III族氮化物半导体及其制造方法技术

在包含基板、和在基板上形成的III族氮化物结晶的III族氮化物半导体中，抑制构成基板的元素向III族氮化物结晶的扩散，且减少III族氮化物结晶的位错。在包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板上，形成包含In和In以外的III族元素的氮化物的缓冲层，在缓冲层上形成III族氮化物结晶。

【技术实现步骤摘要】
III族氮化物半导体及其制造方法
本专利技术涉及III族氮化物半导体及其制造方法。
技术介绍
III族氮化物半导体能够通过改变作为III族元素的Ga、Al、In等的组成来覆盖较宽带隙，因而被广泛用作LED(发光二极管)、LD(半导体激光器)等光半导体器件、高频、高输出用途的电子器件等。一般而言这些器件是通过在蓝宝石基板上使III族氮化物结晶外延生长而制作的。然而，蓝宝石基板与作为III族氮化物半导体的GaN结晶的晶格不匹配度{(GaN的晶格常数-蓝宝石的晶格常数)/GaN的晶格常数}为13.8％，外延生长的III族氮化物结晶的缺陷密度高。因此，存在使用该III族氮化物半导体的器件的特性受到限制的课题。对于这样的课题，以降低上述III族氮化物结晶的缺陷密度为目的，提出了在包含ScAlMgO4的基板上使GaN外延生长的技术(专利文献1)。ScAlMgO4与GaN的晶格不匹配度{(GaN的晶格常数-ScAlMgO4的晶格常数)/GaN的晶格常数}较小为-1.8％。因此，期待在各种器件中展开将包含以ScAlMgO4为代表的RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种III族氮化物半导体，其具有：包含通式RAMO4所表示的单晶体的RAMO4基板、在所述RAMO4基板上形成且包含In和In以外的III族元素的氮化物的缓冲层、和在所述缓冲层上形成的III族氮化物结晶，通式RAMO4中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一个或多个二价元素。

【技术特征摘要】
2016.05.20 JP 2016-1014561.一种III族氮化物半导体，其具有：包含通式RAMO4所表示的单晶体的RAMO4基板、在所述RAMO4基板上形成且包含In和In以外的III族元素的氮化物的缓冲层、和在所述缓冲层上形成的III族氮化物结晶，通式RAMO4中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一个或多个二价元素。2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体，其中，所述缓冲层包含0.5atm％以上且50atm％以下的In。3.如权利要求1所述的III族氮化物半导体，其中，所述R为Sc，所述A为Al，所述M为Mg。4.如权利要求1所述的III族氮化物半导体，其中，所述缓冲层还包含Al。5.如权利要求1所述的III族氮化物半导体，其中，所述III族氮化物结晶为GaN。6.如权利要求1所述的III族氮化物半导体，其中，所述缓冲层的厚度为5nm以上且1000nm以下。7.如权利要求1所述的III族氮化物半导体，其中，所述III族氮化物结晶的表面的所述通式中M表示的元素的浓度比所述III族...

【专利技术属性】
技术研发人员：上田章雄，石桥明彦，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP