半导体器件及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法相关申请的交叉参考2016年5月2日提交的日本专利申请第2016-092400号的包括说明书、附图和摘要的公开结合于此作为参考。
本专利技术涉及一种半导体器件及其制造技术，尤其涉及有效地应用于半导体器件的技术及其制造技术，例如，包括具有光电转换功能的光接收元件(光接收器)。
技术介绍
日本未审查专利申请公开第Hei10(1998)-290023号描述了一种用于在N型外延层中形成的凹槽内形成N型锗层、锗单晶层、P型锗层和P型硅层的技术。在由J.Fujikata、M.Noguchi、M.Miura、D.Okamoto、T.Horikawa和Y.Arakawa撰写的“HighPerformanceSiliconWaveguide-IntegratedPINandSchottkyGePhotodiodesandtheirLinkwithInverter-TypeCMOSTIACircuits”扩展摘要(2013年福冈固态器件和材料国际会议，pp980-981)中，描述了一种PINGe光电二极管和肖特基Ge光电二极管，其包括穿过嵌入式绝缘层形成在硅衬底...
【技术保护点】
一种半导体器件，设置有包括光电转换功能的光接收元件，其中所述光接收元件包括：绝缘膜，包括第一表面和与所述第一表面相交的第二表面，第一导电类型的第一半导体层，与所述绝缘膜的所述第一表面接触，本征半导体层，形成在所述第一半导体层之上，与所述绝缘膜的所述第一表面和所述第二表面接触，以及第二导电类型的第二半导体层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述第二半导体层形成在所述本征半导体层之上并且与所述绝缘膜的所述第二表面接触。
【技术特征摘要】
2016.05.02 JP 2016-0924001.一种半导体器件，设置有包括光电转换功能的光接收元件，其中所述光接收元件包括：绝缘膜，包括第一表面和与所述第一表面相交的第二表面，第一导电类型的第一半导体层，与所述绝缘膜的所述第一表面接触，本征半导体层，形成在所述第一半导体层之上，与所述绝缘膜的所述第一表面和所述第二表面接触，以及第二导电类型的第二半导体层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述第二半导体层形成在所述本征半导体层之上并且与所述绝缘膜的所述第二表面接触。2.根据权利要求1所述的器件，其中穿透所述绝缘膜的开口部分形成在所述绝缘膜中，其中所述绝缘膜的所述第一表面是所述开口部分的内壁表面，并且其中所述绝缘膜的所述第二表面是所述绝缘膜的上表面。3.根据权利要求2所述的器件，其中所述半导体器件包括半导体层，其中穿透所述绝缘膜的所述开口部分形成在所述半导体层之上，并且其中所述第一半导体层形成在从所述开口部分暴露的所述半导体层之上。4.根据权利要求3所述的器件，其中所述半导体层是光波导层。5.根据权利要求4所述的器件，其中所述半导体层的带隙大于所述第一半导体层、所述本征半导体层和所述第二半导体层中的任一层的带隙。6.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体器件包括：半导体层，形成在所述绝缘膜下方，以及开口部分，穿透所述绝缘膜和所述半导体层，并且其中所述第一半导体层与从所述开口部分的内壁表面暴露的所述半导体层接触。7.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体器件包括：半导体层，形成在所述绝缘膜下方，第一开口部分，穿透所述绝缘膜，以及第二开口部分，穿透所述半导体层，与所述第一开口部分连通并且在平面图中覆盖所述第一开口部分，其中所述第一半导体层与从所述第二开口部分的内壁表面暴露的所述半导体层以及从所述第二开口部分暴露的所述绝缘膜的下表面接触，其中所述第二半导体层与所述第一开口部分的内壁表面接触，其中所述绝缘膜的所述第一表面是所述绝缘膜的所述下表面，并且其中所述绝缘膜的所述第二表面是所述第一开口部分的所述内壁表面。8.根据权利要求7所述的器件，其中所述第二半导体层的高度低于所述绝缘膜的上表面。9.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体器件包括：半导体层，形成在所述绝缘膜下方，以及开口部分，穿透所述绝缘膜以到达所述半导体层的内部，其中所述第一半导体层与所述开口部分的内壁表面和所述开口部分的底面接触，其中所述第二半导体层与所述绝缘膜的上表面接触，其中所述绝缘膜的所述第一表面是所述开口部分的所述内壁表面，并且其中所述绝缘膜的所述第二表面是所述绝缘膜的所述上表面。10.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体器件包括：半导体层，形成在所述绝缘膜下方，第一开口部分，穿透所述绝缘膜，以及第二开口部分，形成在所述半导体层中，与所述第一开口部分连通并且在平面图中覆盖所述第一开口部分，其中所述第一半导体层与所述第二开口部分的内壁表面、所述第二开口部分的底面...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。