第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法技术

本发明专利技术提供第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，将利用液相生长法生长而成的第III族氮化物单晶作为晶种衬底，利用气相生长法使第III族氮化物单晶在所述晶种衬底的主面上进行同质外延生长，所述晶种衬底的主面为+C面，在所述晶种衬底面内的整个区域中，所述晶种衬底的主面附近处的晶体中的氧原子浓度为1×10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法
本专利技术涉及第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法。
技术介绍
以GaN为代表的第III族氮化物半导体晶体已广泛应用于发光二极管、激光器等光器件、或二极管、晶体管等高频器件，也期待其将来在功率器件(powerdevice)方面的开展。由于上述器件大多数是通过利用金属有机化合物气相外延(MOVPE)法等在GaN衬底上进行外延生长而成的，因而GaN衬底的特性将对器件特性造成巨大影响。因此，迄今为止，为了得到优质的GaN衬底已进行了深入且广泛的研究。作为制造优质的GaN衬底的方法之一，提出了下述方法：在利用Na助熔剂法等液相生长法制作的GaN的基底衬底上，进一步利用氢化物气相外延(HVPE)法使厚膜状态的GaN晶体生长(例如，参见专利文献1～2)。该方法将具有晶体缺陷的发生少且由晶体的翘曲导致的晶体取向分布的偏差小这样的优点但相反晶体生长速度慢的液相生长法、与虽然容易产生缺陷但晶体生长速度快的HVPE法组合，从而弥补了二者的缺点，具体的方法公开于专利文献1～2等中。另外，作为能够以大尺寸、且缺陷少的方式高效地制造高品质的III-V族化合物晶体的本文档来自技高网...

【技术保护点】
第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，将利用液相生长法生长而成的第III族氮化物单晶作为晶种衬底，利用气相生长法使第III族氮化物单晶在所述晶种衬底的主面上进行同质外延生长，所述晶种衬底的主面为+c面，在所述晶种衬底面内的整个区域中，所述晶种衬底的主面附近处的晶体中的氧原子浓度为1×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.03 JP 2015-0418301.第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，将利用液相生长法生长而成的第III族氮化物单晶作为晶种衬底，利用气相生长法使第III族氮化物单晶在所述晶种衬底的主面上进行同质外延生长，所述晶种衬底的主面为+c面，在所述晶种衬底面内的整个区域中，所述晶种衬底的主面附近处的晶体中的氧原子浓度为1×1017cm-3以下。2.如权利要求1所述的第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，利用气相生长法在所述晶种衬底上生长出的所述第III族氮化物单晶的晶体中的氧原子浓度为1×1017cm-3以下。3.如权利要求1或2所述的第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，所述晶种衬底的至少主面的晶体区域是由在晶体生长时保持二维生长模式的平坦的生长界面形状的状态下生长而成的晶体区域构成的。4.如权利要求1或2所述的第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，所述晶种衬底由下述晶体形成，所述晶体是以在晶体生长时使三维生长模式的凹凸的生长界面形状逐渐过渡为二维生长模式的平坦的生长界面形状的方式生长而成的晶体。5.如权利要求1～4中任一项所述的第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，对于所述晶种衬底而言，至少对主面实施了镜面研磨加工。6.如权利要求1～5中任一项所述的第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，所述晶种衬底的表面的平均位错密度为1×107cm-2以下...

【专利技术属性】
技术研发人员：森勇介，吉村政志，今出完，柴田真佐知，吉田丈洋，
申请(专利权)人：国立大学法人大阪大学，住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP