UV发光二极管制造技术

这里公开了一种UV发光二极管。该UV发光二极管包括：第一导电型半导体层；第一应力调节层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括第一氮化物层和第二氮化物层，其中，第一氮化物层包括Al，第二氮化物层设置在第一氮化物层上并且具有比第一氮化物层的Al组成比低的Al组成比；活性层，设置在第一应力调节层上；以及第二导电型半导体层，设置在活性层上，其中，第一应力调节层包括插入第一氮化物层中的Al增量层，插入Al增量层的第一氮化物层的下表面具有比直接设置在第一氮化物层上的第二氮化物层的下表面的平均拉应力大的平均拉应力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】UV发光二极管
本公开的示例性实施例涉及一种紫外(UV)发光二极管，更具体地涉及一种包括应力可调节层的UV发光二极管，以改善半导体层的结晶度。
技术介绍
因为UV发光二极管发射具有相对短的峰值波长(通常，400nm或更小的峰值波长)的光，所以在使用氮化物半导体制造UV发光二极管时，发光区域由包含10％或更多的Al的AlGaN形成。在这样的UV发光二极管中，如果n型和p型氮化物半导体层具有比从活性层发射的UV光的能量小的能量带隙，则从活性层发射的UV光会被吸收到发光二极管中的n型和p型氮化物半导体层中。那么，发光二极管的发光效率遭受显著劣化。因此，不仅UV发光二极管的活性层，而且放置在UV发光二极管的发光方向上的其它半导体层(具体地，n型半导体层)含有10％或更多的Al。在制造UV发光二极管时，蓝宝石基底通常用作生长基底。然而，当在蓝宝石基底上生长包含10％或更多的Al的AlxGa(1-x)N层(0.1≤x≤1)时，由于高的Al组成比，UV发光二极管遭受由热或结构变形导致的裂纹或破裂。该问题由蓝宝石基底与AlxGa(1-x)N层(0.1≤x≤1)之间的晶格失配或热膨胀系数的差异导致。具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种UV发光二极管，所述UV发光二极管包括：第一导电型半导体层；第一应力调节层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括第一氮化物层和第二氮化物层，其中，第一氮化物层包括Al，第二氮化物层设置在第一氮化物层上并且具有比第一氮化物层的Al组成比低的Al组成比；活性层，设置在第一应力调节层上；以及第二导电型半导体层，设置在活性层上，其中，第一应力调节层包括插入第一氮化物层中的Al增量层，插入Al增量层的第一氮化物层的下表面具有比直接设置在插入Al增量层的第一氮化物层上的第二氮化物层的下表面的平均拉应力大的平均拉应力。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.31 KR 10-2015-00455511.一种UV发光二极管，所述UV发光二极管包括：第一导电型半导体层；第一应力调节层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括第一氮化物层和第二氮化物层，其中，第一氮化物层包括Al，第二氮化物层设置在第一氮化物层上并且具有比第一氮化物层的Al组成比低的Al组成比；活性层，设置在第一应力调节层上；以及第二导电型半导体层，设置在活性层上，其中，第一应力调节层包括插入第一氮化物层中的Al增量层，插入Al增量层的第一氮化物层的下表面具有比直接设置在插入Al增量层的第一氮化物层上的第二氮化物层的下表面的平均拉应力大的平均拉应力。2.根据权利要求1所述的UV发光二极管，其中，第一应力调节层具有第一氮化物层和第二氮化物层彼此重复堆叠的多层结构，并且包括插入第一氮化物层之中的至少一个第一氮化物层中的Al增量层，Al增量层具有比插入Al增量层的第一氮化物层的Al组成比高的Al组成比。3.根据权利要求2所述的UV发光二极管，其中，第一氮化物层和第二氮化物层重复堆叠的多层结构是超晶格结构。4.根据权利要求2所述的UV发光二极管，其中，在第一氮化物层之中的所述至少一个第一氮化物层中，Al增量层放置成比靠近设置在所述至少一个第一氮化物层的下表面下方的另一第二氮化物层更靠近设置在所述至少一个第一氮化物层的上表面上的一个第二氮化物层。5.根据权利要求4所述的UV发光二极管，其中，Al增量层与设置在所述至少一个第一氮化物层的上表面上的所述一个第二氮化物层邻接。6.根据权利要求2所述的UV发光二极管，其中，Al增量层以规则的间隔插入第一氮化物层中。7.根据权利要求2所述的UV发光二极管，其中，Al增量层以不规则的间隔插入第一氮化物层中。8.根据权利要求2所述的UV发光二极管，其中，Al增量层插入到第一氮化物层中的一些中，Al增量层之间的距离在朝向活性层的方向上逐渐减小。9.根据权利要求2所述的UV发光二极管，其中，Al增量层具有在从第一导电型半导体层到活性层的方向上逐渐增加的Al组成比。10.根据权利要求2所述的UV发光二极管，其中，第一氮化物层包括AlxGa(1-x)N(0＜x＜1)，第二氮化物层包括AlyGa(1-y)N(0＜y＜1)，Al增量层包括AlzGa(1-z)N(0＜z≤1，y＜x＜z)。11.根据权利要求10所述的UV发光二极管，其中，Al增量层由AlzGa(1-z)N(0.8≤z≤1)形成。12.根据权利要求1所述的UV发光二极管，所述UV发光二极管还包括：第一电极，设置在第一导电型半导体层下方；以及第二电极，设置在第二导电型半导体层上。13.根据权利要求1所述的UV发光二极管，所述UV发光二极管还包括：生长基底，设置在第一导电型半导体层下方，其中，生长基底具有比第一导电型半导体层的热膨胀系数高的热膨胀系数。14.根据权利要求2所述的UV发光二极管，其中，第一氮化物层和第二氮化物层中的每个具有5nm至30nm的厚度。15.根据权利要求1所述的UV发光二极管，其中，活性层发射具有270nm至315nm的峰值波长的光。16.根据权利要求1所述的UV发光二极管，所述UV发光二极管还包括：第二应力调节层，设置在第一导电型半导体层下方并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴起延，许政勋，韩釉大，韩建宇，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR