氮化物半导体模板的制造方法技术

本发明专利技术具有如下工序：在表面呈格子状配置圆锥状或角锥状的凸部而形成的蓝宝石基板上，使缓冲层生长到所述凸部的顶端宽度以下、并且10nm以上且330nm以下的厚度而形成的工序；和在所述缓冲层上使氮化物半导体层生长而形成的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化物半导体模板的制造方法
本专利技术涉及氮化物半导体模板的制造方法。
技术介绍
例如发光二极管(LED)等氮化物半导体发光元件(以下，也仅称“发光元件”。)是在氮化物半导体模板上，使作为发光元件结构的例如由氮化镓(GaN)等构成的n型半导体层、发光层、p型半导体层依次生长而形成的。氮化物半导体模板是通过例如在蓝宝石基板上使缓冲层、氮化物半导体层依次生长而形成的。对于这样的发光元件而言，能够多大程度地高效取出发光层中产生的光成为重要的课题。即，提高发光元件的光提取效率(发光输出)变得重要。因此，为了提高发光元件的光提取效率，提出了在基板的上面实施了形成圆锥状、多角形锥状等的凸部的凹凸加工的PSS基板(PatternedSapphireSubstrate)(例如参照专利文献1)。然后，在PSS基板上使规定厚度的缓冲层生长而形成，在缓冲层上使GaN层等氮化物半导体层生长到表面变得平坦而形成，从而形成氮化物半导体模板。在使用这样的实施过凹凸加工的PSS基板的氮化物半导体模板上使发光层等生长而形成的发光元件能够降低光向发光元件的内部的封闭，能够提高发光元件的光提取效率。另外，作为氮化物半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体模板的制造方法，其特征在于，具有：在表面呈格子状配置圆锥状或角锥状的凸部而形成的蓝宝石基板上，使缓冲层生长到所述凸部的顶端宽度以下、并且10nm以上且330nm以下的厚度而形成的工序；和在所述缓冲层上使氮化物半导体层生长而形成的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.17 JP 2014-1887101.一种氮化物半导体模板的制造方法，其特征在于，具有：在表面呈格子状配置圆锥状或角锥状的凸部而形成的蓝宝石基板上，使缓冲层生长到所述凸部的顶端宽度以下、并且10nm以上且330nm以下的厚度而形成的工序；和在所述缓冲层上使氮化物半导体层生长而形成的工序。2.如权利要求1所述的氮化物半导体模板的制造方法，其特征在于，在形成所述缓冲层的工序中，作为所述缓冲层，使GaN层或AlN层在600℃以下...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤仓序章，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP