一种有机光致变色二芳基乙烯化合物及其制备方法与应用技术

通式（Ⅰ）的二芳基乙烯光致变色化合物：　　　　＊＊＊　　（式Ⅰ）　　　　其中，Ｒ↓［１］＝Ｒ↓［２］或者Ｒ↓［１］≠Ｒ↓［２］，Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］选自如下基团：　　　　＊＊＊　　　　其中Ｒ和Ｒ′选自如下基团：　　　　＊，其中Ｒ↑［＊］选自Ｈ、ＯＣＨ↓［３］、Ｎ（Ｃ↓［２］Ｈ↓［３］）↓［２］、ＣＮ、ＯＨ、　　　　＊＊＊，ｎ＝０－３和＊。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机光致变色材料领域中一种有机光致变色二芳基乙烯化合物及其制备方法与应用，特别涉及一种有机光致变色二芳基乙烯化合物及其制备方法与在双光子三维光存储中的应用。
技术介绍
光存储技术正向着更高存储密度和更快存取速度的目标前进，以适应信息技术的发展。目前新一代光存储技术主要有二维超分辨和三维体存储两个研究方向，其中建立在双光子吸收上的三维存储是较有希望实现高密度、高性能、低价位的存储方式。双光子三维存储是基于存储介质的双光子吸收引起材料的物理、化学性质的变化来实现存储的。在双光子激发中，电子跃迁的几率正比于入射光强度的平方，激发被限制在极小的区域，减少了层与层之间的串扰；每个光子只需要跃迁能一半的能量，因此可以采用长波(近红外线)进行记录，大大降低了散射，记录光束能量能有效地传递到介质深层，同时较低能量的长波减小了介质的光化学副反应的发生(大多数有机物在此处无吸收)，增加了光读出的材料抗疲劳度，这些对于可擦写多层存储非常有利。此外，双光子过程是基于电子跃迁的过程，材料的响应可以为皮秒级，理论上的分辨率极限可达到分子尺寸，大大提高了记录密度(1012bit/cm3)。存储介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张复实，孙梵，蒲守智，赵福群，李勇，袁鹏，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：