一种芯片键合方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片键合方法，首先在芯片的键合面上开制若干个第一锥型结构，并在基片的键合面上对应若干个所述第一锥型结构开制若干个第二锥型结构，相对应的第一锥型结构与第二锥型结构的朝向、形状均相同；然后在芯片与基片的键合面上生长金属材料或涂覆粘结剂，最后使所述芯片的键合面与所述基片的键合面咬合在一起。本发明专利技术芯片键合方法在芯片键合过程中不需要进行高精度的位置调整及高精度的图像处理等过程，也不受限于高精度对准的机械系统和光学测量系统，不仅大幅减少了芯片的键合时间，提高了芯片键合的效率，还大幅减少了芯片键合的成本，且操作简单、重复性高，容易应用于芯片的批量化生产加工中。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片键合方法
本专利技术涉及半导体混合集成
，特别是涉及一种芯片键合方法。
技术介绍
随着信息社会的高速发展，大数据时代即将到来，网络、数据中心、高性能计算机对其数据的传输速度、带宽和功耗的要求越来越高。在SOI(绝缘衬底上硅)基板上制造的硅基光电子器件以其小尺寸、损耗低、成本低、易集成等优点，被国际光电子领域认为是实现高速、大容量、低损耗的短距离光互联的首选器件。作为一种间接带隙半导体材料，硅在红外通信波段的发光效率很低，难以实现光源和光放大器的制作；同时，直接在Si上制作的探测器效果也同样不比其他材料制作的光探测器。在红外通信波段，激光器、半导体光放大器、光探测器一般都由III-V族半导体材料制作。半导体芯片键合技术可以实现III-V族器件与硅基光电子器件的混合集成。由于该技术的出现，人们可以克服晶片外延对生长衬底晶格常数、晶向等特性的严格限制，充分的发挥不同物质的优越性质进行混合集成，以实现半导体芯片更多的功能及更强的性能。目前III-V族器件与硅基光电子器件的混合集成主要有两种方式：(1)材料键合：先利用直接键合或介质键合将III-V族芯片或晶圆键合到SOI基板上，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片键合方法，其特征在于：首先在芯片的键合面上开制若干个第一锥型结构，并在基片的键合面上对应若干个所述第一锥型结构开制若干个第二锥型结构，相对应的第一锥型结构与第二锥型结构的朝向、形状均相同；然后在芯片与基片的键合面上生长金属材料或涂覆粘结剂，最后使所述芯片的键合面与所述基片的键合面咬合在一起。

【技术特征摘要】
1.一种芯片键合方法，其特征在于：首先在芯片的键合面上开制若干个第一锥型结构，并在基片的键合面上对应若干个所述第一锥型结构开制若干个第二锥型结构，相对应的第一锥型结构与第二锥型结构的朝向、形状均相同；然后在芯片与基片的键合面上生长金属材料或涂覆粘结剂，最后使所述芯片的键合面与所述基片的键合面咬合在一起。2.根据权利要求1所述的芯片键合方法，其特征在于：第一锥型结构和第二锥型结构在芯片和基片上的分布满足下列任意一种：1)若干个所述第一锥型结构均呈凹陷状，若干个所述第二锥型结构均呈凸起状；2)若干个所述第一锥型结构均呈突起状，若干个所述第二锥型结构均呈凹陷状；3)若干个所述第一锥型结构既有突起又有凹陷状，若干个所述第二锥型结构既有突起又有凹陷状。3.根据权利要求1所述的芯片键合方法，其特征在于：采用灰度光刻加干法腐...

【专利技术属性】
技术研发人员：储涛，吴维轲，唐伟杰，
申请(专利权)人：浙江澍源智能技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33