制造半导体器件的方法技术
Method for manufacturing semiconductor device
A method for fabricating a semiconductor device includes providing a wafer including a mechanically uniform semiconductor substrate. The method also includes forming a mechanical structure in the semiconductor substrate. In a semiconductor device including a semiconductor substrate, the semiconductor substrate includes a mechanical structure. In the core of a semiconductor device including a semiconductor substrate, the semiconductor substrate includes a mechanical structure.
【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法
本申请涉及制造半导体器件的方法。
技术介绍
用于制造半导体器件的薄晶片易于弯曲。在晶片制造工艺中，特别地，在晶片的切割期间，晶片的弯曲可能会引起显著的问题。
技术实现思路
根据一个方法的实施方案，该方法包括提供机械均匀的半导体基底，以及在基底中形成机械结构。根据一个晶片的实施方案，晶片包括在半导体基底上的半导体器件，并且基底包括机械结构。根据一个管芯的实施方案，管芯包括在半导体基底上的半导体器件，并且半导体基底包括机械结构。附图说明根据示例性实施方案和参考以下附图的示例性实施方案的以下描述，本文公开的技术的目的和特征将变得明显，其中除非另有说明，否则贯穿各个附图相同的附图标记表示相同的部件。图1示出了制造半导体器件的方法的实施方案。图2A至图2H示出了形成半导体基底的方法的实施方案的截面图。所示的结构和/或装置不一定是按比例绘制的。具体实施方式在下面的实施方案中，参照附图公开了实施方式和相关的效果。如本文所使用的，贯穿说明书相同的术语指代相同的元件。图1是示意性地示出根据一些实施方案的方法的流程的图。该方法可以用于制造半导体器件。在一些实施方案中...
【技术保护点】
一种方法，包括：提供机械均匀的半导体基底；以及在所述基底中形成机械结构。
【技术特征摘要】
2016.04.25 US 15/137,3961.一种方法，包括：提供机械均匀的半导体基底；以及在所述基底中形成机械结构。2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述基底中形成电元件结构。3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述机械结构包括：在所述基底之上形成图案化的掩模层；以及将所述图案化的掩模层暴露于蚀刻剂以在所述基底中形成多个腔。4.根据权利要求3所述的方法，还包括在所述多个腔中沉积物质。5.根据权利要求4所述的方法，其中在所述多个腔中沉积物质包括在所述多个腔中外延沉积物质。6.根据权利要求3所述的方法，还包括去除所述图案化的掩模层。7.根据权利要求2所述的方法，还包括对所述基底进行平坦化。8.一种晶片，包括：在半导体基底上的半导体器件，其中所述基底包括机械结构。9.根据权利要求8所述的晶片，其中所述基底包括第一多个结晶半导体部分和第二多个其他部分，其中所述第一多个结晶半导体部分的机械性质的值不同于所述第二多个其他部分的机械性质的值。10.根据权利要求9所述的晶片，其中所述值是弹性系数，其中所述第二多个其他部分的弹性系数大于所述第一多个结晶半导体部分的弹性系数。11.根据权利要求10所述的晶片，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯·布鲁恩鲍尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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