下基板；下基板的底面的两端分别设有焊盘，焊盘与上电极或下电极的金属引出线连接；上盖板、下基板与振子晶片基座的材质相同。采用上述技术方案的本技术，与现有技术相比，有益效果是：由于上盖板、下基板及振子晶片基座为同种材质，具有相同的膨胀系统，在温度变化时振子有效降低产生应力，避免产生附加的频率偏移；避免了现有技术...
【技术保护点】
一体化晶体谐振器，包括振子晶片基座、电极，其特征在于：所述的振子基座由压电材料通过掩膜、化学腐蚀制成，振子晶片基座的上表面、下表面均设有凹陷区，凹陷区内分别设有上电极、下电极；凹陷区的深度大于上电极或下电极的厚度；上电极、下电极在振子晶片基座的两端分别设有金属引出线；振子晶片基座的上方分别连接固定上盖板、下基板；下基板的底面的两端分别设有焊盘，焊盘与上电极或下电极的金属引出线连接；上盖板、下基板与振子晶片基座的材质相同。
【技术特征摘要】
1.一体化晶体谐振器，包括振子晶片基座、电极，其特征在于：所述的振子基座由压电材料通过掩膜、化学腐蚀制成，振子晶片基座的上表面、下表面均设有凹陷区，凹陷区内分别设有上电极、下电极；凹陷区的深度大于上电极或下电极的厚度；上电极、下电极在振子晶片基座的两端分别设有金属引出线；振子晶片基座的上方分别连接固定上盖板...
【专利技术属性】
技术研发人员：阎立群，郝建军，周荣伟，杨铁生，
申请(专利权)人：唐山国芯晶源电子有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13
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