一种激光加工晶圆的方法及系统技术方案

本发明专利技术提供一种激光加工晶圆的方法及系统，所述方法包括：获取晶圆上表面Low‑K层的厚度信息；根据厚度信息控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，以使激光光束对晶圆上表面Low‑K层进行刻蚀。本发明专利技术能够通过对晶圆上表面Low‑K层的厚度进行实时检测并获取厚度信息，然后通过相控型硅基液晶根据所述厚度信息对激光光束进行调制，进而通过对激光光束的精确控制实现晶圆上表面Low‑K层加工得到可定制形沟槽结构，并提高了激光加工晶圆的工作效率、激光加工精度以及分离晶圆的均匀性。

Method and system for laser processing wafer

The present invention provides a method and system for laser processing wafer, the method comprises: acquiring the wafer surface Low K layer information; information control is controlled according to the thickness of liquid crystal on silicon for modulation of the laser beam, the laser beam on the wafer surface layer in K Low etching. The invention can obtain information through the thickness of the K layer thickness of Low on the surface of wafer for real-time detection and control, and then through the phase type liquid crystal on silicon according to the modulation of the laser beam, the thickness information, so as to realize the on wafer surface Low K layer processing can be customized groove structure obtained by precise control of laser beam, and improve the working efficiency of the laser processing wafer, laser machining precision and uniformity of wafer separation.

【技术实现步骤摘要】
一种激光加工晶圆的方法及系统
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种激光加工晶圆的方法及系统。
技术介绍
近年来，随着半导体器件特征尺寸的不断减小以及芯片集成度的不断提高，金属互连线之间、多层布线之间的寄生电容以及金属导线的电阻急剧增大，导致了RC延迟、功耗增加等一系列问题，限制了高速电子元器件的发展。当器件特征尺寸小于90nm后，晶圆必须使用低介电常数材料来代替传统的SiO2层(K＝3.9～4.2)，常用的Low-K材料有道康宁公司的FOx及多孔SiLK材料、应用材料公司的黑金刚石系列低K薄膜材料、NovellusSystem的CORAL、英特尔的CDO以及NEC公司的FCN+有机层等等。Low-K材料的使用也带来了一些问题。不论是机械强度还是粘附性，Low-K材料都远远不如SiO2，这对划片工艺提出了挑战。最为常见的问题是，在划片过程中由于较低的机械强度及粘附力，使得Low-K材料粘连在划片刀上，这不仅降低了划片的效率，同时也带来了绝缘层从金属层表面被剥离以及产生碎屑并扩散到其它功能区域等严重影响良率的后果。激光加工具有非接触、精度高、适用材料范围广、加工路径灵活可控等优点，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光加工晶圆的方法，其特征在于，包括：获取晶圆上表面Low‑K层的厚度信息；根据厚度信息控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，以使激光光束对晶圆上表面Low‑K层进行刻蚀。

【技术特征摘要】
1.一种激光加工晶圆的方法，其特征在于，包括：获取晶圆上表面Low-K层的厚度信息；根据厚度信息控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，以使激光光束对晶圆上表面Low-K层进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取晶圆上表面Low-K层的厚度信息包括：向晶圆上表面Low-K层发射一检测光束；获取检测光束的反射光；根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的厚度信息。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述反射光得出晶圆上表面Low-K层的厚度信息是根据所述反射光的反射率计算得出所述晶圆上表面Low-K层的厚度信息；其中，所述反射光的反射率与晶圆上表面Low-K层的厚度相对应，其对应关系储存在系统中。4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述根据厚度信息控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，以使激光光束对晶圆上表面Low-K层进行刻蚀，包括：根据厚度信息调整激光光束的激光参数；控制相控型硅基液晶按所述激光参数对激光光束进行调制并形成定制化激光光束；改变所述定制化激光光束与晶圆上表面的相对位置以在所述晶圆上表面形成凹槽，用以对晶圆上表面Low-K层实现刻蚀。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述激光参数包括波前相位、发散角、激光照射方位角、光束能量分布和激光光斑形状中一种或者任意组合。6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述定制化激光光束为具有特定图案分布的光斑组合、或多束激光子光束的阵列组合；其中，所述具有特定图案分布的光斑组合包括方形，圆形，菱形和可定制型多边形中一种或者任意组合：所述多束激光子光束的阵列组合包括1*N阵列，或M*N阵列，或具有特定拓扑图案分布的阵列组合，其中N＝2、3……，M大于等于2。7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，在根据厚度信息调整激光光束的波前相位之前，包括：获取激光光束的焦点信息；根据焦点信息判断激光光束的激光焦点是否出现像散或畸变，如果否，则保持激光光束的波前相位；如果是，则根据所述厚度信息确定激光光束的波前相位，并控制相控型硅基液晶调制激光光束的波前相位。8.根据权利要求5-7任一所述的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张紫辰，刘嵩，侯煜，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11