一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板技术

本申请提供了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板，用以在不增加光刻工艺的同时减少金属氧化物薄膜晶体管制备中的有源层损伤，本申请提供的一种薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，所述有源层中设置有两个相互间隔的凹槽，所述源极和漏极分别设置在所述两个凹槽中。

A thin film transistor and preparation method, array substrate

The invention provides a thin film transistor and a preparation method, array substrate, active layer is used to reduce the damage of metal oxide thin film transistor preparation in lithography process does not increase at the same time, a thin film transistor is provided including a gate electrode, a gate insulating layer, a source layer, source and drain there are two mutually spaced grooves, setting the active layer, the source and drain are respectively arranged in the two groove.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板
本申请涉及显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板。
技术介绍
薄膜晶体管(Thin-filmtransistor,TFT)是场效应晶体管的一种，被广泛应用于显示领域，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。薄膜晶体管根据使用的半导体层材料可以分为非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管以及金属氧化物薄膜晶体管。其中，金属氧化物薄膜晶体管(MetalOxideThinFilmTransistor，MOTFT)，由于具有较高的迁移率、制作工艺简单、成本较低，且具有优异的大面积均匀性等特点，因此MOTFT技术自诞生以来便备受业界瞩目。目前MOTFT主要使用的结构有背沟道刻蚀结构和刻蚀阻挡层结构。背沟道刻蚀结构的MOTFT是在生成有源层之后，在有源层上沉积金属层，然后通过刻蚀形成源、漏电极，但是在有源层上刻蚀源、漏电极时，无论是采用干法刻蚀还是湿法刻蚀都很容易出现有源层损伤，从而影响MOTFT的性能。刻蚀阻挡层结构是在有源层生成之后，先制作一层刻蚀阻挡层，再在之上沉积金属层并且通过刻蚀形成源、漏电极，刻蚀阻挡层可以在形成源、漏电极时保护有源层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述有源层中设置有两个相互间隔的凹槽，所述源极和漏极分别设置在所述两个凹槽中。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述有源层中设置有两个相互间隔的凹槽，所述源极和漏极分别设置在所述两个凹槽中。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和漏极与所述有源层的上表面齐平。3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹槽在厚度方向贯穿所述有源层。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料为金属氧化物，所述金属氧化物为铟镓锌氧化物。5.一种阵列基板，其特征在于，包括：如权利要求1～4任一项所述的薄膜晶体管，设置于所述薄膜晶体管上方的钝化层，以及与所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极。6.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基板上形成半导体膜层；通过构图工艺在所述半导体膜层中形成两个相互间隔的凹槽；在形成有凹槽的所述半导体膜层上形成金属膜层；通过化学机械平坦化工艺将除所述两个凹槽中的金属膜层以外的金属膜层全部去除，将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫奎，段献学，王铖铖，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11