多色温发光二极管封装结构及其制造方法技术

一种多色温发光二极管封装结构，包括基板、设置于基板上的线路层、设置于线路层上的多个第一发光二极管芯片与多个第二发光二极管芯片、及设置于基板与线路层上的光转换层。光转换层表面呈螺旋状，光转换层包括有第一转换区块与围绕于第一转换区块侧缘的第二转换区块。所述第一转换区块的第一色温不同于第二转换区块的第二色温。所述第一发光二极管芯片埋置于第一转换区块内，所述第二发光二极管芯片埋置于第二转换区块内。藉此，提供一种生产效率佳的多色温发光二极管封装结构。此外，本发明专利技术另提供一种多色温发光二极管封装结构的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
多色温发光二极管封装结构及其制造方法
本专利技术涉及一种发光二极管，还涉及一种多色温发光二极管封装结构及其制造方法。
技术介绍
常用多色温发光二极管封装结构的制造方法是先在基板上形成多个环形的围坝胶(damglue)，以将基板划分为多个固晶区域，并且所述多个固晶区域各设有发光二极管芯片，而后在所述多个固晶区域内分别填满不同色温的荧光胶体。然而，上述多个围坝胶会导致不同色温的荧光胶体间存在隙缝，影响所述多色温发光二极管封装结构的光均匀性和信赖度，并且围坝胶的成形步骤会降低所述多色温发光二极管封装结构的生产效率。于是，本专利技术人认为上述缺陷可改善，潜心研究并配合学理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术实施例在于提供一种多色温发光二极管封装结构及其制造方法，有效地改善常用的多色温发光二极管封装结构及其制造方法所可能产生的缺陷。本专利技术实施例公开一种多色温发光二极管封装结构的制造方法，包括：前置步骤：提供一发光模块、长型的一第一光转换膜、长型的一第二光转换膜；其中，所述发光模块包含一基板、设置于所述基板上的一线路层、及设置于所述线路层上的多个第一发光二极管芯片与多个第二发光二极管芯片；所述第一光转换膜具备的一第一色温不同于所述第二光转换膜具备的一第二色温，并且所述第一光转换膜与所述第二光转换膜各具有位于相反两端的一起始端与一终结端；卷曲步骤：自所述第一光转换膜的起始端开始卷曲至所述第一光转换膜的终结端，并接续所述第二光转换膜的起始端卷曲至所述第二光转换膜的终结端，以使所述第二光转换膜卷绕在呈螺旋状的所述第一光转换膜的外缘，而形成一柱状构造；切片步骤：切割所述柱状构造，以形成一封装片；其中，所述封装片包括对应于所述第一色温的一第一区块以及对应于所述第二色温的一第二区块，所述封装片具有呈螺旋状的相对两个表面，并且所述封装片的厚度大于任一所述第一发光二极管芯片的厚度或是任一所述第二发光二极管芯片的厚度；以及封装步骤：将所述封装片结合于所述基板上，并且所述多个第一发光二极管芯片埋置于所述第一区块内、所述多个第二发光二极管芯片埋置于所述第二区块内，以使所述封装片成形为一光转换层，所述光转换层包含一树脂和混合于所述树脂的多个光转换粒子，所述树脂在摄氏温度0～30度的储能模量为100Mpa或介于100Mpa～500Mpa之间。优选地，所述第一色温高于所述第二色温，并且所述第一光转换膜的宽度等同于所述第二光转换膜的宽度，而所述第一光转换膜的厚度小于所述第二光转换膜的厚度。优选地，所述第一色温为5000K～6000K，所述第二色温为2200K～3200K。优选地，在所述前置步骤中，所述第一光转换膜的终结端连接于所述第二光转换膜的起始端。优选地，所述树脂为热塑性树脂，所述多个光转换粒子为荧光粉、量子点、及光散射粒子的至少其一或其组合。优选地，在所述封装步骤中，所述封装片是以加热、加压、或是中空贴合的其一或其组合的方式结合于所述基板上。优选地，在所述卷曲步骤中，所述第一光转换膜的起始端是定位于一柱体而开始绕着所述柱体卷曲至所述第二光转换膜的终结端，接着移除所述柱体，使所述柱状构造呈中空状。本专利技术实施例也公开一种多色温发光二极管封装结构，包括：一基板；一线路层，包含有相互分离的一第一线路与一第二线路，且所述线路层设置于所述基板上；多个第一发光二极管芯片与多个第二发光二极管芯片，设置于所述线路层上，且所述第一线路电性连接于所述多个第一发光二极管芯片，所述第二线路电性连接于所述多个第二发光二极管芯片；以及一光转换层，设置于所述基板与所述线路层上，并且所述光转换层表面呈螺旋状，所述树脂在摄氏温度0～30度的储能模量为100Mpa或介于100Mpa～500Mpa之间；其中，所述光转换层包括有一第一转换区块与邻接于所述第一转换区块侧缘的一第二转换区块，所述第一转换区块具备的一第一色温不同于所述第二转换区块具备的一第二色温，并且所述多个第一发光二极管芯片埋置于所述第一转换区块内，所述多个第二发光二极管芯片埋置于所述第二转换区块内。优选地，所述第二转换区块围绕所述第一转换区块侧缘。优选地，所述第一色温高于所述第二色温，所述第一色温为5000K～6000K，所述第二色温为2200K～3200K。优选地，在所述光转换层的螺旋状表面上，所述第一转换区块的螺旋间距小于所述第二转换区块的螺旋间距。优选地，所述树脂为一半固化状态的一热固性的树脂，并且所述热固性的树脂固化程度为60％～80％。优选地，所述树脂为一可固化的热熔性树脂，所述热熔性树脂在摄氏温度60度～80度的储能模量为0.1Mp～0.5Mpa，并且断裂伸长率大于60％。综上所述，本专利技术实施例所公开的多色温发光二极管封装结构及其制造方法，能通过使用具有螺旋状表面的光转换层，以有效地提升光均匀性及生产效率。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本专利技术，而非对本专利技术的保护范围作任何的限制。附图说明图1为本专利技术多色温发光二极管封装结构的制造方法的实施例一的卷曲步骤示意图(一)。图2为本专利技术多色温发光二极管封装结构的制造方法的实施例一的卷曲步骤示意图(二)。图3为本专利技术多色温发光二极管封装结构的制造方法的实施例一的切片步骤示意图。图4为本专利技术多色温发光二极管封装结构的制造方法的实施例一的封装步骤示意图。图5为本专利技术多色温发光二极管封装结构的实施例一的立体示意图。图6为图5的分解示意图。图7为图5的俯视示意图。图8为图5的剖视示意图。图9为图8的局部放大示意图。图10为本专利技术多色温发光二极管封装结构的实施例一的等效电路示意图。图11为本专利技术多色温发光二极管封装结构变化实施例的立体示意图。图12为本专利技术多色温发光二极管封装结构的制造方法的实施例二的卷曲步骤示意图。图13为本专利技术多色温发光二极管封装结构的制造方法的实施例二的切片步骤示意图。图14为本专利技术多色温发光二极管封装结构的实施例二的立体示意图。具体实施方式[实施例一]请参阅图1至图10，其为本专利技术的实施例一，需先说明的是，本实施例对应附图所提及的相关数量与外型，仅用来具体地说明本专利技术的实施方式，以便于了解本专利技术的内容，而非用来局限本专利技术的保护范围。如图1至图5，本实施例公开一种多色温发光二极管封装结构的制造方法，包括步骤如下。前置步骤：请参酌图1，提供一发光模块10、长型的一第一光转换膜50a(或称为冷色膜)、长型的一第二光转换膜50b(或称为暖色膜)。其中，所述发光模块10包含一基板1、设置于所述基板1上的一线路层2、及设置于所述线路层2上的多个第一发光二极管芯片3与多个第二发光二极管芯片4。更详细地说，所述第一光转换膜50a的宽度W1等同于第二光转换膜50b的宽度W2，而所述第一光转换膜50a的厚度T1(如：80μm)小于第二光转换膜50b的厚度T2(如：110μm)，一般来说，冷色膜的荧光粉浓度会比暖色膜的荧光粉浓度低，当硅胶含量一致时，如果要保持相同的荧光粉体积或者拥有较佳的荧光膜质量，冷色膜的厚度会比暖色膜的厚度薄一些。换句话说，光转换膜的厚度会影响发光效率和光均匀性，进而影响信赖性。所述第一光转换膜50a与所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多色温发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，包括：前置步骤：提供一发光模块、长型的一第一光转换膜、长型的一第二光转换膜；其中，所述发光模块包含一基板、设置于所述基板上的一线路层、及设置于所述线路层上的多个第一发光二极管芯片与多个第二发光二极管芯片；所述第一光转换膜具备的一第一色温不同于所述第二光转换膜具备的一第二色温，并且所述第一光转换膜与所述第二光转换膜各具有位于相反两端的一起始端与一终结端；卷曲步骤：自所述第一光转换膜的起始端开始卷曲至所述第一光转换膜的终结端，并接续所述第二光转换膜的起始端卷曲至所述第二光转换膜的终结端，以使所述第二光转换膜卷绕在呈螺旋状的所述第一光转换膜的外缘，而形成一柱状构造；切片步骤：切割所述柱状构造，以形成一封装片；其中，所述封装片包括对应于所述第一色温的一第一区块以及对应于所述第二色温的一第二区块，所述封装片具有呈螺旋状的相对两个表面，并且所述封装片的厚度大于任一所述第一发光二极管芯片的厚度或是任一所述第二发光二极管芯片的厚度；以及封装步骤：将所述封装片结合于所述基板上，并且所述多个第一发光二极管芯片埋置于所述第一区块内、所述多个第二发光二极管芯片埋置于所述第二区块内，以使所述封装片成形为一光转换层，所述光转换层包含一树脂和混合于所述树脂的多个光转换粒子，所述树脂在摄氏温度0～30度的储能模量为100Mpa或介于100Mpa～500Mpa之间。...

【技术特征摘要】
1.一种多色温发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，包括：前置步骤：提供一发光模块、长型的一第一光转换膜、长型的一第二光转换膜；其中，所述发光模块包含一基板、设置于所述基板上的一线路层、及设置于所述线路层上的多个第一发光二极管芯片与多个第二发光二极管芯片；所述第一光转换膜具备的一第一色温不同于所述第二光转换膜具备的一第二色温，并且所述第一光转换膜与所述第二光转换膜各具有位于相反两端的一起始端与一终结端；卷曲步骤：自所述第一光转换膜的起始端开始卷曲至所述第一光转换膜的终结端，并接续所述第二光转换膜的起始端卷曲至所述第二光转换膜的终结端，以使所述第二光转换膜卷绕在呈螺旋状的所述第一光转换膜的外缘，而形成一柱状构造；切片步骤：切割所述柱状构造，以形成一封装片；其中，所述封装片包括对应于所述第一色温的一第一区块以及对应于所述第二色温的一第二区块，所述封装片具有呈螺旋状的相对两个表面，并且所述封装片的厚度大于任一所述第一发光二极管芯片的厚度或是任一所述第二发光二极管芯片的厚度；以及封装步骤：将所述封装片结合于所述基板上，并且所述多个第一发光二极管芯片埋置于所述第一区块内、所述多个第二发光二极管芯片埋置于所述第二区块内，以使所述封装片成形为一光转换层，所述光转换层包含一树脂和混合于所述树脂的多个光转换粒子，所述树脂在摄氏温度0～30度的储能模量为100Mpa或介于100Mpa～500Mpa之间。2.如权利要求1所述的多色温发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述第一色温高于所述第二色温，并且所述第一光转换膜的宽度等同于所述第二光转换膜的宽度，而所述第一光转换膜的厚度小于所述第二光转换膜的厚度。3.如权利要求1所述的多色温发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述第一色温为5000K～6000K，而所述第二色温为2200K～3200K。4.如权利要求1所述的多色温发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，在所述前置步骤中，所述第一光转换膜的终结端连接于所述第二光转换膜的起始端。5.如权利要求1所述的多色温发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述树脂为热塑性树脂，所述多个光转换粒子为荧光粉、量子点、及光散射粒子的至少其一或其组合。6.如权利要求1所述的多...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文，陆居山，贾树勇，
申请(专利权)人：光宝光电常州有限公司，光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32