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III族氮化物半导体及其制造方法技术
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文档序号:16664530
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在包含基板、和在基板上形成的III族氮化物结晶的III族氮化物半导体中,抑制构成基板的元素向III族氮化物结晶的扩散,且减少III族氮化物结晶的位错。在包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中,R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素中的一个或...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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