本发明专利技术涉及在颜色转换介质、固体染料激光器和电场致发光装置中作为荧光示踪剂的式（Ⅰ）的荧光二酮基吡咯并吡咯及其制备方法，和它们在用于涂布、非击打式印刷材料、彩色滤光片、化妆品、聚合油墨颗粒、调色剂的油墨、色料、着色塑料的制备方面的用途。包含根据本发明专利技术的组合物的发光装置有高的电能利用率和高发光性。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在变色介质(color changing media)、染料激光器和电场致发光装置中作为荧光示踪剂的式I的荧光二酮基吡咯并吡咯(DPPs) 及其制备方法，以及它们在油墨、色料、着色塑料涂层、非冲击印刷材料(non-impact-printing material)、彩色滤光片、化妆品、聚合墨颗粒(polymeric ink particles)、调色剂的制备方面的用途。含有本专利技术化合物的发光装置有高效电能利用率和高发光度。EP-A-648770涉及含氨基甲酸酯基团的DPPs及其作为荧光染料的用途。在实施例6和9中，分别公开了下列DPP化合物 和 在DPP化合物中，WO90/01480涉及具有至少两种不同着色形式的物质，其中一种通过提供能量可转化为另一种，以及它们在贮存介质中的用途。在实施例10和11中，分别公开了下列DPP化合物 和 通过例如描述于Appl.Phys.Lett.，51，913(1987)的真空蒸发工艺制备含有有机荧光物质的有机电场致发光(“EL”)装置在目前是常见的。一般说来，根据发光材料的构成，采用两种这类真空蒸发工艺单组分型工艺和双组分型(或“主客型”或“二元体系”)工艺(如在J.Appl.Phys.，65，3610(1989)中描述)。JP-A22,296,891(Ricoh)要求保护一种电场致发光元件，它包括正电极、负电极和保持在正负电极间的一种有机化合物层或多种有机化合物的层，但没有空穴传递物质。所述有机化合物层的至少一层是含有式II”表示的吡咯并吡咯化合物层 其中Y1和Y2相互独立地表示取代或未取代的烷基、环烷基或芳基，Y3和Y4独立地表示氢原子或取代或未取代的烷基或芳基，X表示氧或硫原子。明确介绍了四种化合物，即在所有情况下，其中X表示氧，而其中(a)Y3＝Y4＝甲基，Y1＝Y2＝对甲苯基，(b)Y3＝Y4＝甲基，Y1＝Y2＝氢，(c)Y3＝Y4＝氢，Y1＝Y2＝对甲苯基，和(d)Y3＝Y4＝Y1＝氢和Y2＝对氯代苯基。如单独使用DPP II”，即没有加入三(8-羟基喹啉偶氮(quinolinato))铝(“Alq3”)，未观测到发射。JP-A25,320,633(Sumitomo)要求保护一种具有发光层的有机电场致发光装置，它在一对电极间含有0.005-15重量份的下式 的DPP的量的发光材料，其中至少一个电极是透明或半透明的，其中Y1和Y2相互独立地表示C6-C14-芳基或C6-C12杂环基，例如噻吩基、2-吡啶基、3-吡啶基和4-吡啶基，和Y3和Y4相互独立地表示氢原子、C1-C12-烷基或C6-C14芳基。尽管在主权项中未提及Alq3用途，但说明书和实施例，特别是对比实施例2明确提及Alq3是所述EL元件或装置的必须特征。JP-A2 9003448(Toyo)描述了在一对电极间具有含有作为电子传递材料的DPP化合物的发光层，或有包含发光层和电子发射层(其中的电子发射层含有作为电子传递材料的DPP化合物)的有机化合物薄膜涂层的有机EL元件。明确介绍下列三种杂芳基吡咯并吡咯 和 要求保护的EL装置的缺点在于，根据所述实施例，始终必须采用Alq3和菲二胺(作为空穴注射材料)。EP-A-499,011描述了包括下式的DPP化合物 的电场致发光装置，其中的Y1和Y2可为取代或未取代的苯基、3-吡啶基-或4-吡啶基，Y3和Y4彼此独立地表示氢原子、C1-C18-烷基、C3-C18链烯基，且双键不在C1-位。在实施例1和7中，明确介绍下列DPP化合物 和 WO98/33862介绍了式IV’的DPP-化合物 在电场致发光装置中作为客体分子的用途。EP-A-1087005涉及式I’的荧光N-取代的二酮基吡咯并吡咯(“DPPs”) 其特征在于，Y1和Y2衍生自下列基团 实例 或 它们可被取代或未取代。EP-A-1087006涉及电场致发光装置，它依次包括(a)阳极，(b)空穴传递层，(c)发光层，(d)任选的电子传递涂层和(e)阴极和发光物质，其中的发光物质是由式I’表示的二酮基吡咯并吡咯(“DPP”)。WO 03/002672涉及式I’的二酮基吡咯并吡咯，其特征在于，Y1和Y2衍生自下面的1-萘基 PCT/EP03/00650公开了包含式IV的DPP客体生色团和式II的DPP主体生色团的EL装置(见后)。EP-A-1,253,151公开了包含至少一种(a)DPP衍生物和在580-720nm波长范围有荧光峰的有机荧光材料和(b)吡咯亚甲基(pyrromethene)金属络合物(也见JP2001 257077、JP2001 257078和JP2001 297881(Toray))的EL装置。WO03/048268涉及EL元件组合物，它包括含有苝(perylene)环的化合物和含有DPP骨架的化合物。明确介绍了下列三种杂芳基吡咯并吡咯 和 令人惊喜地发现，如果采用特殊的DPP化合物或DPP化合物的特定组合，特别是作为发光物质，可得到有高电能利用率和高发光度的发光装置。因此，本专利技术涉及式I的荧光二酮基吡咯并吡咯 其中R1和R2可相同或不同并且选自可被氟、氯或溴取代的C1-C25烷基；可被C1-C4烷基取代1-3次的烯丙基；环烷基；或可与苯基稠合1-2次的环烷基，所述苯基可被C1-C4烷基、卤素、硝基或氰基取代1-3次；链烯基；环烯基；炔基；卤代烷基；卤代链烯基；卤代炔基；酮或醛基；酯基；氨基甲酰基；酮基；甲硅烷基；硅氧烷基；A3或-CR3R4-(CH2)m-A3，其中R3和R4彼此独立地表示氢或C1-C4烷基，或可被C1-C4烷基取代1-3次的苯基，A3表示芳基或杂芳基，特别是可被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的苯基或1-或2-萘基，和m表示0、1、2、3或4，A1和A2彼此独立为包括含有1-3个选自氮、氧和硫的杂原子的五元杂环，或含有1-3个选自氮、氧和硫的杂原子的六元杂环的基团，其中，如果A1和A2是下式 或 的五-或六元单环杂环，则所述杂环被至少一个选自以下的基团所取代C1-C25烷基、环烷基、芳烷基、链烯基、环烯基、炔基、羟基、巯基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂环基、卤原子、卤代烷基、卤代链烯基、卤代炔基、氰基、醛基、羧基、酯基、氨基甲酰基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、取代或未取代的乙烯基、基团NR8R9，其中R8和R9彼此独立表示氢原子、烷基、环烷基、芳基、杂芳基、杂环基、芳烷基，或R8和R9与它们所连接的氮原子一起形成五元或六元杂环，所述杂环可与一个或两个任选取代的苯基稠合，其中所述杂环直接与所述DPP基本单元结合，特别是以下的杂环或 或A1和A2彼此独立为选自以下的基团 或 其中R5、R6和R7可相同或不同并且选自氢原子、C1-C25烷基、环烷基、芳烷基、链烯基、环烯基、炔基、羟基、巯基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂环基、卤原子、卤代烷基、卤代链烯基、卤代炔基、氰基、醛基、羧基、酯基、氨基甲酰基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、取代或未取代的乙烯基、基团NR8R9，其中R8和R9彼此独立为氢原子、烷基、环烷基、芳基、杂芳基、杂环基、芳烷基，或R8和R9与它们所连接的氮原子一起形成五元或六元本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种式Ⅰ的荧光二酮基吡咯并吡咯 ＊＊＊ （Ⅰ）， 其中 Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］可相同或不同并且选自可被氟、氯或溴取代的Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２５］烷基；可被Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代１－３次的烯丙基；环烷基；可与苯基稠合１或２次的环烷基，所述苯基可被Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、卤素、硝基或氰基取代１－３次；链烯基；环烯基；炔基；卤代烷基；卤代链烯基；卤代炔基；酮或醛基；酯基；氨基甲酰基；酮基；甲硅烷基；硅氧烷基；Ａ↑［３］或－ＣＲ↑［３］Ｒ↑［４］－（ＣＨ↓［２］）↓［ｍ］－Ａ↑［３］，其中 Ｒ↑［３］和Ｒ↑［４］彼此独立地表示氢或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基，或可被Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代１－３次的苯基， Ａ↑［３］表示芳基或杂芳基，特别是可被Ｃ↓［１］－Ｃ↓［８］烷基和／或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［８］烷氧基取代１－３次的苯基或１－或２－萘基，和ｍ表示０、１、２、３或４， Ａ↑［１］和Ａ↑［２］彼此独立为包括含有１－３个选自氮、氧和硫的杂原子的五元杂环，或含有１－３个选自氮、氧和硫的杂原子的六元杂环的基团，其中，如果Ａ↑［１］和Ａ↑［２］是下式 ＊＊＊ 的五－或六元单环杂环，则所述杂环被至少一个选自以下的基团所取代：Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２５］烷基、环烷基、芳烷基、链烯基、环烯基、炔基、羟基、巯基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂环基、卤原子、卤代烷基、卤代链烯基、卤代炔基、氰基、醛基、羧基、酯基、氨基甲酰基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、取代或未取代的乙烯基、基团ＮＲ↑［８］Ｒ↑［９］，其中Ｒ↑［８］和Ｒ↑［９］彼此独立表示氢原子、烷基、环烷基、芳基、杂芳基、杂环基、芳烷基，或Ｒ↑［８］和Ｒ↑［９］与它们所连接的氮原子一起形成五元或六元杂环，所述杂环可与一个或两个任选取代的苯基稠合，其中所述杂环直接与所述ＤＰＰ基本单元结合，特别是下列杂环： ＊＊＊ 或Ａ↑［１］和Ａ↑［２］彼此独立为选自以下的基团 ＊＊＊ 其中 Ｒ↑［５］、Ｒ↑［６］和Ｒ↑［７］可相同或不同并且选自氢原子、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２５］烷基、环烷基、芳烷基、链烯基、环烯基、炔基、羟基、巯基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂环基、卤原子、卤代烷基、卤代链烯基、卤代炔基、氰基、醛基、羧基、酯基、氨基甲酰基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、取代或未取代的乙...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：H亚马莫托，N丹，
申请(专利权)人：西巴特殊化学品控股有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。