The invention relates to a manufacturing method for improving the output of LED, and relates to the production technology field of the four element system led. Is the use of relatively thin blade half cut, cut or use ICP dry etching, laser cutting and making certain width and depth of the backside lithography cutting aisle, cutting use dry etching technique to etch depth, finally use the blade on the back of a relatively thick cut through LED chip. It can improve the production efficiency, reduce the positive avalanche, and obtain the small structure of the big and small back, reduce the absorption of the substrate to the light, increase the light output from the front, and improve the efficiency of light extraction.
【技术实现步骤摘要】
一种提高发光二极管单片产出的制作方法
本专利技术涉及四元系发光二极管的生产
技术介绍
发光二极管(简称LED)按颜色可分为红色、黄色、蓝色、绿色等。用MOCVD外延炉在碳化硅、蓝宝石衬底上生长InGaN、GaN等结构可获得蓝色、绿色高亮发光二极管;在GaAs衬底上生长AlGaInP材料可获得颜色覆盖范围从红色、橙色、黄色,到黄绿波段的发光二极管。与白炽灯泡及氙灯相比,它具有工作电压和电流低、可靠性高、寿命长且可方便调节发光亮度等优点。广泛应用在背光源、景观装饰照明、交通信号灯、户内外显示屏、汽车尾灯及照明等领域。通常AlGaInP/GaAs体系红光、橙光、黄光、黄绿光的发光二极管后道流程都是先进行半切,然后测试,最后进行二次切割,使发光二极管芯粒完全分离。如图1、2所示,半切工艺采用钻石刀在高速转动下对做好电极的晶圆自正极向下进行切割,切割的深度须大于整个发光二极管外延层的厚度,这样就把发光二极管芯片的正极(P区)完全分离,GaAs衬底作为公共的负极(N区),形成分离的发光二极管芯粒。二次切割即沿着半切所留下来的刀痕,使用钻石刀将剩余GaAs部分完全分离。由于钻石刀本身的V型结构,在二次切割过程中随着切割深度的增加,刀刃宽度增加到20~40μm,会带来芯粒正面发光区较大面积的损失,降低了单片的产出。而且由于钻石刀高速转动和GaAs是硬性接触,容易造成边缘的崩裂,给PN结造成较大的损伤,增加了漏电的风险,影响成品率。为减少芯粒正面发光区损失,提高单片产出,以下几个专利文献公开的相关的GaAs基四元系切割技术:1、CN101859852A公开了一种提 ...
【技术保护点】
一种提高发光二极管单片产出的制作方法,包括以下步骤:1)在衬底上依次形成分布布拉格反射层、N型限制层、有源层、P型限制层、窗口层;2)在窗口层上制作芯粒和P电极图形;3)在衬底的底面形成N电极,制得LED芯片;其特征在于还包括以下步骤:4)对LED芯片正面的各颗芯粒进行正面半切,形成正面切割道;5)通过具有上下CCD镜头的光刻机,在与正面切割道相对应的LED芯片背面进行光刻,制出背面切割走道;6)在LED芯片正面形成保护层,用于遮盖P电极;7)通过干法蚀刻法,对所述背面切割走道进行非等向性干法蚀刻,取得较正面切割道宽的背面切割道;8)将LED芯片正面与张紧的薄膜相对,并使用倒膜机将薄膜压合在LED芯片上;9)使用刀片,自背面切割道向正面切割道切穿,即得发光二极管芯粒。
【技术特征摘要】
1.一种提高发光二极管单片产出的制作方法,包括以下步骤:1)在衬底上依次形成分布布拉格反射层、N型限制层、有源层、P型限制层、窗口层;2)在窗口层上制作芯粒和P电极图形;3)在衬底的底面形成N电极,制得LED芯片;其特征在于还包括以下步骤:4)对LED芯片正面的各颗芯粒进行正面半切,形成正面切割道;5)通过具有上下CCD镜头的光刻机,在与正面切割道相对应的LED芯片背面进行光刻,制出背面切割走道;6)在LED芯片正面形成保护层,用于遮盖P电极;7)通过干法蚀刻法,对所述背面切割走道进行非等向性干法蚀刻,取得较正面切割道宽的背面切割道;8)将LED芯片正面与张紧的薄膜相对,并使用倒膜机将薄膜压合在LED芯片上;9)使用刀片,自背面切割道向正面切割道切穿,即得发光二极管芯粒。2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于步骤4)的正面切割道宽度为5~30μm。3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于步骤4)的正面切割道的深度为10~80μm。4....
【专利技术属性】
技术研发人员:何胜,李俊承,杨凯,张双翔,陈凯轩,
申请(专利权)人:扬州乾照光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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