一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，在形成金属氧化物层之后直接对金属氧化物层进行导体化及图案化，得到有源层及位于有源层的两侧并与有源层连接的导体图案，再形成栅极绝缘层，以及栅极、源极和漏极。这样，在制作薄膜晶体管时，可以避免对栅极绝缘层进行大面积蚀刻的工序，从而大大降低刻蚀栅极绝缘层时出现过度蚀刻或者轻度蚀刻的问题，可以较好的满足刻蚀均一性的要求。

A thin film transistor, its manufacturing method, array substrate and display device

The invention provides a thin film transistor and its manufacturing method, array substrate and display device, after forming a metal oxide layer and the patterned conductor directly on metal oxide layer, an active layer and is located on both sides by the active layer and connected with the active layer of the conductor pattern, and forming a gate insulating layer, and a gate, a source and drain. Thus, the process of large-area etching of the gate insulation layer can be avoided in the fabrication of thin-film transistors, thereby greatly reducing the excessive etching or slight etching of the insulating layer of the gate insulator, which can better meet the requirements of the uniformity of etching.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
随着全球信息社会的兴起增加了对各种显示装置的需求。因此，对各种平面显示装置的研究和开发投入了很大的努力，如液晶显示装置(LCD)、有机电致发光显示装置(OLED)、等离子显示装置(PDP)、场致发光显示装置(ELD)以及真空荧光显示装置(VFD)。而液晶显示装置因其功耗小、成本低、无辐射和易操作等特点，已越来越多的走进人们的生活、工作中，并广泛应用于各个领域，如家庭、公共场所、办公场及个人电子相关产品等。其中，薄膜晶体管是形成液晶显示装置及有机电致发光显示装置中的薄膜阵列基板的关键性元件。目前，薄膜晶体管中形成有源层的材料大多为非晶硅或者多晶硅，但由于非晶硅以及多晶硅的载流子的迁移率有限，使得薄膜晶体管的相应速度受到影响。因此出现了使用金属氧化物做有源层的技术，如使用铟镓锌氧化物材料做有源层，由于铟镓锌氧化物材料等金属氧化物对氢元素非常敏感，所以需要使用二氧化硅制作栅极绝缘层，尤其是在顶栅极结构的薄膜晶体管中，但是在需要对铟镓锌氧化物材料进行导体化处理时，需要先对栅极绝缘层进行蚀刻，而二氧化硅的硬度较大，在进行干法刻蚀时刻蚀速率很慢，在高世代线生产中很难满足刻蚀均一性的要求，并且容易出现过度蚀刻，使得铟镓锌氧化物材料被一同蚀刻掉一部分，或者出现轻度蚀刻，使得需要蚀刻掉的栅极绝缘层有残留，从而导致像素驱动电路的损坏或者铟镓锌氧化物材料的电阻变大，影响到像素的驱动。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，以解决薄膜晶体管在制作的过程中难满足刻蚀均一性，栅极绝缘层易出现过度蚀刻或者轻度蚀刻的问题。本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，所述方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成金属氧化物层；对所述金属氧化物层进行导体化和图案化处理，得到有源层及分别位于所述有源层的两侧并与所述有源层连接的两个导体图案；形成栅极绝缘层；形成栅极、源极及漏极，所述源极及所述漏极分别与位于所述有源层两侧的两个导体图案电连接。本专利技术实施例还提供一种薄膜晶体管，使用上述方法制作形成，所述薄膜晶体管包括位于一衬底基板上的有源层、两个导体图案、栅极绝缘层、栅极、源极及漏极，两个导体图案分别位于所述有源层的两侧并与所述有源层连接，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层及所述导体图案，所述栅极、所述源极及所述漏极位于所述栅极绝缘层上，所述栅极对应位于所述有源层上方，所述源极及所述漏极分别与位于所述有源层两侧的两个导体图案电连接。本专利技术实施例还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括采用上述的方法形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于一衬底基板上的有源层、两个导体图案、栅极绝缘层、栅极、源极及漏极，两个导体图案分别位于所述有源层的两侧并与所述有源层连接，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层及所述导体图案，所述栅极、所述源极及所述漏极位于所述栅极绝缘层上，所述栅极对应位于所述有源层上方，所述源极及所述漏极分别与位于所述有源层两侧的两个导体图案电连接。本专利技术实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括阵列基板，所述阵列基板包括采用上述的方法形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于一衬底基板上的有源层、两个导体图案、栅极绝缘层、栅极、源极及漏极，两个导体图案分别位于所述有源层的两侧并与所述有源层连接，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层及所述导体图案，所述栅极、所述源极及所述漏极位于所述栅极绝缘层上，所述栅极对应位于所述有源层上方，所述源极及所述漏极分别与位于所述有源层两侧的两个导体图案电连接。本专利技术实施例提供的薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，在形成金属氧化物层之后直接对金属氧化物层进行导体化及图案化，得到有源层及位于有源层的两侧并与有源层连接的导体图案，再形成栅极绝缘层，以及栅极、源极和漏极。这样，在制作薄膜晶体管时，可以避免对栅极绝缘层进行大面积蚀刻的工序，从而大大降低刻蚀栅极绝缘层时出现过度蚀刻或者轻度蚀刻的问题，可以较好的满足刻蚀均一性的的要求。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一较佳实施例提供的一种显示装置的立体图；图2为图1中所示阵列基板的部分剖面图；图3为本专利技术实施方式提供的薄膜晶体管的制作方法的流程图；图4至图14为图2中所示的薄膜晶体管的在制作过程中的部分剖面图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，图1为本专利技术一较佳实施例提供的一种显示装置的立体图。如图1所示，所述显示装置100包括阵列基板110及与所述阵列基板110相对设置的对向基板120，所述阵列基板110与所述对向基板120层叠设置，所述显示装置100还可以包括夹于所述阵列基板110与所述对向基板120之间的液晶层(图未示)及背光模组(图未示)，所述背光模组可位于所述阵列基板110远离所述对向基板120的一侧，并与所述阵列基板110层叠设置，所述背光模组与所述阵列基板110及所述对向基板120共同组成所述显示装置100的显示模组，以实现所述显示装置100的显示功能。所述显示装置100还包括一显示区101及围绕所述显示区101的周边区102，所述显示区101主要用于实现所述显示装置100的显示输出功能，所述周边区102主要用于走线等。本专利技术实施方式中，是以所述显示装置为液晶显示装置(LCD)为例进行说明，但并不局限于此，在其他实施方式中，所述显示装置还可以是有机电致发光显示装置(OLED)或者其他使用阵列基板的显示装置，对此并不做任何限定。请同时参阅图2，图2为图1中所示阵列基板的部分剖面图。如图2所示，所述阵列基板110包括衬底基板111、位于所述衬底基板111上且呈矩阵排列的多个薄膜晶体管112及钝化层113，所述钝化层113覆盖所述薄膜晶体管112及所述衬底基板111。所述薄膜晶体管112包括栅极1121、栅极绝缘层1122、源极1123、漏极1124、有源层1125和两个导体图案1126。所述有源层1125及所述导体图案1126位于所述衬底基板111上，两个导体图案1126分别位于所述有源层1125的两侧并与所述有源层1125连接，所述栅极绝缘层1122覆盖所述有源层1125、所述导体图案1126及所述衬底基板111。所述栅极1121、所述源极1123及所述漏极1124位于所述栅极绝缘层1122上，所述栅极1121对应位于所述有源层1125上方，所述源极1123及所述漏极1124分别与位于所述有源层1125两侧的两个导体图案1126电连接，具体的，所述栅极绝缘层1122上设置有通孔，每个所述通孔对应位于一个导体图案1126上方，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成金属氧化物层；对所述金属氧化物层进行导体化和图案化处理，得到有源层及分别位于所述有源层的两侧并与所述有源层连接的两个导体图案；形成栅极绝缘层；形成栅极、源极及漏极，所述源极及所述漏极分别与位于所述有源层两侧的两个导体图案电连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成金属氧化物层；对所述金属氧化物层进行导体化和图案化处理，得到有源层及分别位于所述有源层的两侧并与所述有源层连接的两个导体图案；形成栅极绝缘层；形成栅极、源极及漏极，所述源极及所述漏极分别与位于所述有源层两侧的两个导体图案电连接。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述金属氧化物层进行导体化和图案化处理，得到有源层及分别位于所述有源层的两侧并与所述有源层连接的两个导体图案的步骤，包括：在所述金属氧化物层上形成第一光刻胶层；利用第一掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光，并显影形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案对应有源层所在区域；对未被所述第一光刻胶图案遮挡的金属氧化物进行导体化处理，以得到形成有源层的金属氧化物图案以及位于所述有源层两侧的导体层；剥离所述第一光刻胶图案；形成覆盖所述有源层及导体层的第二光刻胶层；利用第二掩膜版对所述第二光刻胶层进行曝光，并显影形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案对应所述有源层和用于形成导体图案所在区域；对未被所述第二光刻胶图案遮挡的所述导体层进行刻蚀，得到位于所述有源层两侧并与所述有源层连接的两个导体图案；剥离所述第二光刻胶图案。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述栅极的具体步骤为：在所述栅极绝缘层上形成第一金属层；使用所述第一掩膜板图案化...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡振飞，李永谦，袁粲，袁志东，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11