半导体器件制造技术

一种半导体器件，该半导体器件包括具有第一部分和第二部分的衬底。耦合至该衬底的该第一部分的是能够提供第一应力信号的至少一个第一变形应力传感器，而耦合至该衬底的该第二部分的是能够提供第二应力信号的至少一个第二变形应力传感器。提供了一种处理电路，该处理电路耦合至该第一变形应力传感器和该第二变形应力传感器，并且被配置成用于：处理该第一应力信号和该第二应力信号，以便根据该第一应力信号和该第二应力信号产生补偿信号，并且将该补偿信号施加到该半导体电路生成的信号，以便对该生成的信号的由该半导体器件的该衬底中的应力引起的变化进行补偿。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本公开涉及半导体器件。可以应用一个或多个实施例来补偿由半导体器件中的衬底应力引起的效应。
技术介绍
在制造半导体器件时，一个重要方面由器件的封装的可能作用来表示。因此，在减小这些器件的成本的背景下所遵循的路线之一是例如通过减小金属框(芯片附接在其上)以及封装之内的树脂的成本来追求的减小封装的成本。这种节省可能对框的厚度和/或对树脂的质量有影响，并且可能——具体地，导致被设计成用于消费品的低成本型器件——导致如在装配之后的器件的输出电压V输出的移位。这种现象可以通过可能产生的应力而被放大，其意义为有可能检测例如在对器件的所谓“修整”之后在电晶片分选(EWS)的水平上获得的输出值V输出与可以在对芯片的封装之后检测到的值V输出之间的差异。以上现象可以至少部分地归因于树脂施加到芯片表面上的压力。这种压力可以引起芯片变形、连同随后的半导体材料(例如，硅)的晶格的畸变、连同畸变的效应(该效应可能在存在框的情况下更加显著)、连同小于标准值的经受显著弯曲度的厚度值。通过示例的方式，有可能遇到范围可能在3mV与5mV之间的电压移位值并且在某些情况下达到在100mV的范围内的值。+/-3mV本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括具有第一部分和第二部分的衬底，所述半导体器件包括：‑至少一个第一变形应力传感器，所述至少一个第一变形应力传感器与所述半导体器件的所述衬底的所述第一部分耦合，所述至少一个第一应力传感器提供第一应力信号，‑至少一个第二变形应力传感器，所述至少一个第二变形应力传感器与所述半导体器件的所述衬底的所述第二部分耦合，所述至少一个第二应力传感器提供第二应力信号，‑处理电路，所述处理电路与所述至少一个第一变形应力传感器和所述至少一个第二变形应力传感器耦合，并且被配置成用于：‑处理所述第一应力信号和所述第二应力信号，并且根据所述第一应力信号和所述第二应力信号产生至少...

【技术特征摘要】
2016.07.22 IT 1020160000771881.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括具有第一部分和第二部分的衬底，所述半导体器件包括：-至少一个第一变形应力传感器，所述至少一个第一变形应力传感器与所述半导体器件的所述衬底的所述第一部分耦合，所述至少一个第一应力传感器提供第一应力信号，-至少一个第二变形应力传感器，所述至少一个第二变形应力传感器与所述半导体器件的所述衬底的所述第二部分耦合，所述至少一个第二应力传感器提供第二应力信号，-处理电路，所述处理电路与所述至少一个第一变形应力传感器和所述至少一个第二变形应力传感器耦合，并且被配置成用于：-处理所述第一应力信号和所述第二应力信号，并且根据所述第一应力信号和所述第二应力信号产生至少一个补偿信号，-将所述至少一个补偿信号施加到所述半导体电路生成的信号，以便对所述生成的信号的由所述半导体器件的所述衬底中的应力引起的变化进行补偿。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个第一应力传感器和所述至少一个第二应力传感器...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·斯希拉，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：意大利,IT