形成半导体结构的方法技术

本发明专利技术提供一种形成半导体结构的方法，其方法包含：形成凹部特征于底材层中、形成金属层于底材层上、暴露金属层于卤化钨气体中以形成氧空乏金属层、以及形成本体钨层于氧空乏金属层上。

Method for forming semiconductor structure

The present invention provides a method for forming a semiconductor structure, the method includes: forming concave features in bottom material layer, a metal layer is formed on the metal layer exposed substrate layer, tungsten halogen gas to form a metal layer, and the formation of oxygen depletion in oxygen depletion body tungsten layer on the metal layer.

【技术实现步骤摘要】
形成半导体结构的方法
本专利技术实施例是有关于一种半导体结构的形成方法，特别是有关于一种形成具有凹部特征的半导体结构的方法。
技术介绍
随着半导体产业的高速发展，半导体装置的整合密度持续改良，使得装置尺寸不断缩减，装置效能持续提升，而制造成本则不断降低。随着装置整合密度的提高，不仅晶体管走向立体化而开发出鳍式场效晶体管，形成于基材上的互连结构亦形成多层的金属化层。不论是在晶体管的形成或互连结构的金属化过程中，诸如钨等金属材料皆具有关键功能。金属材料不但可填充晶体管中的栅极间隙，亦可在互连结构中形成金属线，透过层间介电层的沟道或通孔进行电讯连结。然而，当装置尺寸持续缩减，栅极宽度亦持续降低，金属材料欲填满诸如栅极间隙、通孔、或沟道等凹部特征时皆面临许多挑战，而需要持续改进以提升半导体装置的整体性能表现。
技术实现思路
根据本专利技术的一实施方式，一种半导体结构的形成方法包含：形成凹部特征于底材层中、形成金属层于底材层上、暴露金属层于卤化钨气体中以形成氧空乏金属层、以及形成本体钨层于氧空乏金属层上。根据本专利技术的一实施方式，一种半导体结构包含具有凹部特征的底材层、氧空乏金属层于底材层上、以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包含：形成一凹部特征于一底材层中；形成一金属层于该底材层上；暴露该金属层于一卤化钨气体中以形成一氧空乏金属层；以及形成一本体钨层于该氧空乏金属层上。

【技术特征摘要】
2016.05.14 US 15/154,9891.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴仲强，李家庆，曹学文，周群渊，蔡承晏，李达元，蔡明兴，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71