半导体发光元件制造技术

本发明专利技术的半导体发光元件的特征在于，具有：第一导电类型的第一半导体层，在所述第一半导体层上形成的发光功能层，和在所述发光功能层上形成的第二半导体层，所述第二半导体层具有与所述第一半导体层的导电类型相反的第二导电类型；所述发光功能层具有：在所述第一半导体层上形成的掺杂层，所述掺杂层掺杂有第二导电类型的掺杂剂，在所述掺杂层上形成的基础层，以及在所述基础层上形成的量子结构层，所述基础层具有承载来自所述掺杂层的应力/应变的结构，并且具有以随机网状构型形成的多个基段。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光元件
本专利技术涉及半导体发光元件，如发光二极管(LED)。
技术介绍
半导体发光元件通常如下制造：在生长衬底上生长由n型半导体层、有源层和p型半导体层形成的半导体结构层，并且形成分别向n型半导体层和p型半导体层施加电压的n电极和p电极。日本专利第4984119号公开了一种半导体发光元件，其包括层积在衬底上并且具有如下表面的有源层，所述表面包含相对于衬底的倾斜角平滑变化的部分，以及制造所述半导体发光元件的方法。非专利文献1公开了一种发光二极管，其包括具有多个量子阱结构的有源层，其中InGaN层层积在具有高铟组成和纳米结构的另一InGaN层之上。引用清单专利文献专利文献1：日本专利第4984119号非专利文献非专利文献1：AppliedPhysicsLetters92，261909(2008)
技术实现思路
技术问题半导体发光元件通过在有源层中组合(重组)电极注入到元件中的电子和空穴发光。从有源层发射的光的波长(即，发光颜色)随构成有源层的半导体材料的带隙而变化。例如，如果发光元件使用氮化物系半导体，则从有源层发射蓝光。某些光源、如用于照明应用的光源，需要高演色性。具有高演色性的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，其包括：第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的发光功能层；和在所述发光功能层上形成并且具有与所述第一半导体层的导电类型相反的第二导电类型的第二半导体层，其中，所述发光功能层包括：在所述第一半导体层上形成并掺杂有所述第二导电类型的掺杂剂的掺杂层，在所述掺杂层上形成的基础层，所述基础层的组成使得在所述基础层中引发来自所述掺杂层的应力和应变，所述基础层包括以随机网状形成的多个基段，和在所述基础层上形成的量子阱结构层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.23 JP 2015-0599881.一种半导体发光元件，其包括：第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的发光功能层；和在所述发光功能层上形成并且具有与所述第一半导体层的导电类型相反的第二导电类型的第二半导体层，其中，所述发光功能层包括：在所述第一半导体层上形成并掺杂有所述第二导电类型的掺杂剂的掺杂层，在所述掺杂层上形成的基础层，所述基础层的组成使得在所述基础层中引发来自所述掺杂层的应力和应变，所述基础层包括以随机网状形成的多个基段，和在所述基础层上形成的量子阱结构层。2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述量子阱...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤原崇子，
申请(专利权)人：斯坦雷电气株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP