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本申请提供了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板，用以在不增加光刻工艺的同时减少金属氧化物薄膜晶体管制备中的有源层损伤，本申请提供的一种薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，所述有源层中设置有两个相互间隔的凹槽，所述源极和漏极...该专利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司授权不得商用。