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本发明提供第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，将利用液相生长法生长而成的第III族氮化物单晶作为晶种衬底，利用气相生长法使第III族氮化物单晶在所述晶种衬底的主面上进行同质外延生长，所述晶种衬底的主面为+C面，在所述晶种衬底面内...
该专利属于国立大学法人大阪大学;住友化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过国立大学法人大阪大学;住友化学株式会社授权不得商用。

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