【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
[]本专利技术涉及一种mems光偏转器和具备mems光偏转器的光扫描装置。
技术介绍
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技术介绍
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1、已知一种mems光偏转器，其通过沿着反射镜部的旋转轴延伸的一对扭杆支承反射镜部，使扭杆绕旋转轴扭转振动，以使反射镜部以共振频率绕旋转轴往复转动(例如专利文献1、2)。
2、在mems光偏转器中，由于制造上的偏差等，共振频率一般会在包含设计值的某个范围内产生偏差。
3、在专利文献1的mems光偏转器中，在扭杆上遍及其整个延伸方向地形成压电膜，通过对压电膜施加电压使扭杆在延伸方向上伸缩，使扭杆的刚性变化，来调整反射镜部的共振频率。
4、在专利文献2的mems光偏转器中，在各扭杆上，在其长度方向中心位置设置压电元件，通过对该压电元件施加电压，改变扭杆的扭转刚性，来调整反射镜部的共振频率。
5、[现有技术文献]
6、专利文献
7、专利文献1：日本特开2008-70863号公报
8、专利文献2：日本特开2008-116668号公报
技术实现思路
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技术实现思路
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1、专利技术要解决的课题
2、扭杆细且以高频率往复转动，因此在扭杆上较长地形成压电膜、配线的专利文献1、2的mems光偏转器中，容易引起压电膜的剥离、配线的断线、剥离等问题。另外，如果在扭杆上在支承点与反射镜部的中间点设置压电元件，并对该压电元件施加电压，则在该中间点容易产生应力集中，扭杆的耐久性会降低。
3、本专利技术的目的在于提供一种mems光偏转器和光扫描装置，其不会在扭杆的耐久性上产生问题，且能够顺畅地调整反射镜部绕旋转轴的共振频率。
4、用于解决课题的手段
5、本专利技术的mems光偏转器，具备：
6、反射镜部，其反射光束；
7、一侧扭杆和另一侧扭杆，其沿着所述反射镜部的旋转轴分别从所述反射镜部的一个端部和另一个端部延伸；
8、一侧支承体和另一侧支承体，其在相对于所述旋转轴垂直方向上分别在一侧交叉部和另一侧交叉部处分别与所述一侧扭杆和所述另一侧扭杆交叉，并分别在所述一侧交叉部和所述另一侧交叉部处支承所述一侧扭杆和所述另一侧扭杆并使其绕所述旋转轴转动自如；
9、致动器，其使所述一侧扭杆和所述另一侧扭杆分别在所述一侧交叉部和所述另一侧交叉部处绕所述旋转轴转动；以及
10、刚性变更压电元件，其分别在所述一侧扭杆和所述另一侧扭杆处形成于在所述垂直方向上在中央范围内包括所述一侧交叉部和所述另一侧交叉部的至少一部分的一侧设定区域和另一侧设定区域中的至少一方的设定区域，并在施加电压时变更所述一方的设定区域的刚性。
11、本专利技术的光扫描装置，具备：
12、所述mems光偏转器；
13、频率检测器，其检测所述反射镜部绕所述旋转轴的往复转动频率；以及
14、控制部，其基于所述频率检测器的输出来控制所述刚性变更压电元件的电压施加。
15、[专利技术效果]
16、根据本专利技术，通过控制设定区域内的刚性变更压电元件的电压施加，能够使扭杆的支承部位的刚性变化，来调整反射镜部绕旋转轴的共振频率。形成刚性变更压电元件的设定区域存在于能够确保适当的尺寸的支承体内，因此能够在扭杆的耐久性不产生问题的情况下生成刚性变更压电元件。
17、[附图的简单说明]
18、图1是光扫描装置的整体示意图。
19、图2是mems光偏转器的示意性主视图。
20、图3是从图2的mems光偏转器中的反射镜部的中心到可动框的范围的详细图。
21、图4a是图3的4a范围的放大图。
22、图4b是图3的4b范围的放大图。
23、图5是刚性调整区域的立体图。
24、图6a是对交叉部压电元件施加电压时的说明图。
25、图6b是对结合部压电元件施加电压时的说明图。
26、图6c是对交叉部压电元件和结合部压电元件施加电压时的说明图。
27、图7是以刚性调整区域的基板部的杨氏模量e为参数示出交叉部压电元件和结合部压电元件的电压施加状态与反射镜部绕共振轴的共振频率的关系的曲线图。
28、图8是图1的控制装置的结构图。
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1.一种MEMS光偏转器，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的MEMS光偏转器，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的MEMS光偏转器，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的MEMS光偏转器，其特征在于，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的MEMS光偏转器，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的MEMS光偏转器，其特征在于，
7.一种光扫描装置，其特征在于，具备：
8.根据权利要求7所述的光扫描装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种mems光偏转器，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的mems光偏转器，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的mems光偏转器，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的mems光偏转器，其特征在于，
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